MOS管_MOS管是什么意思 - 与非网

类型

电路方案

MOSFET MOS管
 台懋半导体MOS管：在 RGB 控制器中的卓越表现

台懋中低压MOS

01/08 13:37

1509
MOSFET MOS管
 HG200N15LS加湿器MOS管应用方案

惠海半导体

2024/04/12

4972

设计资料

ST890数据手册-带热关断的1.2A限流高压侧电源开关

意法半导体(ST)
682

2023/04/25
MOS管功率开关 PMOS管

文章

南芯科技推出内置MOS管的高集成度升降压充电芯片
南芯科技（证券代码：688484）宣布推出全集成同步双向升降压充电芯片 SC8911，该芯片配备 I2C 接口，专为常见的 2 串电池 30W 充电宝应用进行了效率优化，可有效降低外壳温升，为用户提供更安全、更高效的充电体验。SC8911 可支持 OTG 反向升压功能，兼容涓流充电、预充电、恒流充电、恒压充电、自动终止等多种模式，助力客户实现更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。

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03/21 14:44

pcb SoC
从焊接虚焊到静电击穿：MDDMOS管安装环节的问题
在电子制造中，MDDMOS管的安装环节暗藏诸多风险。某智能手表产线因焊接虚焊导致30%的MOS管失效，返工成本超百万。本文MDD通过典型故障案例，剖析安装过程中的五大核心问题，并提供系统性解决方案。一、焊接虚焊：IMC层的致命缺陷案例：某无人机电调批量出现MOS管功能异常，X射线检测显示焊点空洞率达25%。机理分析：焊接温度曲线偏差（峰值温度未达235℃），导致锡膏与铜层间未形成均匀的IM

MDD辰达半导体

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03/07 07:00

MOS管焊接
驱动电路设计踩坑录：MDDMOS管开关异常的诊断与修复
在电力电子系统中，MDDMOS管的开关异常往往导致效率骤降、EMI超标甚至器件损毁。某新能源汽车OBC模块因驱动波形振荡引发MOS管过热，导致整机返修率高达15%。本文结合典型故障案例，剖析驱动电路设计中的四大关键陷阱，并提供系统性解决方案。一、栅极振荡：探针引发的“假故障” 故障现象：某变频器驱动波形实测时出现20MHz高频振荡，但上机后MOS管温升异常。根因分析：传统探针接地线过长（&

MDD辰达半导体

1070

03/06 08:34

电路设计 MOS管
MOS管发烫严重：从散热设计到驱动波形的优化实战|MDD
在电机驱动、电源转换等场景中，MDDMOS管严重发热是工程师面临的常见挑战。某工业伺服驱动器因MOS管温升达105℃，导致系统频繁触发过温保护。本文通过解析发热机理，结合实测数据，提供从散热设计到驱动优化的系统性解决方案。一、发热根源：损耗模型的精准拆解 MOS管发热本质是能量损耗的累积，主要包含：导通损耗：P=IMsxRs(o)xD，某50A电机驱动案例中，Rds(on)=5mΩ，占空比D

MDD辰达半导体

1225

03/05 11:35

电机驱动 MOS管
MOS管选型十大陷阱：参数误读引发的血泪教训MDD
在电力电子设计中，MOS管选型失误导致的硬件失效屡见不鲜。某光伏逆变器因忽视Coss参数引发炸管，直接损失50万元。本文以真实案例为鉴，MDD辰达半导体带您解析MOS管选型中的十大参数陷阱，为工程师提供避坑指南。一、VDS耐压虚标：动态尖峰的致命盲区误读后果：某充电桩模块标称650V耐压MOS管，实际测试中因关断尖峰达720V导致批量击穿。数据手册陷阱：厂家标称VDS为直流耐压值，未考虑动态

MDD辰达半导体

766

03/04 14:40

MOS管芯片选型

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