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金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。收起

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    04/15 08:05
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    03/27 07:29
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  • 2家SiC企业实现主驱突破,今年MOS国产化率将达20%?
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  • 纳祥科技NX7010,PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A双N沟道MOSFET
    纳祥科技NX7010是一款30V 20A双N沟道MOSFET,它的工作原理是基于栅源电压的控制。当栅源电压大于导通电压时,两个MOS管都处于导通状态,电流从N1的源极流向N2的漏极,再从N2的源极回到N1的漏极;当栅极电压小于截止电压时,两个MOS管都处于截止状态,电路中的电流几乎为零。
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  • 用两个NPN三极管搭建一个MOSFET驱动电路,1000字讲解清楚原理和选型
    今天分析一下下面的这个电路,一个基于NPN三极管的MOSFET栅极自偏置关断电路。电路很简单,里面可是藏着不少门道,既有设计亮点,也有效率与延迟问题。咱们一边分析,一边看看器件选型和计算的门道,争取把这电路的“前世今生”讲透了!
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  • 瑞萨电子推出具备预验证固件的完整锂离子电池管理平台
    先进的电源管理解决方案包括电量计IC、MCU、预验证固件、软件和文档,可显著简化电池组设计 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布推出针对电动自行车、吸尘器、机器人和无人机等多种采用锂电池供电的消费产品推出锂电池组一站式管理解决方案——R-BMS F。得益于所提供的预验证固件,R-BMS F(具备固定固件的即用型电池管理系统)将显著缩短开发者的学习周期,助力其快速设计出安全、
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  • 用PNP三极管搭建MOSFET快速关断电路为什么要并联一个二极管,1000字搞定它
    下图是一个使用PNP晶体管实现的MOSFET驱动电路,电路很简单,一个RGATE电阻、二极管DON和关断晶体管QOFF。这个电路设计类似“轻量版Totem-Pole”的MOSFET驱动拓扑,既保留了高效驱动的优点,又通过独特布局优化了性能。RGATE电阻和晶体管QOFF的作用很好理解,但是二极管DON有什么用呢?今天就来讲解一下。
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  • 用NPN和PNP三极管搭建一个MOSFET驱动电路,1200字讲透它
    这个电路设计有几个关键点,涉及外部驱动器位置、旁路电容布局、RGATE电阻设计,还有就是Totem-Pole拓扑电路的自钳位保护机制。咱们今天就来好好把这个电路拆解一下,看看这设计到底有多牛,我们在应用这个电路时又有哪些小细节需要注意的。
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  • 东芝推出面向车载直流有刷电机的栅极驱动IC,助力缩小设备尺寸
    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,量产面向车载直流有刷电机应用的栅极驱动IC[1]——“TB9103FTG”,其典型应用包括用于电动后门和电动滑门的闩锁电机[2]和锁定电机[3],以及电动车窗和电动座椅的驱动电机等。 汽车部件现已基本实现电气化,电机的需求以及在汽车中集成的电机数量都在增加。随着电动机中使用的驱动IC数量的增加,人们更倾向采用高集成度和小型化的系统解决方案。此外,
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  • 浮地非隔离半桥栅极驱动器
    作者:Srikesh Pulluri,产品应用工程师 摘要 半桥拓扑结构广泛用于各种商业和工业应用的电源转换器件中。这种开关模式配置的核心是栅极驱动器IC,其主要功能是使用脉宽调制信号向高端和低端MOSFET功率开关提供干净的电平转换信号。 本文重点介绍了工程师在为应用选择栅极驱动器IC时应考虑的关键因素。除了基本的电压和电流额定值之外,本文还说明了高共模瞬变抗扰度的重要性和可调死区时间的必要性。
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  • MOSFET驱动电路中的栅极电阻靠近驱动器放置还是靠近MOSFET放置?还是无所谓呢?
    在MOSFET驱动电路中,如果我们采用栅极驱动器来驱动MOSFET,那么将栅极驱动器尽可能靠近MOSFET放置是比较理想的选择。但在某些情况下,很难在PCB布置电路板来实现这一点。如果栅极驱动器和MOSFET之间的距离很大,那PCB中外部栅极电阻放哪个位置更好,是靠近栅极驱动器还是靠近MOSFET呢,或者没有影响?
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