NMOS

• Npass gate transistor是什么器件？

  本文介绍了N-channel pass-gate transistor这一器件及其工作原理。该器件类似于NMOS管，但在衬底和源极之间没有连接，导致其具有独特的电平转换特性。通过对比NMOS管和N-passgate器件的结构差异，解释了其工作机制，并展示了如何利用该器件进行电平转换。最后，作者强调了深入了解基础器件的重要性，以便更好地应对技术挑战。

  大话硬件

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  09/25 14:30

  MOSFET NMOS

  
• XU9238 开关型升压恒压驱动器，需要外置NMOS完成Boost直流升压IC

  芯片型号XU9238 产品参数 封装：SOP8 输入电压：3.3V--32V 输出电压：ADJ（外置MOS） 电流限制：限流功能 工作频率：75KHz 静态电流：2mA 产品概述 这是一款开关型升压恒压驱动器，需要外置NMOS完成Boost直流升压，可工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整度。安全保护机制包括每周期的峰值限流、软启动、过压保护和温度保护。芯片内置了大电流的驱动MOS，可以驱动

  科芯创展

  848

  09/10 10:29

  驱动器 直流
• 为什么PMOS总比NMOS"胖"？

  在CMOS逻辑工艺中，匹配NMOS和PMOS晶体管的开启速度至关重要，以确保对称开关特性、波形完整性、信号质量和可靠性。主要通过尺寸调整、工艺优化和设计技术协同优化来实现。具体措施包括增大PMOS宽度、利用应变硅技术和调整鳍的数量。最终目标是让逻辑门的上拉和下拉能力对称，以实现最优电路性能。

  国芯制造

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  08/19 11:31

  NMOS PMOS

  
• PMOS与NMOS的工作原理

  学员问：PMOS与NMOS是如何工作的？什么是PMOS与NMOS？此处以增强型PMOS,NMOS为例，通常说的MOS管说的都是增强型MOS管。

  TOM聊芯片智造

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  03/10 16:12

  NMOS PMOS

  
• 芯品速递 | 希荻微推出汽车单通道30mΩ和50mΩ低边开关芯片

  希荻微电子集团股份有限公司（股票代码: 688173，以下简称“希荻微”）是一家模拟及电源管理的集成电路设计商，专注于高效节能及智能系统。希荻微近日推出两款新产品——HL85103L和HL85105L。这两款高性能单通道低边开关芯片均集成了NMOS功率FET，旨在为用户提供卓越的保护和可靠性，特别适用于电阻或电感负载，一侧连接到电池的应用场景。 卓越的保护功能 HL85103L和HL85105L均

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  02/19 08:42

  集成电路 NMOS

  
• 大功率电路负载电流驱动中，为什么都是用NMOS并联，而不是PMOS呢？

  我们都知道，MOSFET按工作模式可以分为PMOS（P沟道金属氧化物半导体）和NMOS（N沟道金属氧化物半导体）晶体管，这些晶体管由四个部分组成：源极 (S) 、漏极 (D) 、栅极 (G)和衬底（体），PMOS和NMOS 晶体管用作压控开关或放大，根据栅极电压控制源极和漏极之间的电流流动。主要区别在于负责电流流动的电荷载流子的类型：PMOS中的空穴（正电荷）和NMOS中的电子（负电荷） 。

  硬件那点事儿

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  2024/12/11

  NMOS 负载电流

  
• 用4200A和矩阵开关搭建自动智能的可靠性评估平台

  在现代ULSI电路中沟道热载流子（CHC）诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时，热载流子（动能非常高的载流子）由于原子能级碰撞的冲击电离，可以在漏极附近产生电子—空穴对。其他的可以注入栅极通道界面，打破Si-H键，增加界面态密度。CHC的影响是器件参数的时间相关的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。这种通道热载流子

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  2024/12/11

  NMOS 编辑器

  
• 数字逻辑电路之逻辑门非逻辑

  在数字电路中，基础逻辑门最后一个为非门，非门又叫反向器，是将输入信号取反然后输出。

  芯片小芯

  2.6万

  2024/07/30

  电路 CMOS
• 支持Qi和 AirFuel的双标准无线充电天线和有源整流系统

  摘要：本文提出一个兼容AirFuel 和 Qi两大无线充电标准的无线充电 (WPT) 天线配置和有源整流电路，并用Cadence Virtuoso 仿真工具评测了天线配置的性能，电路仿真所用的线圈参数是目前市场上销售的线圈的实际测量数据。我们将仿真结果与目前最先进的天线技术进行了对比和比较，验证了这个天线配置的优势。本文提出的有源整流器电路采用 90 nm BCD 工艺设计，并能够根据工作频率重新

