SMPS_SMPS资讯 - 与非网

英飞凌推出EiceDRIVER™ 125 V高边栅极驱动器在发生故障时保护电池驱动应用

在电机驱动和开关模式电源（SMPS）等电池供电应用中，电源架构通常要求在模块发生故障时能够断开该模块与主电源轨的连接。为实现这一功能，往往会采用MOSFET等高边断开开关，以防止负载短路影响电池。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出EiceDRIVER™ 1EDL8011，这款高边栅极驱动器能够在发生故障时保护电池供电应用，例如无绳电动工具、机器人、电动自行

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10/25 07:06

MOSFET 半导体器件

非常见问题解答第222期：开关模式电源问题分析及其纠正措施：晶体管时序和自举电容问题

作者：Abe Ibraheim，核心应用部实习生， Kenneth Armijo，核心应用部工程师， Piyu Dhaker，资深工程师问题当输入和输出电压接近时，为什么难以获得稳定的输出电压？回答占空比过大或过小（尤其是在高开关频率下）可能会导致时序不符合规格要求，进而造成系统性能下降。摘要本文是系列文章中的第三篇，该系列文章将讨论常见的开关模式电源(SMPS)的设计问题及其纠正方案

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10/17 09:07

转换器 SMPS

非常见问题解答第220期：开关模式电源问题分析及其纠正措施：电感器不符合规格要求

问题为什么我的电源会出现振铃和过热？回答电感器尺寸不当和超出电感饱和电流额定值可能会导致DC-DC转换器出现多种问题，其中两个问题是振铃和过热。摘要本文是系列文章中的第一篇，该系列文章将讨论常见的开关模式电源(SMPS)的设计问题及其纠正方案。本文旨在解决DC-DC开关稳压器的功率级设计中面临的复杂难题，重点分析电感问题。设计人员为了获得各种优势，例如减少输出纹波和尽量缩减解决方案尺寸，

亚德诺半导体

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08/08 14:54

稳压器电感器

Nexperia的650 V两种超快速恢复整流二极管采用D2PAK真双引脚封装

封装配置使整流二极管符合更高的爬电距离和电气间隙标准 Nexperia今天推出了采用D2 PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管，可用于各种工业和消费应用，包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式电源 (SMPS)。这些整流二极管结合了平面芯片技术和最先进的结高压终端 (JTE) 设计，具有高功率密度、快速开关时间、软恢复能力和出色的可靠性。它们采用D

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07/10 07:30

封装 Nexperia

英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET

小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广泛适用于各种应用，如服务器、通信、便携式充电器和无线充电器中开关电源（SMPS）里的同步整流等。此外，新产品在无人机中还可应用于小型无刷电机的电子速度控制器等。

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2023/08/03

半导体行业 MOSFET

英飞凌全新ISOFACE™数字隔离器产品组合可实现稳健的高压隔离、出色的效率和领先的抗噪能力

数字隔离器凭借经过优化的系统物料清单（BOM）、更小的PCB占板面积以及精准的定时特性和低功耗等诸多优点，成为许多现代化设计的首选。此外，数字隔离器还具有更高的共模瞬态抗扰度（CMTI）、经过认证的绝缘寿命、集成功能和输出使能选项。为了满足市场对稳健高压隔离产品日益增长的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了第一代ISOFACE™双通道数字隔离器，这款

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3485

2023/07/03

工业自动化数字隔离器

为什么非常稳定的开关模式电源仍可能由于负电阻而产生振荡

问题：为什么稳定的开关模式电源仍会产生振荡？答案：非常稳定的开关模式电源(SMPS)仍可能由于其在输出端的负电阻而产生振荡。在输入端，可以将SMPS看作一个小信号负电阻。其与输入电感和输入端电容一起可形成一个无阻尼振荡电路。本文将就这一问题的分析和解决方案进行探讨。将LTspice®用于仿真。简介开关模式调节器的功能是，以最有效的方式将输入电压转换为经调整的恒定输出电压。这个过程会有些

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2023/06/05

电阻 SMPS

英飞凌推出新一代双通道隔离栅极驱动器IC，提升SMPS设计的系统性能

如今，3.3 kW的开关电源（SMPS）通过采用图腾柱PFC级中的超结（SJ硅）功率MOSFET和碳化硅（SiC）功率MOSFET，以及能够满足高压DC-DC功率转换要求的氮化镓（GaN）功率开关等最新技术，使得功率密度可以达到100 W/inch3。PFC和DC-DC的数字控制与出色的栅极驱动解决方案一样，对于提高能效和增强鲁棒性至关重要。为了满足最新的设计和应用需求，英飞凌科技股份公司（FSE

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2023/05/15

英飞凌 Infineon

英飞凌推出950 V CoolMOS™ PFD7系列，内置集成的快速体二极管

为了满足当今市场对产品小型化、高能效的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的CoolMOS™ PFD7高压MOSFET系列，为950V 超结（SJ）技术树立了新的行业标准。

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2022/11/08

英飞凌二极管

意法半导体推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效

意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。