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Nexperia是一款飞利浦推出的个人媒体播放器,是以飞利浦Nexperia PNX1500媒体处理器为基础,该设计提供了高分辨率视讯录制和回放,并且可以连接PC和家庭娱乐系统。

Nexperia是一款飞利浦推出的个人媒体播放器,是以飞利浦Nexperia PNX1500媒体处理器为基础,该设计提供了高分辨率视讯录制和回放,并且可以连接PC和家庭娱乐系统。收起

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    Nexperia宣布推出一系列高性能栅极驱动器IC,可用于驱动同步降压或半桥配置中的高边和低边N沟道MOSFET。这些驱动器包含车规级和工业级版本,性能上兼具高电流输出和出色的动态性能,可大幅提高应用效率和鲁棒性。其中,NGD4300-Q100达到车规级标准,非常适合电动助力转向和电源转换器应用;NGD4300则设计用于消费类设备、服务器和电信设备中的DC-DC转换器以及各种工业应用中的微型逆变器
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    Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器,进一步壮大其不断扩展的电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基于GaN的反激式转换器而设计,用于PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式插座、条形插座、工业电源和辅助电源等设备以及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用。​ NEX806xx/NEX808xx是准谐振/多模反激式控制器,可在宽VCC
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    Nexperia今天宣布推出NXF6501-Q100、NXF6505A-Q100和NXF6505B-Q100。这些是符合AEC-Q100标准的推挽式变压器驱动器,可用于设计小型、低噪音和低EMI的隔离电源,适用于牵引逆变器和电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统和电动汽车(EV)中的车载充电器等一系列汽车应用。这些变压器驱动器还适用于电信、医疗应用、仪器仪表和工业自动化设备、太阳能逆变器、电表和
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    Nexperia今日宣布推出采用微型DFN封装的单和双小信号MOSFET器件,分别采用DFN1110D-3和DFN1412-6封装,且符合汽车可靠性标准。特别是DFN1110D-3封装得到了越来越广泛的应用,在用于汽车应用的晶体管和MOSFET的行业中成为“基准”封装。 DFN1110D-3和DFN1412-6属于无引脚封装,具有出色的热性能,从结到环境的热阻(Rthj-s )降低了近50%,并采
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    Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT)产品组合再次扩展,推出采用DFN2020D-3封装的十款标准产品和十款汽车级产品。这些新器件的额定电压为50 V和80 V,支持NPN和PNP极性的1 A至3 A电流范围,进一步巩固了Nexperia作为市场领先供应商的地位。通过此次发布,Nexperia通过DFN封装提供了其大部分的功率BJT,可满足设计人员对节省空间和能源的封装的
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    Nexperia宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低R​DS(on)​和低Q​rr​进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用以及各种电信、电机控制和其他工业设备中提供高效率和低尖峰。设
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    08/07 07:52
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    基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出NPS3102A和NPS3102B电子保险丝(eFuse),进一步扩充其不断发展的功率器件产品组合。这些低电阻(17 mΩ)、大电流(13.5 A)、可复位的电子保险丝有助于保护下游负载,不受过高电压的影响,同时还可以保护电源免受负载故障和大浪涌电流的影响。这些eFuse设计用于各种12V热插拔应用,包括数据中心中的企业通信和存储设备,
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    封装配置使整流二极管符合更高的爬电距离和电气间隙标准 Nexperia今天推出了采用D2 PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管,可用于各种工业和消费应用,包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式电源 (SMPS)。 这些整流二极管结合了平面芯片技术和最先进的结高压终端 (JTE) 设计,具有高功率密度、快速开关时间、软恢复能力和出色的可靠性。它们采用D
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    Nexperia宣布,其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q),并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装,适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用。此外,为了进一步扩展其SiC二极管产品组合,Nexperia现还提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A、16 A和20 A的工业级器件,以
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    Nexperia今天宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品,它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、6
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    Nexperia再次在APEC上展示产品创新,今天宣布发布几款新型MOSFET,以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围,可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET),采用DFN2020封装,体积缩小60%,以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET PoE交换机通常有多达4
  • Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管
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    基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布,现可提供采用CFP3-HP封装的22种新型平面肖特基二极管产品组合。该产品组合包括11种工业产品以及11种符合AEC-Q101标准的产品。本次产品发布是为了支持制造商以更小尺寸的CFP封装器件取代SMx型封装器件的发展趋势,特别是在汽车应用中。这些二极管适用于DC-DC转换、续流、反极性保护和OR-ing(打嗝)应用等。 为尽可能实现设计
  • Nexperia推出新款LCD偏压电源IC,助力显示设备实现高性能表现
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    Nexperia今日宣布推出全新的具有节省空间、高效率特性的两路输出LCD偏压电源系列产品。该系列产品旨在延长薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板的寿命。TFT-LCD面板广泛应用于各种应用中,包括智能手机、平板电脑、VR头显和LCD模块。 NEX10000为80 mA两路输出LCD偏压电源,而NEX10001可提供高达220 mA的输出电流。这两款器件均可用I²C编程两路电压输出,仅需一个
  • Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET
    Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET
    基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件,该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装,为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。
  • Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准
    Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准
    基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件,RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品,随后Nexperia将持续扩大产品阵容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。

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