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MRAM

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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。收起

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  • MRAM，新兴的黑马
    MRAM，新兴的黑马
    1956 年，IBM推出世界上第一个硬盘驱动器——RAMAC 305，可以存储 5MB 的数据，传输速度为 10K/s。虽然这款硬盘体积巨大如同两台冰箱，重量超过一吨，但是却标志着磁盘存储时代的开始。
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  • 北京航空航天大学副校长赵巍胜：MRAM最新进展及未来发展趋势
    北京航空航天大学副校长赵巍胜：MRAM最新进展及未来发展趋势
    近日，北京航空航天大学党委常委、副校长赵巍胜，分享了MRAM最新进展及未来发展趋势。MRAM的前身是磁存储，其是人工智能时代的根技术，如今数据中心中有70%以上的数据依旧保存其中。十年前就有不少专家认为未来磁存储将被SSD完全取代，然而十年后，磁存储依旧是最重要的存储技术。
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  • 下一个“黑马”赛道，MRAM存储器市场蠢蠢欲动
    下一个“黑马”赛道，MRAM存储器市场蠢蠢欲动
    据日经新闻网报道，近期晶圆代工厂商力积电（PSMC）传出将和日本新创企业合作，目标在2029年量产MRAM，将利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工程产线进行量产。根据报道，东北大学长年来持续研究MRAM，而PowerSpin将提供MRAM IP给力积电，力积电在推动研究、试产后，目标在2029年开始进行量产，期待可应用于生成式AI数据中心。
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    MRAM是一种非易失性存储技术，通过磁致电阻的变化来表示二进制中的0和1，从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性，让其在断电情况下依然可以保留数据信息，并拥有不逊色于DRAM内存的容量密度和使用寿命，平均能耗也远低于DRAM。
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    2023/11/22
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