MOSFET栅极驱动器_MOSFET栅极驱动器资讯

随着MOSFET栅极长度的减小，热载流子诱发的退化已成为重要的可靠性问题之一。在热载流子效应中，载流子被通道电场加速并被困在氧化物中。这些被捕获的电荷会引起测量器件参数的时间相关位移，例如阈值电压 (VTH)、跨导 (GM)以及线性 (IDLIN) 和饱和 (IDSAT) 漏极电流。随着时间的推移，可能会发生实质性的器件参数退化，从而导致器件失效。用于测量HCI的仪器必须提供以下三个关键功能：自

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1203

09/19 08:02

软件编辑器

替代 LMG1210 60V半桥MOSFET和GaN FET驱动器

产品特性（替代LMG1210） ➢ 工作频率高达 10MHz ➢ 20ns 典型传播延迟 ➢ 5ns 高侧/低侧匹配 ➢ 两种输入控制模式 ➢ 具有可调死区时间的单个 PWM 输入、独立输入模式 ➢ 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流 ➢ 内置 5V LDO ➢ 欠压保护 ➢ 过热保护 ➢ 总剂量（TID）耐受： ≥100k rad(si) ➢ 单粒子锁定及烧毁对线性能量传输（LET）的抗

集芯微电科技

811

06/11 09:41

隔离式栅极驱动器 MOSFET栅极驱动器

用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能 Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGB

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05/22 17:21

电动汽车电路设计

替代TPS2H160BQPWPRQ1智能高侧开关芯片

PC8916是双通道、高功率具有集成NMOS功率FET的开关，以及电荷泵。该设备集成了高级保护功能，例如负载电流限制，通过功率限制进行过载主动管理带可配置闭锁的超温停机。

集芯微电科技

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03/05 07:43

高边开关 MOSFET栅极驱动器

Allegro：集成化趋势下Power-Thru系列隔离栅极驱动器

全球清洁能源市场要求汽车和工业领域的功率系统设计师更高效地生产、储存和使用能源，而宽带隙碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）能够在系统级提供明显的效率优势，但往往伴随着一些巨大的集成挑战。 Allegro MicroSystems（以下简称Allegro）是全球领先的磁传感器和功率IC解决方案厂商，总部位于美国新罕布什尔州的曼彻斯特。Allegro MicroSystems全球