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AN2149应用手册-集成总线保持电路
意法半导体(ST)
131
2023/04/25
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解决高频电源 MOS 选型痛点,MDD辰达半导体一文讲透 随着科技的发展,电子产品的设计越来越精致
随着科技的发展,电子产品的设计越来越精致,电源体积要求越来越小,为满足其更高的功率密度,各种转换器拓扑的选择与电源转换技术都是提高工作频率,减小磁性器件体积,来满足整个方案的要求。但是为了提高工作频率对MOS管有哪些要求呢? 电压参数 漏源击穿电压(VDS):需大于电源输入电压峰值,通常留1.5-2倍余量。例如,若输入电压为24V,VDS应选48V及以上,以应对电压尖峰和波动。 栅源电压(VG
MDD辰达半导体
642
12/11 09:15
MOS管电路
外置MOS,32VIN,升压芯片,XU9238
这是一款开关型升压恒压驱动器,需要外置NMOS完成Boost直流升压,可工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整度。安全保护机制包括每周期的峰值限流、软启动、过压保护和温度保护。芯片内置了大电流的驱动MOS,可以驱动外置的难推的大电流MOS,使可搭配不同的NMOS,实现不同的电流输出,采用简单通用的8脚的SOP8封装.产品应用可以做到6V输入升压到12V-2A; 12V输入升压到48V, 输出40瓦; 也可以12V转150V,或者隔离输出。
科芯创展
429
03/27 07:20
升压芯片
MOS管电路
替代TPS2H160BQPWPRQ1智能高侧开关芯片
PC8916是双通道、高功率具有集成NMOS功率FET的开关,以及电荷泵。该设备集成了高级保护功能,例如负载电流限制,通过功率限制进行过载主动管理带可配置闭锁的超温停机。
集芯微电科技
1116
2024/03/05
高边开关
MOSFET驱动器
四通道 40V 50mΩRDS智能高侧开关芯片反向电流保护及电荷泵
PC8845/G是四通道、高侧功率具有集成NMOS功率FET的开关,以及电荷泵。该设备集成了高级保护功能,例如负载电流限制,通过功率限制进行过载主动管理可配置闩锁关闭的超温停机。全面诊断和高精度电流感应这些功能实现了对负载的智能控制。在里面电池状况相反,PC8845需要外部接地二极管,用于阻挡来自接地的反向电流到电池。而PC8845G不需要这样的接地二极管。
集芯微电科技
1001
2024/03/05
MOSFET
高边开关
mos管怎么判断漏栅源极 漏极开路输出的优缺点
MOS(金属氧化物半导体)管是一种常用的功率开关器件,广泛应用于电子领域。在使用MOS管时,我们需要了解如何判断其漏栅源极以及漏极开路输出的特点和优缺点。
eefocus_3901714
3150
2023/06/30
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