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SK海力士

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Hynix 海力士芯片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存,2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。2019年9月5日,SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。2022年8月,媒体报道,海力士计划在美国新建先进芯片封装厂,预计明年第一季度破土动工。

Hynix 海力士芯片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存,2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。2019年9月5日,SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。2022年8月,媒体报道,海力士计划在美国新建先进芯片封装厂,预计明年第一季度破土动工。收起

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  • SK高管地震!SK海力士CEO将晋升
    SK高管地震!SK海力士CEO将晋升
    本周SK集团高管将改组,商界普遍认为,人事变动范围不会很大,去年年末人事变动中有四名副总裁辞职,全年对下属企业进行了人事变动。然而,由于业务重组而导致的组织瘦身预计是不可避免的。
  • 服务器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM产业营收季增13.6%
    服务器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM产业营收季增13.6%
    2024年第三季DRAM(内存)产业营收为260.2亿美元,季增13.6%。受到大陆手机制造商去化库存及部分DRAM供应商扩产影响,尽管前三大DRAM原厂LPDDR4及DDR4出货量下降,但供应数据中心的DDR5及HBM(高带宽内存)需求上升。平均销售单价部分,三大原厂延续前一季的上涨趋势,加上HBM持续挤压整体DRAM产能,合约价于第三季达成8%至13%的涨幅。 展望2024年第四季,Trend
  • SK海力士开始量产321层NAND,明年上半年供货
    SK海力士开始量产321层NAND,明年上半年供货
    SK海力士11月21日宣布,已开始量产全球最高321层1Tb(Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存,预计明年上半年供货。SK海力士表示,“2023年6月,我们公司已经量产并向市场供应了上一代最高水平的238层NAND产品,而这一次,我们是第一个推出超过300层的NAND,突破技术极限。我们将通过向客户提供产品来响应市场需求。”
  • 加码HBM!SK海力士Q3借款超1100亿!
    加码HBM!SK海力士Q3借款超1100亿!
    在内存半导体市场存在不确定性的情况下,SK海力士通过主导高带宽内存(HBM)市场提升了业绩,该公司正基于其现金生成能力的增强而专注于债务管理。今年,值得注意的是现金持有量稳步增加,而借款也大幅减少。为了应对人工智能(AI)存储器市场,今明两年的设备投资较去年大幅扩大的可能性很大,而且还计划投资建立新的生产基地,看来公司正在先发制人地加快改善财务结构。
  • SK海力士NAND市占将首超20%
    SK海力士NAND市占将首超20%
    SK海力士今年全球NAND闪存市场份额预计将首次超过20%。SK集团会长崔泰源已决定亲自负责NAND业务,因此缩小与第一名三星电子差距的工作预计将加快。
  • 研报 |TrendForce: SK hynix率先推出HBM3e 16hi产品,推升位元容量上限
    研报 |TrendForce: SK hynix率先推出HBM3e 16hi产品,推升位元容量上限
    SK hynix(SK海力士)近日在SK AI Summit 2024活动透露其正在开发HBM3e 16hi产品,每颗HBM芯片容量为48GB,预计在2025年上半年送样。根据TrendForce集邦咨询最新研究,这款新产品的潜在应用包括CSP(云端服务业者)自行研发的ASIC和general purpose GPU(通用型GPU),有望在HBM4世代量产前,提早于HBM3e世代推升位元容量上限。
  • SK hynix率先推出HBM3e 16hi产品,推升位元容量上限
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  • SK海力士HBM4E将导入混合键合技术
    SK海力士HBM4E将导入混合键合技术
