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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2018财年(截止 2018年9 月 30 日),公司在全球市场的总营收为75.99亿欧元。

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2018财年(截止 2018年9 月 30 日),公司在全球市场的总营收为75.99亿欧元。收起

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    低碳化和数字化是当今时代人们面临的两大核心挑战,人类社会需要依靠创新和先进的技术,才能破除挑战、推动转型进程。在德国纽伦堡举办的2024国际嵌入式展(Embedded World 2024)上,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)将展示其创新的半导体解决方案如何支持与推动低碳化和数字化发展。特别是微控制器在其中扮演着重要的角色,微控制器能够为各种应用提供核心技术
  • 英飞凌参加2024年美国国际电力电子应用展览会, 以丰富的功率解决方案组合推动低碳化和数字化进程
    全球功率系统和物联网领域的领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)于2月25日至29日参加2024年美国国际电力电子应用展览会(APEC),并重点展示其在业界非常全面的功率电子器件。英飞凌的宽禁带解决方案具有高能效和高功率密度等特性,是应对气候变化和加速低碳化的关键驱动因素。英飞凌一流的产品组合囊括了各种面向领先应用的功率半导体器件,全面覆盖硅、碳化硅(SiC
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    提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌CYW20822 AIROC™低功耗蓝牙模块。CYW20822模块结构紧凑,支持低功耗蓝牙长距离 (LE-LR) 功能,可实现无缝集成并提高性能。CYW20822模块出色地结合了低功耗和高性能,提供可实现成本优化的无线连接解决方案,可支持各种低功耗蓝牙长距离用例,
  • 英飞凌推出低成本低功耗长距离蓝牙模块CYW20822-P4TAI040
    英飞凌推出低成本低功耗长距离蓝牙模块CYW20822-P4TAI040
    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布推出最新款蓝牙模块CYW20822-P4TAI040,在低功耗与覆盖范围等方面实现了新的突破,推动物联网和消费电子领域的无线连接技术进一步发展。该模块相比同类产品有更高的性价比,通过支持蓝牙低功耗长距离传输(LE-LR)增强了性能,具有出色的可靠性,能够无缝集成且支持各种应用。英飞凌的CYW20822-P4TAI040
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    英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET,  以更高的功率密度和效率树立行业新标准
    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善,降低了电磁干扰(EMI)和开关损耗,有益于用于服务器、电信、储能系统(ESS)、音频、太阳能等用途的各种开关应用。
  • 英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
    英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET,针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥(DAB)、HERIC、降压/升压和移相全桥(PSFB)拓扑结构进行了优化。这些MOSFET适用于典型的工
  • 英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V
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    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到200

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