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MRAM

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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。收起

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  • 从闪存到MRAM：满足现代FPGA配置的需求
    在技术飞速发展的今天，新兴的航空电子、关键基础设施和汽车应用正在重新定义人们对现场可编程门阵列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠闪存来存储配置位流。这种方法适用于许多主流FPGA配置应用；然而，随着技术的进步以及对更高可靠性和性能的需求增加，人们需要更多样化的配置存储选项。这种转变的催化剂在于应用和行业的不同需求，它们目前正不断突破FPGA应用的极限，要求在数据完整性、系统耐用性和运行效率等
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    半导体产业日新月异，存储芯片领域始终是技术角逐与产业革新的关键战场。近期，致真存储30亿元MRAM项目顺利封顶，行业内多个存储项目你追我赶，多点开花。华为在存储设备采购项目中标，晶存科技稳步扩张，佰维存储以及美光的项目也即将投产...
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    2024/10/15
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    据日经新闻网报道，近期晶圆代工厂商力积电（PSMC）传出将和日本新创企业合作，目标在2029年量产MRAM，将利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工程产线进行量产。根据报道，东北大学长年来持续研究MRAM，而PowerSpin将提供MRAM IP给力积电，力积电在推动研究、试产后，目标在2029年开始进行量产，期待可应用于生成式AI数据中心。
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    2024/02/18
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