N沟道MOSFET

PCD2203 是一款 3.8V-24V 的宽输入电压范围同步降压转换器，拥有 30V 输入过压保护，能够驱动 0.8A 的负载。内部集成两个低 RDSON 功率管，可减小导通损耗，提高效率。该芯片采用峰值电流模式控制，可以实现优秀动态性能，也使得外围补偿电路简单，由于开关频率固定为 600K，可以选用小尺寸电感、电容，以及小尺寸的 SOT23- 6L 封装，可以实现小尺寸的电源解决方案。具有15uA 静态工作电流与 2uA 关断电流，适用于低功耗要求的供电系统。PCD2203 具有逐周期限流打嗝的 OCP 保护，输入 OVP 以及热关断功能。

PC2201是一款采用电流模式的降压开关电源芯片。在输入电压范围为4.7V~40V的情况下， PC2201可提供高达1A的输出电流。PC2201内部集成了两个N沟道MOSFET和同步功率开关，可以在不使用外部肖特基二极管的情况下提高电源转换效率。 PC2201还采用了专利的控制方案，在轻载时将芯片切换到节能模式，从而扩展了高效率运行的范围。

近期，美国国家材料科学研究所（NIMS）团队研发了世界上第一个基于金刚石n型沟道驱动的金属氧化膜半导体场效应晶体管（MOSFET）。该成果对于以普通电子器件IC为代表的单片集成化（在一个半导体基板内集成多个器件），实现其耐环境型互补式金属氧化膜半导体（CMOS）集成电路。该研究进展以“High-Temperature and High-Electron Mobility Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Based on N-Type Diamond”为题发表在Advanced Science上。这也为金刚石在功率电子学中的应用迈出重要的一步提供了证据。

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种重要的半导体器件，被广泛应用于电子电路中。MOS管根据其沟道类型可以分为N沟道和P沟道两种类型。

在mos管中，每个晶体管都有一个栅极、漏极和汇极。而沟道是指栅极和源极（或漏极）之间形成的导电途径。n沟道mos管和p沟道mos管之间最大的区别在于沟道中注入的掺杂物不同。n沟道中掺杂的是与硅原子电子数量相比较少的杂质（如磷），而p沟道中掺杂的则是与硅原子电子数量相比较多的杂质（如硼）。