先进封装技术之争 | RDL线宽线距将破亚微米,赋能扇出封装高效能低成本集成
随着先进封装的深入进展,重新分布层(RDL)技术获得了巨大的关注。这种革命性的封装技术改变了我们封装 IC 的方式。RDL 技术是先进封装异质集成的基础,广泛应用扇出封装、扇出基板上芯片、扇出层叠封装、硅光子学和 2.5D/3D 集成方法,实现了更小、更快和更高效的芯片设计。OSAT、 IDM和代工厂在这条道上的竞争日益激烈。如今RDL L/S 扩展到最先进 2μm及以下。未来三年将进入亚微米,赋能扇出封装更高效能集成。本文为各位看官汇报了相关趋势展望与企业技术进展。