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MOS管

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PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；别名 ： positive MOS。

PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；别名 ： positive MOS。收起

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    南芯科技（证券代码：688484）宣布推出全集成同步双向升降压充电芯片 SC8911，该芯片配备 I2C 接口，专为常见的 2 串电池 30W 充电宝应用进行了效率优化，可有效降低外壳温升，为用户提供更安全、更高效的充电体验。SC8911 可支持 OTG 反向升压功能，兼容涓流充电、预充电、恒流充电、恒压充电、自动终止等多种模式，助力客户实现更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。
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    在电子制造中，MDDMOS管的安装环节暗藏诸多风险。某智能手表产线因焊接虚焊导致30%的MOS管失效，返工成本超百万。本文MDD通过典型故障案例，剖析安装过程中的五大核心问题，并提供系统性解决方案。 一、焊接虚焊：IMC层的致命缺陷 案例：某无人机电调批量出现MOS管功能异常，X射线检测显示焊点空洞率达25%。 机理分析： 焊接温度曲线偏差（峰值温度未达235℃），导致锡膏与铜层间未形成均匀的IM
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    在电力电子系统中，MDDMOS管的开关异常往往导致效率骤降、EMI超标甚至器件损毁。某新能源汽车OBC模块因驱动波形振荡引发MOS管过热，导致整机返修率高达15%。本文结合典型故障案例，剖析驱动电路设计中的四大关键陷阱，并提供系统性解决方案。 一、栅极振荡：探针引发的“假故障” 故障现象： 某变频器驱动波形实测时出现20MHz高频振荡，但上机后MOS管温升异常。 根因分析： 传统探针接地线过长（&
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  • MOS管发烫严重：从散热设计到驱动波形的优化实战|MDD
    在电机驱动、电源转换等场景中，MDDMOS管严重发热是工程师面临的常见挑战。某工业伺服驱动器因MOS管温升达105℃，导致系统频繁触发过温保护。本文通过解析发热机理，结合实测数据，提供从散热设计到驱动优化的系统性解决方案。 一、发热根源：损耗模型的精准拆解 MOS管发热本质是能量损耗的累积，主要包含： 导通损耗：P=IMsxRs(o)xD， 某50A电机驱动案例中，Rds(on)=5mΩ，占空比D
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  • MOS管选型十大陷阱：参数误读引发的血泪教训MDD
    在电力电子设计中，MOS管选型失误导致的硬件失效屡见不鲜。某光伏逆变器因忽视Coss参数引发炸管，直接损失50万元。本文以真实案例为鉴，MDD辰达半导体带您解析MOS管选型中的十大参数陷阱，为工程师提供避坑指南。 一、VDS耐压虚标：动态尖峰的致命盲区 误读后果：某充电桩模块标称650V耐压MOS管，实际测试中因关断尖峰达720V导致批量击穿。 数据手册陷阱：厂家标称VDS为直流耐压值，未考虑动态
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    在电子系统设计中，MOS管烧毁是工程师常遇的棘手问题。MDD辰达半导体在本文结合典型失效案例与工程实践，深度解析五大核心失效机理及防护策略，为电路可靠性提供系统性解决方案。 一、过压击穿：雪崩能量的致命威胁 过压是MOS管烧毁的首要元凶，常见于电源浪涌、感性负载关断时的电压尖峰。当漏源电压（VDS）超过额定耐压时，雪崩击穿瞬间产生焦耳热，导致芯片局部熔融。例如，某共享充电宝主板的MOS管因未配置T
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    不管什么电路，抗干扰能力都是它的一个重要指标，对于MOS管驱动电路更是如此。因为MOS管不是工作在一个理想的没有任何电磁干扰的环境，在一些电磁环境恶劣的条件下，如果我们的驱动电路设计的不尽合理，可能会出现MOS管误打开或者非受控关断，轻则影响性能，重则会对用户造成伤害。
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  • 解锁MOS管：温度估算不再烧脑~
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  • 反激式电源为什么上电最容易烧MOS管？
    这篇文章总结一下最近在研究的反激电源RCD吸收回路和VDS尖峰问题。这也是为什么MOS管在开机容易被电压应力击穿的原因。下图是反激电源变压器部分的拓扑。
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  • 首届“萨科微”杯厂BA篮球联赛圆满举办
