SOI

• SOI晶圆的结构、分类、优势、下游应用
  

  1. 什么是SOI技术？SOI（Silicon-On-Insulator）是一种半导体制造技术，其中硅晶圆的一部分被绝缘层（通常是二氧化硅）隔离开来，这样可以有效地减少寄生电容和漏电流，提升器件性能。

  老虎说芯

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  09/02 08:34

  SOI SOI技术
• 硅片和SOI哪个研究方向更好？
  硅片是半导体制造的基础，绝大多数的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insulator ）利用绝缘层将单晶硅薄膜与单晶硅片隔离开来。与单晶硅片相比，SOI可以减少寄生电容，漏电流等，是一项比较前沿的技术。

  TOM聊芯片智造

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  05/06 11:05

  硅片 SOI
• SEMI SOI 国际产业联盟宣布新任领导层和理事会，并公布最新活动
  

  SEMI（国际半导体产业协会）旗下的技术社区 SEMI SOI 国际产业联盟（SOIIC）正式宣布新任领导层和理事会成员。此外，SEMI SOI 国际产业联盟还公布了即将举行的最新 SOI 相关活动，活动主要面向芯片设计和开发者，以及 SOI 生态中的材料及设备厂商。 Soitec 现场技术负责人 Patrick Martin 先生当选为 SEMI SOI 国际产业联盟主席；格芯产品管理副总裁 J

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  2023/09/07

  半导体 SEMI
• 英飞凌推出CIPOS™ Mini IM523系列智能功率模块，提升中低功率驱动应用的性能和可靠性
  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了IM523系列高效智能功率模块（IPM），进一步壮大其CIPOS™ Mini家族的产品阵容。

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  2022/10/31

  英飞凌 Infineon
• 如何借助高均匀性的 SOI 优化衬底在 MEMS 中实现多种设计创新？
  微机电系统 (Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS) 是迄今最具潜力的 CMOS 传感器与驱动器电子器件集成解决方案。通过在 200mm 的单晶顶层硅下提供氧化埋层，SOI 衬底能够为创新的 MEMS 器件设计提供更多可能。

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  2022/04/21

  mems CMOS
• X-FAB宣布升级其衬底耦合分析工具，将BCD-on-SOI工艺纳入其中
  全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，扩展其SubstrateXtractor工具应用范围，让用户可以借助这一工具检查不想要的衬底耦合效应。

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  2022/04/21

  晶圆代工厂 X-FAB
• pSemi推出业界首款支持高达67GHz频段的5G毫米波开关
  村田旗下公司、专注于半导体集成技术的pSemi® Corporation推出业界首款用于支持高达67 GHz的高频应用的单刀四掷开关，进一步扩大该公司旗下的射频 SOI产品组合。

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  2022/03/22

  转换器 频段
• 硅光子赋能量子计算和光神经网络，助飞计算新时代
  在过去二十年间，绝缘体上硅（SOI）衬底技术一直是硅光子集成电路的重要基石。SOI 不仅助力硅光子在数据中心互连领域获得商业成功，也助推了高速光收发器的大规模应用。

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  2022/03/22

  集成电路 硅光子
• 上海微系统所在硅基碳化硅异质集成XOI领域取得重要进展
  与非网讯 近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所欧欣团队和华东师范大学合作，采用高质量碳化硅（SiC）薄膜与氧化硅衬底高强度异质集成方法，结合飞秒激光光刻技术，验证了极低光学损耗的硅基碳化硅单晶薄膜（SiCOI）

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  2021/07/23

  SiC 碳化硅
• 从Soitec年度展望看半导体材料发展动向
  半导体行业正在面临新的挑战，包括性能、功耗、尺寸和上市时间，眼前的挑战是如何超越摩尔定律，包括建立新型体系架构，搭建包括3D在内的新型器件结构，研发出合适的新型材料，找到缩减尺寸的新方法及满足需求的先进的封装技术。

  陆楠

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  2021/03/09

  与非观察 半导体材料
• 芯报丨高通将收购NUVIA
  聚焦:人工智能、芯片等行业

  AI芯天下

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  2021/01/18

  集成电路 高通
• RF-SOI 需求增大，供应商表现亮眼
  半导体产业经历2019上半年的衰退后，下半年在库存逐渐去化及市场需求旺季效应下情况略显好转，也让供应链厂商期望2020年能迎来市场需求的反转。

  拓墣产业研究

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  2019/11/22

  LTE 5G商用
• 三大SOI生成方法，以Smart-Cut技术独步群雄
  由于半导体发展趋势，在相同晶圆面积下填入更多晶体管，势必使线宽逐渐微缩，但尺寸微缩却有限制，其闸极线宽极限约在3～5nm间(线宽愈小则电阻值愈大)，使得科学家试图找寻在不微缩线宽尺寸下，如何以相同的制程方式提升元件效率，突破摩尔定律限制，而SOI(Silicon on Insulator)硅晶绝缘体技术，即为解决方法之一。

  拓墣产业研究

  407

  2019/05/15

  晶体管 SOI

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