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MRAM

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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。收起

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  • MRAM,新兴的黑马
    MRAM,新兴的黑马
    1956 年,IBM推出世界上第一个硬盘驱动器——RAMAC 305,可以存储 5MB 的数据,传输速度为 10K/s。虽然这款硬盘体积巨大如同两台冰箱,重量超过一吨,但是却标志着磁盘存储时代的开始。
  • 北京航空航天大学副校长赵巍胜:MRAM最新进展及未来发展趋势
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    近日,北京航空航天大学党委常委、副校长赵巍胜,分享了MRAM最新进展及未来发展趋势。MRAM的前身是磁存储,其是人工智能时代的根技术,如今数据中心中有70%以上的数据依旧保存其中。十年前就有不少专家认为未来磁存储将被SSD完全取代,然而十年后,磁存储依旧是最重要的存储技术。
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    下一个“黑马”赛道,MRAM存储器市场蠢蠢欲动
    据日经新闻网报道,近期晶圆代工厂商力积电(PSMC)传出将和日本新创企业合作,目标在2029年量产MRAM,将利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工程产线进行量产。根据报道,东北大学长年来持续研究MRAM,而PowerSpin将提供MRAM IP给力积电,力积电在推动研究、试产后,目标在2029年开始进行量产,期待可应用于生成式AI数据中心。
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    巨头押注,MRAM开始爆发
    存储技术发展更迭50年,逐渐形成了SRAM、DRAM及Flash这三大主要领域。但是随着半导体制造技术持续朝更小的技术节点迈进,传统的DRAM和NAND Flash开始面临越来越严峻的微缩挑战;再加上由于这些存储技术与逻辑计算单元之间发展速度的失配,严重制约了计算性能和能效的进一步提升。
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    MRAM:RAM和NAND再遇强敌
    MRAM是一种非易失性存储技术,通过磁致电阻的变化来表示二进制中的0和1,从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性,让其在断电情况下依然可以保留数据信息,并拥有不逊色于DRAM内存的容量密度和使用寿命,平均能耗也远低于DRAM。