    无篮球，不夏天！今年夏天，「首届“萨科微”杯厂BA篮球联赛」火热开场！本届赛事是由德益会智造 SK厂BA篮球馆承办，Slkor萨科微半导体冠名赞助！自7月5日晚的开幕式至7月16日晚的颁奖闭幕式，这期间德益会智造队等11支球队奋力拼搏，秉持“友谊第一，比赛第二”的赛事精神，用汗水、激情和活力倾力奉献了29场精彩纷呈、亮点不断的赛事！Slkor萨科微总经理宋仕强先生出席开幕式，期间多次到场观赛助战，
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    NMOS管，其电路模型可分为大信号模型和小信号模型。大信号模型，是一个完整的通用的模型，其对输入交流信号没有要求；而小信号模型，使用的前提，是输入交流信号足够的小。
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  • 对标学习世界级企业 萨科微Slkor半导体不断微创新带来大进步！
    我国的科学研究和先进技术，与先进国家相比还有差距，这一点还体现在社会生产效率和人均GDP上面。宋仕强说，我们只有抓住科技进步的风口如人工智能（AI），再加上公司内部的研发和管理等环节的微创新，才可以立于不败之地。深圳市萨科微半导体有限公司近年来发展迅速，凭借碳化硅、氮化镓等新材料、功率器件设计加工环节的先进工艺、高效管理和快速扩大生产规模，不断降低产品价格、提高市场的占有率，受到了世界各地客户的认
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  • AMEYA360：MOS管失效的六大原因
    功率器件在近几年的市场方面发展的非常火爆，尤其是 MOS 管，他主要应用在电源适配器，电池管理系统以及逆变器和电机控制系统中。而随着计算器主板，AI 显卡，服务器等行业的爆发，低压功率 MOS 管将再次迎来爆发性的市场需求。
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  • MOS管参数解析及国内外大厂技术对比
    MOSFET的单位面积导通电阻和优值系数(FOM)参数代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET厂商产品参数展示的关键指标，也是体现MOSFET芯片制造工艺核心技术能力的关键指标。
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  • BMS 中的放电 MOS 是怎么烧毁的？
    大多数人想到的原因要么是自己选的 MOS 耐流能力不够大，要么就是嫌自己并的不够多，然而当我们换了更大的 MOS 管，或者多并联了几个后，还是会出现烧毁的情况，真是捉摸不透啊。其实并不是我们选择 MOS 有问题，而是我们电路的设计上没有注意 MOS 的微观状态，当然一定的降额设计和良好的散热是必不可少的。今天聊一下 BMS 中 MOS 管的过流损坏。我认为半导体器件的损坏大体上可以分为三种：机械损坏，过流烧毁，过压击穿。
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    2024/04/08
    MOS管 BMS系统
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  • 【六】BMS 的保护电路设计及 MOS 管选型
    BMS 系统中最主要的功能，当为保护莫属，无论是过压欠压保护，还是高温低温保护，亦或是过流及短路保护。这其中最考验电路设计的地方当属过流保护和短路保护，原因在于BMS 系统中温度和电压的突变几乎是不可能的，而对于电流，是时常出现突变的。
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    2024/02/19
    MOS管 BMS系统
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  • 超结MOS/低压MOS在5G基站电源上的应用-REASUNOS瑞森半导体
    MOS管在5G电源上的应用——PFC线路、Fly back线路，推荐瑞森半导体超结MOS系列，同步整流线路推荐低压SGT MOS系列。5G基站是5G网络的核心设备，实现有线通信网络与无线终端之间的无线信号传输，5G基站主要分为宏基站和小基站。5G基站由于通信设备功耗大，采用由电源插座、交直流配电、防雷器、整流模块和监控模块组成的电气柜。所以顾名思义，5G电源就是指5G通讯设备专用电源。
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    2023/12/16
    5G基站 MOS管
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  • 碳化硅MOS管在三相逆变器上的应用-REASUNOS瑞森半导体
    三相逆变器的定义是将直流电能转换为交流电能的转换器，其基本原理就是SPWM，硬件架构为四个功率模块组成单相、三相桥式电路，桥式输出至负载间串接低通滤波元件，控制回路具有两个信号产生源，一个是固定幅值的三角波（调制波）发生器，一个为正弦波发生器，利用三角波对正弦波进行调制，就会得到占空比按照正弦规律变化的方波脉冲列，调制比不同，一个正弦周期脉冲列数等于调制波频率除以基博频率）。再用方波脉冲列去控制上述桥式电路，在输出上就得到了符合要求的正弦电压电流了。
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