PMOS

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PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor;别名 : positive MOS。

PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor;别名 : positive MOS。收起

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  • 为什么PMOS总比NMOS"胖"?
    在CMOS逻辑工艺中,匹配NMOS和PMOS晶体管的开启速度至关重要,以确保对称开关特性、波形完整性、信号质量和可靠性。主要通过尺寸调整、工艺优化和设计技术协同优化来实现。具体措施包括增大PMOS宽度、利用应变硅技术和调整鳍的数量。最终目标是让逻辑门的上拉和下拉能力对称,以实现最优电路性能。
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    08/19 11:31
    为什么PMOS总比NMOS"胖"?
  • 用PMOS搭建一个电源端防反接电路,附带仿真原理图和仿真验证结果
    在电子设计中,电源接反是个“老大难”问题,轻则烧元件,重则全军覆没。而PMOS防反接电路以其简洁高效,成为了电路设计的“护城河”。接下来我们就从原理设计结合仿真验证看看电路的防反效果。
    用PMOS搭建一个电源端防反接电路,附带仿真原理图和仿真验证结果
  • PMOS NBTI效应,从失效原理到主流工艺改善!
    近年来,随着半导体工业的不断发展,集成电路设计及制造工艺取得了非常巨大的进步,越来越多的先进技术运用到集成电路制造工艺中,促进了集成电路尺寸的微缩。随着器件尺寸的不断缩小,尤其是进入先进技术节点之后,器件可靠性问题日趋严重,对器件的进一步微缩构成的很大挑战。其中PMOS负偏压温度不稳定性(Negative bias temperature instability, NBTI)尤为突出,严重限制了PMOS器件寿命,已成为器件微缩时比较棘手的问题之一。
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    04/28 12:05
    PMOS NBTI效应,从失效原理到主流工艺改善!
  • 手把手教你用PMOS搭建一个电源端反接保护电路,1000字搞清楚每个器件的选型
    下面是一个反接保护电路,用在12V电源输入端,保护后级负载不被电源接反给“坑”了。这个电路的核心任务是防止电源正负极接反时,电流反向流到负载,把后级电路烧坏。
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  • PMOS与NMOS的工作原理
    学员问:PMOS与NMOS是如何工作的?什么是PMOS与NMOS?此处以增强型PMOS,NMOS为例,通常说的MOS管说的都是增强型MOS管。
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    03/10 16:12
    PMOS与NMOS的工作原理
  • 用4200A和矩阵开关搭建自动智能的可靠性评估平台
    在现代ULSI电路中沟道热载流子(CHC)诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时,热载流子(动能非常高的载流子)由于原子能级碰撞的冲击电离,可以在漏极附近产生电子—空穴对。其他的可以注入栅极通道界面,打破Si-H键,增加界面态密度。CHC的影响是器件参数的时间相关的退化,如VT、IDLIN和IDSAT。这种通道热载流子
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  • 数字逻辑电路之逻辑门非逻辑
    在数字电路中,基础逻辑门最后一个为非门,非门又叫反向器,是将输入信号取反然后输出。
    2.6万
    2024/07/30
  • 超宽电压,“丝”级精度——南芯科技推出车规级电子保险丝SC77010BQ
    南芯科技(证券代码:688484)宣布推出车规级电子保险丝 (eFuse) SC77010BQ/SC77010Q,凭借 60V 的超宽工作电压和高精度电流检测能力,为客户下一代汽车电子应用提供灵活可靠的安全保障。SC77010BQ 符合 AEC-Q100 标准,可配置容性负载软启动及 Limphome 跛行模式,并支持过流、过温、欠压以及 MOSFET 饱和等多种系统保护和诊断功能。该产品现已大规
    超宽电压,“丝”级精度——南芯科技推出车规级电子保险丝SC77010BQ
  • AMEYA360代理:纳芯微NSOPA240x系列破解旋转变压器之“难”
    随着市场对高精度、高性能电机控制技术的不断追求,旋转变压器作为其核心部件之一,其精确测量角度位置和转速的能力显得尤为重要。 然而,旋转变压器驱动电路的特殊要求一直是行业发展的技术瓶颈。为解决这一挑战,纳芯微近日发布了全新的NSOPA240x系列运算放大器,旨在简化电路设计并提高系统鲁棒性,为旋转变压器驱动应用带来创新性的解决方案。 旋转变压器作为一种电磁式传感器,可用来精确测量角度位置和转速,在工