    SK 海力士从第七代高带宽存储器(HBM4E)开始应用“混合键合”。混合键合是一种直接用铜连接DRAM顶部和底部的技术。由于它不需要HBM目前使用的微凸块(焊球)和键合材料,因此有望给半导体行业带来重大变化。
  • 突发!SK海力士员工被诈骗
    突发!SK海力士员工被诈骗
    据Sunday Newspaper i'报道,SK海力士并未针对Gallery K投资欺诈案采取法律行动。SK海力士相关人士表示,“我们不会就Gallery K投资欺诈事件提起诉讼,我们将继续通过SK Histek与IFA协商,以采取针对损害的行动。”
  • 三星SK海力士明年下半年量产12层HBM4
    三星SK海力士明年下半年量产12层HBM4
    据相关行业人士11月9日透露,三星电子和SK海力士计划从明年下半年开始量产12层HBM4。半导体公司计划从 HBM4 开始认真应用新工艺“混合键合”。哪家公司首先稳定应用混合键合技术将决定HBM4市场的胜负。
  • SK海力士发百万专利奖金
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    SK海力士11月8日宣布,在位于京畿道利川市的总部举行了“第六届创新专利奖”颁奖典礼。与获奖者一起,金东燮社长(负责对外合作)、企业中心社长宋贤钟、金周善社长(负责AI基础设施)等主要高管出席了此次活动。
  • 产业丨AI半导体热潮中升温,SK海力士年度营业利润或超三星
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    当前,英伟达的GPU终于确立了HBM技术的领先地位,整个行业正紧随其后,加速HBM技术的发展。在AI硬件竞争的激烈角逐中,时间等同于生命,任何落后都可能导致被淘汰的命运。在HBM技术发展的道路上,一场无形的较量正在激烈进行,同时也标志着芯片市场竞争格局的重新塑造。
  • 三星 VS SK海力士:朝鲜半岛的另一场硬仗
    三星 VS SK海力士:朝鲜半岛的另一场硬仗
    韩国交易所27日发布的数据显示,三星电子和SK海力士的市值份额差距缩至近13年来的最小水平。具体来看,以10月25日为准,三星电子普通股市值为333.71万亿韩元(约合人民币1.7万亿元),占韩国综指(KOSPI)整体市值的15.85%,降至近8年多的最低水平;SK海力士普通股市值为146.328万亿韩元,占KOSPI的6.95%,创下历史新高。
  • SK海力士Q3业绩又创新高,HBM销额暴涨330%
    SK海力士Q3业绩又创新高,HBM销额暴涨330%
    受高带宽内存和HBM的影响,SK海力士今年第三季度的销售额、营业利润和净利润均创历史新高。预计将消除人们对最近一些人提出的“半导体冬天论”引发的存储器行业可能再次衰退的担忧。
  • SK海力士大砍CIS业务
    SK海力士大砍CIS业务
    最新消息,SK海力士正在削减其业务生存能力较低的图像传感器和代工业务,通过加强对业务的选择和集中战略,专注于高利润的高带宽存储器(HBM)和AI存储器。
  • 芯片技术泄密!又有4人被捕入狱!
    10月18日,韩国首尔高等法院刑事第七庭(审判长李在权、宋美京、金瑟琪)判处SK海力士合作公司副社长A先生1年有期徒刑,并因违反《工业技术泄密防止及保护法》被起诉,并入狱 6 个月。这一刑罚比一审判处的有期徒刑一年更为严厉。
  • SK海力士等又获大单
    SK海力士等又获大单
    据确认,SK海力士已恢复向Meta(前Facebook)供应数据中心用固态硬盘(SSD)。与 Fadu合作赢得的项目因 Meta 延迟订购而暂停了约 1 年零 3 个月,但最近似乎已重回正轨。
  • SK海力士Q3利润将超过三星半导体
    SK海力士Q3利润将超过三星半导体
    随着三星电子10月8日公布第三季度临时财报,人们关注与SK海力士的营业利润差距将如何扩大。SK海力士凭借高带宽内存(HBM)有望创下历史最高业绩,但三星不仅在内存领域,而且在非内存半导体领域也受到阻碍,因此两者季度营业利润存在差异企业预计将突破1万亿韩元。
  • SK海力士HBM生产效率高8.8倍,三星、美光又被狠甩!
    SK海力士HBM生产效率高8.8倍,三星、美光又被狠甩!
    9月25日(当地时间)在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心一张幻灯片一发布,会议室里的半导体行业人士就议论纷纷。这是因为 SK 海力士披露了有关其高带宽内存(HBM)的重要信息——“TAT 8.8 :1。”
  • 存储大厂再起飞!
    存储大厂再起飞!
    9月25日,存储大厂SK海力士宣布,率先量产12层堆叠HBM3E,并预计将在年内向客户提供产品。SK海力士指出,12层HBM3E在面向AI的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水平。

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