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IGBT

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor,GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor,GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传收起

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    09/30 10:31
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    09/26 08:50
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    在电力电子的很多应用,如电机驱动,有时会出现短路的工况。这就要求功率器件有一定的扛短路能力,即在一定的时间内承受住短路电流而不损坏。目前市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力,大部分在5~10us之间,例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10us,IGBT7短路时间是8us。而大部分的SiC MOSFET都没有标出短路能力,即使有,也比较短,例如英飞凌的CoolSiCTM MOSFET单管封装器件标称短路时间是3us,EASY封装器件标称短路时间是2us。为什么IGBT和SiC MOSFET短路能力差这么多,这是SiC天生的缺陷吗?今天我们简单分析一下。
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    近几年,随着新能源汽车的快速发展,作为新能源汽车内用控制器的主要成本构成器件IGBT也迎来了爆发,预计到2025年,中国IGBT市场规模将达到522亿元,年复合增长率近20%。然而,从设计及制造维度来看,纵观全球车规级IGBT产业现状,目前差不多70%的市场份额都被欧、美,日等国刮分。国内的IGBT设计及制造能力发展却参差不齐,当然其中也不乏有跟得上脚步,不断的进行技术创新,并从中获得自身价值和自我突破的民族企业,深圳福英达就是其中一例。
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    在电力电子行业中,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)无疑是广为人知的明星器件。然而,当我们面对基于GaN(氮化镓)材料的HEMT(高电子迁移率晶体管)技术时,可能会感到些许陌生。为了更全面地了解这一领域,让我们对晶体管家族的谱系进行一次详尽的梳理,如图1所示,这样我们能更清晰地把握它们之间的关系与差异。
  • 本土功率器件上市公司营收top10 | 2023年
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    功率器件是电力电子电路的重要组成部分,具有处理高电压,大电流能力的半导体器件,其作用是在电路中控制电流、电压和功率的分配。根据工作原理和材料结构,功率器件主要分为二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT,功率模块以及第三代半导体SiC、GaN器件等类型。
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    07/03 10:30
  • 合计近51亿!江苏、浙江新增2个功率半导体项目
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    近日,国内新增了2个车规级功率半导体项目:○ 扬杰科技:车规级IGBT功率模块项目环评获受理,年产能200万只,总投资8000万元;○中顺通利:车规功率器件项目签约,总投资50亿元。
  • 5亿元、1400万只!安徽新增1个IGBT项目
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    前几日,安徽再次签约1个IGBT项目!6月18日,据“黟县发布 ”消息,黟县举行2024年二季度工业招商重点项目集中签约仪式。本次仪式现场集中签约5个项目,其中亿元以上项目3个,总投资7.6亿元,涉及电子信息、绿色食品等领域。其中包括一个IGBT项目——旺荣IGBT封装和模组生产基地项目。

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