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MOSFET模块
ATE1-127 模块
Xiaoxu Sun 孙晓旭 ATI
2023/11/24
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东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款[1]2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。
与非网编辑
1413
2023/08/29
传感器
碳化硅MOSFET
东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”:前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700V,额定漏极电流为400A。
与非网编辑
255
2022/01/27
IGBT
SiC-MOSFET
冷观碳化硅“上车”热潮
国内碳化硅功率器件行业还呈现“小”“散”特征,未来五年将是整合期,车规级碳化硅功率器件与国外公司还有较大差距。此外,碳化硅功率器件技术仍在演进过程中,还需关注其中风险,“热潮”下也要“冷观”。
中国电子报
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2022/01/14
SiC
碳化硅
SiC MOSFET模块的硬并联
以对称的布板设计来实现4个6毫欧的碳化硅模块的并联,给出了实际的测量结果。最后还通过门特卡罗分析来演绎批量器件应用在并联场合下的温度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并联使用的可行性。
英飞凌工业半导体
177
2021/02/20
SiC
pcb
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14:31
SiC混合模块和全SiC MOSFET模块如何助力提高太阳能逆变器的能效和功率密度
安森美半导体
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2021/02/26
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