SiC

• 2024年底碳化硅行业发生了哪些大事

  在国产SiC半导体产业迈向更高技术壁垒的征程中，国产自主设备的创新与交付成为衡量企业技术实力的关键指标。近期，国内多家企业在SiC设备的研发、交付和市场拓展方面取得了显著成绩。这些事件一定程度上标志着国产SiC技术突破和市场拓展的加速，那么，2024年底碳化硅行业还有哪些大事？

  行家说三代半

  421

  01/24 08:25

  SiC 碳化硅

  
• 近14亿！5家SiC企业获得融资

  近期，国内外SiC产业融资加速，又有5家企业获得融资。1月21日，瞻芯电子在官微透露，他们完成了C轮融资首批近十亿元资金交割，由国开制造业转型升级基金领投，中金资本、老股东金石投资、芯鑫跟投。

  行家说三代半

  253

  01/23 14:01

  SiC SiC产业

  
• 7家SiC企业公布业绩：供应40万辆车；单季5000万……

  1月16日，芯聚能半导体在官微透露，作为中国首家搭载乘用车主驱的第三方碳化硅模块供应商，他们在2024年新增6家车企、10个项目定点，全球合作伙伴及客户已有30+家。值得关注的是，芯聚能半导体的工业大电流SiC-MOSFET产品在特种电源市场已实现量产出货，并在国内该细分领域保持市占率第一。

  行家说三代半

  403

  01/21 09:03

  SiC 碳化硅

  
• 近300亿！5个SiC项目签约/动工/投产

  山东太航建筑设计有限公司等企业中标了新密市半导体产业园项目，将打造碳化硅全产业链。1月14日，据“豫基建”透露，山东太航建筑设计有限公司等企业中标了新密市半导体产业园项目，将打造碳化硅全产业链。

  行家说三代半

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  01/20 10:45

  SiC 碳化硅

  
• 国产SiC电驱突破100万台大关！已“上车”吉利多款车型

  2024年12月31日，据“威睿能源”官微消息，2024年，威睿电动在新能源领域取得了显著成就，特别是在SiC电驱产品方面——其SiC电驱产品成功突破100万台大关，800V碳化硅电驱的全面量产开启了规模交付的新时代。

  行家说三代半

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  01/17 08:55

  SiC 电驱系统

  
• 芯联集成：SiC营收突破10亿元

  1月15日，芯联集成发布2024年全年业绩预告，其中提到：“2024年，公司碳化硅业务实现收入超10亿元。” 芯联集成曾在2024Q3财报中披露，他们的“SiC功率模块量产和定点项目持续增加，已获得比亚迪、小鹏、蔚来、理想、广汽埃安等多家知名整车厂定点采购，且成功打入欧洲等海外市场，获得欧洲知名车企以及多家海外Tier1批量导入”。

  行家说三代半

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  01/16 08:58

  SiC 碳化硅

  
• “碳”索能源未来：SiC模块实战运用的32个问题，安富利已为您解答

  碳中和背景下，绿色能源市场迎来了诸多机遇。新能源发展已进入全新的阶段，风能、光能作为新能源领域的先锋力量，正在以快速的增长态势推动这场绿色能源革命。安富利携手安森美，精心策划“碳”索能源未来专题活动，分享碳化硅储能技术的最新趋势与解决方案，本期带大家回顾活动中的精彩瞬间~

  安富利

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  01/16 11:50

  SiC 绿色能源

  
• 罗姆功率半导体产品概要

  1.前言 近年来，全球耗电量逐年增加，在工业和交通运输领域的增长尤为显著。另外，以化石燃料为基础的火力发电和经济活动所产生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成为严重的社会问题。因此，为了实现零碳社会，努力提高能源利用效率并实现碳中和已成为全球共同的目标。 在这种背景下，罗姆致力于通过电子技术解决社会问题，专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键——功率半导体，并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过

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  01/14 07:12

  电动汽车 SiC

  
• 3家国产SiC企业获新订单，已输出海外

  2025年开年，3家国产SiC设备企业迎来“开门红”，先后宣布批量发货、输出海外。1月9日，中国电科48所官微宣布，旗下数台立式氧化炉于近日发往客户现场，实现批量发货。

  行家说三代半

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  01/14 08:34

  SiC

  
• 士兰微+清纯宣布联手：目标8吋、沟槽SiC MOS

  1月9日，清纯半导体官微消息，他们与士兰微电子2024年终总结会在杭州士兰微电子股份有限公司顺利举行。士兰微电子董事长陈向东与清纯半导体董事长张清纯及双方研发、运营和产线相关人员共同出席。