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  2024/05/17

  无线充电 天线

  
• 《硬件设计指南 从器件认知到手机基带设计》解析：1300字，NMOS LDO原理！

  图2-16是一个NMOS LDO的基本框图，在1.4节中已经介绍了NMOS特点，在开关结构电源中MOS是工作在开关状态，在LDO电源中MOS工作在饱和区，注意：LDO一定是工作在饱和区（特殊情况会在可变电阻区），所以VG要大于VS，因此NMOS LDO除了有Vi引脚，一般还会有个Vbias引脚来给MOS的G极提供高压驱动源；或者只有一个Vi，而LDO内部集成了CHARGE BUMP (电荷泵)来为G极提供高压驱动源。

  工程师看海

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  2024/04/11

  硬件设计 LDO

  
• 为啥CMOS反相器要优于NMOS反相器呢？

  为啥又看反相器呢，因为想做PLL，锁相环里有PD，PD里面有锁存器，锁存器里有NAND，而NAND里又是基于反相器。所以喽。

  加油射频工程师

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  2022/10/31

  CMOS NMOS
• 学子专区—ADALM2000实验：MOS差分对

  2021年6月学子专区文章中提出的关于硬件限制问题的说明对本次实验也是有效的。通过提高信号电平，然后在波形发生器输出和电路输入之间放置衰减器和滤波器，可以改善信噪比。

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  2021/12/20

  滤波器 示波器
• 电池充电器的反向电压保护

  处理电源电压反转有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管，但是由于二极管正向电压的原因，这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁，但是二极管在便携式或备份应用中是不起作用的。

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  2021/12/01

  MOSFET 电源
• ADALM2000实验：稳定电流源

  本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。

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  2021/10/15

  电阻 电流源
• 科研前线 | 2nm研发突破，MOL协同优化助推摩尔定律

  由于趋近物理极限，逻辑电路晶体管缩放速度放缓，降低标准单元高度成为实现缩放目标的关键，在2021年度IITC会议中，imec团队提出了一种基于Forksheet器件结构MOL优化方案，实现了4T标准单元高度，在减少工艺步骤和成本的同时，提升了21%的PPA表现

  芯片揭秘

  297

  2021/10/05

  晶体管 摩尔定律
• pmos和nmos的区别

  在集成电路设计中，PMOS（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）和NMOS（N-channel Metal-Oxide-Semiconductor）是两种基本的MOS场效应晶体管。它们在工作原理、电压极性、导通特性等方面有着明显的区别。

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  08/28 11:29

  集成电路 集成电路设计
• cmos、nmos、pmos的区别与联系有哪些

  CMOS、NMOS和PMOS是三种常见的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）实现逻辑门的方式。下面我们将分析它们之间的区别与联系。 1. CMOS、NMOS和PMOS的基本原理 CMOS：CMOS电路由一对互补的NMOS和PMOS晶体管组成。NMOS晶体管只在输入为高电平时导通（开），而PMOS晶体管只在输入为低电平时导通。这种互补特性使得CMOS电路具有低功耗、高噪声抑制能力和良好的抗干

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  07/23 13:31

  CMOS NMOS
• PMOS管和NMOS管的区别

  1. PMOS管 掺杂类型：PMOS管中，沟道为P型，也就是在P型半导体中形成导电通道。 电子流动：PMOS管中，电子从N型源极注入到P型沟道，然后通过漏极流出。 电压控制：PMOS管的导通受负电压控制，当栅极施加正电压时，PMOS管导通；当栅极施加负电压时，PMOS管截止。 逻辑电平：在数字电路中，PMOS管通常用于实现负逻辑（即高电平对应0，低电平对应1）。 2. NMOS管 掺杂类型：NMO

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  03/13 08:33

  NMOS PMOS
• 一文详解NMOS逆变器和PMOS逆变器

  在数字电路设计中，NMOS逆变器和PMOS逆变器是常见的基本逻辑门电路。它们是使用场效应晶体管（MOSFET）构建的逆变器电路，用于反转输入信号。本文将探讨NMOS逆变器和PMOS逆变器的原理、特点和应用。

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  09/25 07:08

  逆变器 NMOS
• nmos晶体管的工作原理和功能特性介绍

  NMOS（N-channel Metal-Oxide-Semiconductor）晶体管是一种常见的场效应晶体管，属于 MOSFET的一种。NMOS 晶体管由 n 型沟道、栅极和源漏极组成，广泛应用于数字集成电路中。

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  02/24 10:54

  晶体管 NMOS

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