SBD

• 湖南三安SiC SBD累计出货量突破2亿颗
  

  1月24-26日，湖南三安携8英寸碳化硅（SiC）晶碇、衬底、外延，车规级SiC二极管、MOSFET产品，以及多场景应用解决方案亮相第38届日本国际电子展NEPCON JAPAN 2024。

  化合物半导体市场

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  01/30 09:30

  SiC 碳化硅
• ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
  

  非常适用于汽车LED前照灯等高速开关应用 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。 二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD，其VF低于平面结构的SBD，因此可以在整流等应用中提高效率。而普通沟槽MOS

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  2017

  01/23 14:05

  二极管 ROHM
• SiC器件，中外现况
  

  近年来，以碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体材料备受关注，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。 碳化硅器件按照电阻性能的不同，可以分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。 ①导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括SBD（肖

  史德志

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  2023/12/08

  与非研究院 MOS
• Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD)
  Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120 系列，共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。 这些宽带隙 SBD 的优点包

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  2023/02/08

  二极管 Diodes
• 在车载市场中拥有丰硕业绩的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”产品
  全球知名半导体制造商ROHM开发出小型高效的肖特基势垒二极管“RBR系列”共12款产品，“RBQ系列”共12款产品，这些产品非常适用于车载设备、工业设备和消费电子设备等各种电路的整流和保护。

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  2021/08/05

  ROHM 肖特基势垒二极管
• 肖特基二极管常见型号及参数
  肖特基二极管是一种具有高速、低噪声和低驱动电压等特点的半导体器件，广泛应用于射频电路、微波电路、功率放大器等领域。

  eefocus_3781508

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  2020/12/31

  二极管 肖特基二极管

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