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    2024/06/17
  • ADALM2000实验:CMOS逻辑电路、D型锁存器
    目标 本实验活动的目标是进一步强化上一个实验活动“ADALM2000实验:使用CD4007阵列构建CMOS逻辑功能”中探讨的CMOS逻辑基本原理,并获取更多使用复杂CMOS门级电路的经验。具体而言,您将了解如何使用CMOS传输门和CMOS反相器来构建D型触发器或锁存器。 背景知识 为了在本实验活动中构建逻辑功能,需要使用ADALP2000模拟部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和
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    2023/06/09
    ADALM2000实验:CMOS逻辑电路、D型锁存器
  • ADALM2000实验:CMOS逻辑电路、传输门XOR
    目标 本实验活动的目标是进一步强化上一个实验活动“使用CD4007阵列构建CMOS逻辑功能”中探讨的CMOS逻辑基本原理,并获取更多使用复杂CMOS门级电路的经验。具体而言,您将了解如何使用CMOS传输门和CMOS反相器来构建传输门异或(XOR)和异或非逻辑功能。 背景知识 为了在本实验活动中构建逻辑功能,需要使用ADALP2000模拟部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMO
    ADALM2000实验:CMOS逻辑电路、传输门XOR
  • 电子和空穴——为什么在同等电流下PMOS的尺寸要比NMOS的大?
    自然界的基本构造单元是原子,而原子又是由质子,中子和电子组成的。质子带正电,中子不带电,电子不带电。质子和中子集中在原子核中,电子围绕原子核运动,且是在固定的轨道上。
  • 两个PMOS管背靠背用法详解
    这篇文章来自于微信群的一次交流,主角就是下面的这个电路。
  • 灰常实用的一键开关机电路,各位大佬进来mark一下?
    今天我们只探索软件配合机制,下面是之前发过的非常不错的软件驱动程序,推荐学习!
  • PMOS过压保护电路
    我最近在翻很早之前的一些交流材料,这份材料应该是2011年的时候和周岩探讨大巴和卡车的脉冲抑制的时候考虑的。有一个很有趣的事情,就是说,我们是否要考虑CMU对应和管理不同电源电压下对于不同电压的情况。
  • pmos和nmos的区别
    在集成电路设计中,PMOS(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor)和NMOS(N-channel Metal-Oxide-Semiconductor)是两种基本的MOS场效应晶体管。它们在工作原理、电压极性、导通特性等方面有着明显的区别。
  • cmos、nmos、pmos的区别与联系有哪些
    CMOS、NMOS和PMOS是三种常见的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)实现逻辑门的方式。下面我们将分析它们之间的区别与联系。 1. CMOS、NMOS和PMOS的基本原理 CMOS:CMOS电路由一对互补的NMOS和PMOS晶体管组成。NMOS晶体管只在输入为高电平时导通(开),而PMOS晶体管只在输入为低电平时导通。这种互补特性使得CMOS电路具有低功耗、高噪声抑制能力和良好的抗干
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    07/23 13:31
  • PMOS管和NMOS管的区别
    1. PMOS管 掺杂类型:PMOS管中,沟道为P型,也就是在P型半导体中形成导电通道。 电子流动:PMOS管中,电子从N型源极注入到P型沟道,然后通过漏极流出。 电压控制:PMOS管的导通受负电压控制,当栅极施加正电压时,PMOS管导通;当栅极施加负电压时,PMOS管截止。 逻辑电平:在数字电路中,PMOS管通常用于实现负逻辑(即高电平对应0,低电平对应1)。 2. NMOS管 掺杂类型:NMO
    2023
    03/13 08:33
  • 一文详解NMOS逆变器和PMOS逆变器
    在数字电路设计中,NMOS逆变器和PMOS逆变器是常见的基本逻辑门电路。它们是使用场效应晶体管(MOSFET)构建的逆变器电路,用于反转输入信号。本文将探讨NMOS逆变器和PMOS逆变器的原理、特点和应用。
  • cmos和nmos以及pmos的区别
    CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)、NMOS(N-type Metal-Oxide-Semiconductor)和PMOS(P-type Metal-Oxide-Semiconductor)是三种常见的MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)器件类型。
    1.3万
    2024/11/28

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