MOS管_MOS管资讯

提升MOS管驱动电路抗干扰性能

不管什么电路，抗干扰能力都是它的一个重要指标，对于MOS管驱动电路更是如此。因为MOS管不是工作在一个理想的没有任何电磁干扰的环境，在一些电磁环境恶劣的条件下，如果我们的驱动电路设计的不尽合理，可能会出现MOS管误打开或者非受控关断，轻则影响性能，重则会对用户造成伤害。

深圳其利天下技术开发——无刷电机/伺服电机驱动

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11/20 07:41

MOS管驱动电路

三极管和MOS管有什么区别

三极管和MOS管是电子电路中常见的两种元器件，它们各自具有独特的特点和用途。以下是三极管和MOS管的主要区别：一、控制方式不同三极管：是电流控制型器件。三极管的导通需要在其基极（b极）提供电流，才能使发射极（e极）和集电极（c极）之间导通。流过ce之间的电流与b极电流的关系是Ib*β=Ice，其中β称为三极管的放大倍数。 MOS管：是电压控制型器件。MOS管的导通需要提供一定的栅源电压（Vgs

无锡迪仕科技

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11/15 07:54

三极管 MOS管

解锁MOS管：温度估算不再烧脑~

温度是影响MOSFET寿命的关键要素之一，为防止过热导致的MOS失效，使用前进行简单的温度估算是必要的。MOS管发热的主要原因是其工作过程中产生的各种损耗，能量不会凭空消失，损失的能量最终会通过转变为热量被消耗掉，损耗越大发热量也随之越大。在MOSFET开启的过程中随着

朱有鹏

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08/08 11:40

MOSFET MOS管

反激式电源为什么上电最容易烧MOS管？

这篇文章总结一下最近在研究的反激电源RCD吸收回路和VDS尖峰问题。这也是为什么MOS管在开机容易被电压应力击穿的原因。下图是反激电源变压器部分的拓扑。

大话硬件

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08/05 08:50

MOS管反激式电源

首届“萨科微”杯厂BA篮球联赛圆满举办

无篮球，不夏天！今年夏天，「首届“萨科微”杯厂BA篮球联赛」火热开场！本届赛事是由德益会智造 SK厂BA篮球馆承办，Slkor萨科微半导体冠名赞助！自7月5日晚的开幕式至7月16日晚的颁奖闭幕式，这期间德益会智造队等11支球队奋力拼搏，秉持“友谊第一，比赛第二”的赛事精神，用汗水、激情和活力倾力奉献了29场精彩纷呈、亮点不断的赛事！Slkor萨科微总经理宋仕强先生出席开幕式，期间多次到场观赛助战，

北斗专家宋仕强

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07/19 07:16

元器件 MOS管

对标学习世界级企业萨科微Slkor半导体不断微创新带来大进步！

我国的科学研究和先进技术，与先进国家相比还有差距，这一点还体现在社会生产效率和人均GDP上面。宋仕强说，我们只有抓住科技进步的风口如人工智能（AI），再加上公司内部的研发和管理等环节的微创新，才可以立于不败之地。深圳市萨科微半导体有限公司近年来发展迅速，凭借碳化硅、氮化镓等新材料、功率器件设计加工环节的先进工艺、高效管理和快速扩大生产规模，不断降低产品价格、提高市场的占有率，受到了世界各地客户的认

北斗专家宋仕强

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06/05 07:10

人工智能氮化镓

AMEYA360：MOS管失效的六大原因

功率器件在近几年的市场方面发展的非常火爆，尤其是 MOS 管，他主要应用在电源适配器，电池管理系统以及逆变器和电机控制系统中。而随着计算器主板，AI 显卡，服务器等行业的爆发，低压功率 MOS 管将再次迎来爆发性的市场需求。

AMEYA360

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04/24 10:39

MOS管

BMS 中的放电 MOS 是怎么烧毁的？

大多数人想到的原因要么是自己选的 MOS 耐流能力不够大，要么就是嫌自己并的不够多，然而当我们换了更大的 MOS 管，或者多并联了几个后，还是会出现烧毁的情况，真是捉摸不透啊。其实并不是我们选择 MOS 有问题，而是我们电路的设计上没有注意 MOS 的微观状态，当然一定的降额设计和良好的散热是必不可少的。今天聊一下 BMS 中 MOS 管的过流损坏。我认为半导体器件的损坏大体上可以分为三种：机械损坏，过流烧毁，过压击穿。

轩哥谈芯

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04/08 09:20

MOS管 BMS系统

【六】BMS 的保护电路设计及 MOS 管选型

BMS 系统中最主要的功能，当为保护莫属，无论是过压欠压保护，还是高温低温保护，亦或是过流及短路保护。这其中最考验电路设计的地方当属过流保护和短路保护，原因在于BMS 系统中温度和电压的突变几乎是不可能的，而对于电流，是时常出现突变的。

轩哥谈芯

1.6万

02/19 08:44

MOS管 BMS系统

超结MOS/低压MOS在5G基站电源上的应用-REASUNOS瑞森半导体

MOS管在5G电源上的应用——PFC线路、Fly back线路，推荐瑞森半导体超结MOS系列，同步整流线路推荐低压SGT MOS系列。5G基站是5G网络的核心设备，实现有线通信网络与无线终端之间的无线信号传输，5G基站主要分为宏基站和小基站。5G基站由于通信设备功耗大，采用由电源插座、交直流配电、防雷器、整流模块和监控模块组成的电气柜。所以顾名思义，5G电源就是指5G通讯设备专用电源。

REASUNOS瑞森半导体

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2023/12/16

5G基站 MOS管

碳化硅MOS管在三相逆变器上的应用-REASUNOS瑞森半导体

三相逆变器的定义是将直流电能转换为交流电能的转换器，其基本原理就是SPWM，硬件架构为四个功率模块组成单相、三相桥式电路，桥式输出至负载间串接低通滤波元件，控制回路具有两个信号产生源，一个是固定幅值的三角波（调制波）发生器，一个为正弦波发生器，利用三角波对正弦波进行调制，就会得到占空比按照正弦规律变化的方波脉冲列，调制比不同，一个正弦周期脉冲列数等于调制波频率除以基博频率）。再用方波脉冲列去控制上述桥式电路，在输出上就得到了符合要求的正弦电压电流了。

REASUNOS瑞森半导体

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2023/12/11

半导体 MOS管

世微 dc-dc降压恒流 LED汽车大灯单灯 14V5A 68W车灯驱动方案 AP5191

AP5191是一款PWM工作模式,高效率、外围简单、外置功率MOS管，适用于4.5-150V输入的高精度降压LED恒流驱动芯片。输出最大功率150W，最大电流6A。AP5191可实现线性调光和PWM调光，线性调光脚有效电压范围0.55-2.6V.AP5191 工作频率可以通过RT 外部电阻编程来设定，同时内置抖频电路，可以降低对其他设备的 EMI 干扰。

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2023/11/22

led驱动 PWM

碳化硅MOS管与MOS管有何差异？碳化硅有什么优势？

碳化硅MOS管是以碳化硅半导体材料为基础的金属氧化物半导体场效应管，与传统的硅MOS管有很大的不同。KeepTops来给大家详细介绍碳化硅MOS管与普通MOS管在材料、特性、工作原理及应用等方面的区别。

Keep Tops

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2023/09/27

MOS管

MOS管的大信号模型和小信号模型--电路分析的基础

NMOS管，其电路模型可分为大信号模型和小信号模型。大信号模型，是一个完整的通用的模型，其对输入交流信号没有要求；而小信号模型，使用的前提，是输入交流信号足够的小。