  行家说三代半

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  01/09 14:16

  SiC 士兰微

  
• 基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项

  得益于固态电路保护，直流母线电压为400V或以上的电气系统（由单相或三相电网电源或储能系统（ESS）供电）可提升自身的可靠性和弹性。在设计高电压固态电池断开开关时，需要考虑几项基本的设计决策。其中关键因素包括半导体技术、器件类型、热封装、器件耐用性以及电路中断期间的感应能量管理。在本文中，我们将讨论在选择功率半导体技术和定义高电压、高电流电池断开开关的半导体封装时的一些设计注意事项，以及表征系统的

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  843

  01/08 08:42

  SiC 开关电源

  
• 用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构

  一、引言在半导体制造业中，外延生长技术扮演着至关重要的角色。化学气相沉积（CVD）作为一种主流的外延生长方法，被广泛应用于制备高质量的外延片。而在CVD外延生长过程中，石墨托盘作为承载和支撑半导体衬底的关键组件，其结构和性能对外延片的质量具有决定性影响。本文将详细介绍一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构，探讨其设计特点、工作原理及在半导体制造中的应用优势。二、结构特点该CVD石墨托盘结构主

  万智光学

  420

  01/08 15:10

  半导体 SiC

  
• 8家SiC企业进入政府名单，最高或享500万补贴？

  首台（套）重大技术装备认定（即首台套认定）是国家及地方政府对首次研发并投入市场应用的重大技术装备进行官方认证，旨在鼓励企业技术创新和产业升级，推动高端装备制造业发展。获得认定的产品通常具有创新性、先进性和市场潜力，可享受政策支持和资金扶持，具有示范引领作用。

  行家说三代半

  1000

  01/07 08:54

  SiC SiC产业

  
• 钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置

  一、引言随着半导体技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种具有优异物理和化学性质的材料，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延片是实现高性能SiC器件制造的关键。钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置作为一种先进的生长设备，以其独特的结构和高效的生长性能，成为制备高质量SiC外延片的重要工具。本文将详细介绍钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置的结构、工作原

  万智光学

  795

  01/07 16:37

  半导体 SiC

  
• 2家SiC企业正筹备上市

  近日，“行家说三代半”发现，国内又有两家SiC企业正在筹备上市。12月28日，天岳先进发布了《关于授权公司管理层启动公司境外发行股份（H 股）并在香港联合交易所有限公司上市相关筹备工作的公告》。

  行家说三代半

  517

  01/06 12:25

  SiC 天岳先进
• 粉末纯度、SiC晶锭一致性……SiC制造都有哪些挑战？

  硅通常是半导体技术的基石。然而，硅也有局限性，尤其在电力电子领域，设计人员面临着越来越多的新难题。解决硅局限性的一种方法是使用宽禁带半导体。本文为白皮书第一部分，将重点介绍宽禁带半导体基础知识及碳化硅制造挑战。

  安森美半导体

  717

  01/06 11:55

  SiC 碳化硅

  
• 减少减薄碳化硅纹路的方法

  碳化硅（SiC）作为一种高性能半导体材料，因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率，在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过程中，碳化硅片的减薄是一个重要环节，它可以提高器件的散热性能，并有助于降低制造成本。然而，在减薄过程中，碳化硅表面往往会出现纹路，这些纹路不仅影响器件的外观质量，还可能对器件的电学性能和可靠性产生不利影响。因此，如何减少减薄碳化硅纹路成为了一个亟待

  万智光学

  505

  01/06 14:40

  半导体 SiC

  
• 检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的方法

   碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而，SiC外延晶片在生产过程中可能会引入微量的金属杂质，这些杂质对器件的性能和可靠性有着至关重要的影响。因此，开发高效、准确的检测方法以监控SiC外延晶片表面的痕量金属含量，对于保证产品质量和推进SiC技术的进一步发展具有重要意义。检测原理检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的

  万智光学

  446

  01/02 08:38

  半导体 SiC

  
• 8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构

   随着碳化硅（SiC）材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用，高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸，其外延生长室的结构设计直接关系到外延层的质量和生产效率。本文将详细介绍一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室的结构及其特点。结构概述8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构主要由以下几个部分组成：外延生长室、硬质保温层、导气管连接器、

  万智光学

  551

  2024/12/31

  半导体 SiC

  
• 沟槽结构碳化硅的外延填充方法

   一、引言沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层，以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中，不仅要保证外延层的填充率，还要避免空洞和缺陷的产生，从而确保器件的稳定性和可靠性。二、外延填充方法1. 实验准备在进行外延填充之前，首先需要通过实验确定外延生长和刻蚀的工艺参数。这通常包括使用与待填充的碳化硅正式片具有相同沟槽结构的生长实验片和刻蚀实验片进行试验。

  万智光学

  614

  2024/12/30

  半导体 SiC

  

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