Si IGBT 

• SiC很火爆，但可能不赚钱
  SiC宽带隙第三代半导体异常火爆，特别是1200V的SiCMOSFET有望取代目前常用的650V Si IGBT。不过火爆归火爆，但可能赚不到钱。

  佐思产研

  1079

  2021/11/29

  SiC SiC-MOSFET
• 新技术看点多 英飞凌展示多项产品应用
  二氧化碳传感器、能源和汽车应用的功率器件、智能门锁的系统级方案......不久前，在2021深圳国际电子展期间，英飞凌展示了该公司多项技术在多元化应用中的亮点。在现场，英飞凌的工作人员向与非网详细介绍了这些技术和产品。 二氧化碳传感器 这是英飞凌XENSIV系列下的气体传感器，采用最新的光声光谱技术。传感器内部给出特定

  陆楠

  600

  2021/10/20

  传感器 英飞凌

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