IGBT

• 走进英飞凌无锡工厂，见证30年成长路

  1995年，英飞凌（原西门子半导体事业部）进入中国，在无锡建立了第一家工厂，开启在华发展的篇章。 1999年，西门子将半导体业务剥离成立英飞凌科技（以下简称“英飞凌”），彼时这家公司仅拥有5 万名员工，主要生产消费电子芯片，无锡工厂也因此同步更名为英飞凌无锡。 2001年，英飞凌无锡工厂率先引入分立器件和智能卡芯片生产线，奠定了领先制造工艺的基础。 2013年，启动智能工厂建设，开启数字化转型之路 2015年，英飞凌半导体（无锡）有限公司正式成立，加速在华智能制造步伐。 从2018年至今，英飞凌无锡工厂不断丰富本土生产的产品组合，同时提升相关制造能力和工艺水平。

  夏珍

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  04/14 11:24

  与非观察 英飞凌

  
• 新品 | IGBT 7 EconoDUAL™ 3系列拓展带焊接针产品

  英飞凌在此发布TRENCHSTOP™ IGBT7 EconoDUAL™ 3系列产品拓展，带焊接针和带预涂导热材料版本(TIM)。

  英飞凌

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  04/10 08:36

  IGBT

  
• 2家IGBT/碳化硅企业爆单：增长170%；单季600万颗

  新能源汽车和清洁能源市场的强劲需求推动下，功率半导体领域持续升温。智新半导体和瀚薪科技作为行业内的佼佼者，近期频频传来订单增长的喜讯：

  行家说功率半导体与新能源

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  04/09 09:35

  碳化硅 IGBT

  
• 安森美推出基于碳化硅的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本

  安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模块 (IPM) 有助于实现能效和性能领先行业的更紧凑变频电机驱动 安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。与使用第7代场截止（FS7） IGBT技术相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装

  与非网编辑

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  03/18 15:07

  安森美 IGBT

  
• igbt短路测试方法详解

  IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常用的功率半导体器件，为确保设备性能和安全，需要进行短路测试。以下是IGBT短路测试的方法： 1. 外观检查 在进行电气测试之前，首先应该进行外观检查： 检查引脚是否完好，有无氧化或损坏。 检查封装是否有损坏、裂缝或漏油情况。 确认器件标识是否清晰可见。 2. 电气参数测试 进行电气参数测试以确认器件状态： 绝缘电

  eefocus_3901714

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  03/20 11:14

  IGBT 短路
• 碳化硅igbt

  碳化硅（SiC）IGBT是一种基于碳化硅半导体材料的绝缘栅极双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT），具有高温耐受、高电压和高频率特性。碳化硅IGBT在功率电子领域中展现出了巨大的潜力，为能源转换系统和电力应用提供了更高效、更可靠的解决方案。本文将介绍碳化硅IGBT的工作原理、特点、应用。

  eefocus_3901714

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  04/02 13:37

  碳化硅 IGBT

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