IGBT

• 安森美推出基于碳化硅的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本

  安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模块 (IPM) 有助于实现能效和性能领先行业的更紧凑变频电机驱动 安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。与使用第7代场截止（FS7） IGBT技术相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装

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  03/18 15:07

  安森美 IGBT

  
• CGD 官宣突破100KW以上技术，推动GAN挺进超100亿美元的电动汽车逆变器市场

  无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices（CGD）开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，使更加环保的电子产品非常易于设计和运行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解决方案使 CGD 利用其 ICeGaN® 氮化镓（GaN）技术满足100kW 以上的电动汽车动力系统应用，该市场超过100亿美元。Combo ICeGaN®将智能 ICeGaN HEMT

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  03/11 08:37

  GaN IGBT

  
• 东芝推出应用于工业设备的具备增强安全功能的SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器

  东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出一款可用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET的栅极驱动光电耦合器——“TLP5814H”。该器件具备＋6.8 A／–4.8 A的输出电流，采用小型SO8L封装并提供有源米勒钳位功能。今日开始支持批量供货。 在逆变器等串联使用MOSFET或IGBT的电路中，当下桥臂[2]关闭时，米勒电流[1]可能会产生栅极电压，进而导致上桥臂和下桥臂[3]出

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  03/06 09:07

  MOSFET IGBT

  
• 目标20亿！4家IGBT/SiC企业今年营收将大涨

  2025年开年以来，国内功率半导体企业呈现强劲发展势头。重庆平伟实业、乐山希尔电子、威海新佳电子及安徽陶芯科半导体等企业通过技术创新、产能扩张和海外市场拓展，加速冲刺一季度“开门红”。其中：

  行家说功率半导体与新能源

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  02/26 09:03

  SiC IGBT

  
• 这家IGBT/SiC企业被收购！营收超6200万元

  近日，长城汽车间接收购了一家功率半导体企业80%股权。2月21日，长城汽车发布公告称，其间接全资子公司诺博汽车科技有限公司与稳晟科技(天津)有限公司签订股权转让协议，诺博科技拟使用自有资金人民币379.215777万元收购稳晟科技持有的无锡芯动半导体科技有限公司80%的股权。

  行家说功率半导体与新能源

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  02/25 10:15

  SiC IGBT

  
• IGBT7模块如何连续工作在175℃

  近几年主流芯片制造厂商，包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相继问世了第七代芯片，在芯片大小，芯片厚度，饱和压降，开关损耗等权衡之间进行了升级。其中，最高工作结温被提及的次数略多。

  Disciple

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  01/21 11:23

  IGBT IGBT模块
• IGBT并联设计指南，拿下！

  大功率系统需要并联 IGBT来处理高达数十千瓦甚至数百千瓦的负载，并联器件可以是分立封装器件，也可以是组装在模块中的裸芯片。这样做可以获得更高的额定电流、改善散热，有时也是为了系统冗余。部件之间的工艺变化以及布局变化，会影响并联器件的静态和动态电流分配。

  安森美半导体

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  01/21 11:00

  IGBT 并联

  
• 英飞凌IGBT7系列芯片大解析

  上回书说到，IGBT自面世以来，历经数代技术更迭，标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2，沟槽栅+场截止结构的IGBT3和IGBT4，表面覆铜及铜绑定线的IGBT5等。现今，英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽（micro pattern trench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现极低的导通压降和优化的开关性能。

  英飞凌

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  01/16 11:45

  英飞凌 IGBT

  
• 蔚华科与恩艾（艾默生/NI）扩大结盟合作 共建亚太区首座功率半导体动态可靠度验证实验室

  /美通社/ -- 半导体封装测试解决方案专业品牌蔚华科技（TWSE: 3055）与经销合作伙伴恩艾（艾默生/NI）宣布将共同建置亚太区首座功率半导体动态可靠度验证实验室，瞄准亚太地区功率半导体芯片在车规验证的需求，为亚太地区半导体制造业客户就近提供验证服务，加速客户研发及生产制造的进程。 [caption id="attachment_1793744" align="alignnone" widt

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  01/14 08:54

  美通社 IGBT

  
• 罗姆功率半导体产品概要

  1.前言 近年来，全球耗电量逐年增加，在工业和交通运输领域的增长尤为显著。另外，以化石燃料为基础的火力发电和经济活动所产生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成为严重的社会问题。因此，为了实现零碳社会，努力提高能源利用效率并实现碳中和已成为全球共同的目标。 在这种背景下，罗姆致力于通过电子技术解决社会问题，专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键——功率半导体，并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过

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  01/14 07:12

  电动汽车 SiC

  
• 功率半导体冷知识之二：IGBT短路时的损耗

  IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。

  英飞凌

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  2024/12/07

  IGBT 功率半导体
• 车载充电器材料选择比较：碳化硅与IGBT

  车载充电器 (OBC) 解决了电动汽车 (EV) 的一个重要问题。它们将来自电网的交流电转换为适合电池充电的直流电，从而实现电动汽车充电。随着每年上市的电动汽车设计、架构和尺寸越来越丰富，车载充电器的实施也变得越来越复杂。

  贸泽电子

  3171

  2024/11/08

  碳化硅 IGBT

  
• 芯联集成总经理赵奇：公司2026年收入预计将超100亿

  芯联集成四季度能否延续良好增长势头？碳化硅业务盈利趋势如何？模拟IC有哪些客户？功率模块业务收入增长前景如何？ 针对投资者广泛关心的话题，10月29日，芯联集成举办2024年三季度报电话说明会。公司董事、总经理赵奇，财务负责人、董事会秘书王韦，芯联动力董事长袁锋出席说明会。 赵奇在会上作业绩发布报告，对2024年前三季度经营业绩进行全面解读，研判行业趋势，并展望未来发展重点。 Q1 芯联集成前三季

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  1732

  2024/10/30

  IGBT 模拟IC

  
• MSO 4B 示波器为工程师带来更多台式功率分析工具

  持续测量 AC-DC 和 DC-DC 转换器的性能可能是一项极具挑战性的任务。随着设计师努力从硅基电源转换器过渡到碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体，这些挑战变得尤为棘手。电机驱动器等三相系统的设计师面临更多复杂问题。 值得庆幸的是，他们可以借助最新款台式示波器。此款示波器提升了电源和电机驱动器的分析处理能力和速度，所用软件让工程师能够进行速度更快、更可重复的测量。 功能更加

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  2024/10/12

  示波器 IGBT

  
• 芯联集成获广汽埃安旗下全系车型定点

  日前，在功率器件、MEMS、连接三大产品方向上拥有领先核心芯片技术的芯联集成（688469.SH）与广汽埃安签订了一项长期合作战略协议。 根据协议，芯联集成将为广汽埃安旗下全系新车型提供高性能的碳化硅（SiC）MOSFET与硅基IGBT芯片和模块，这些芯片和模块将被应用于广汽埃安未来几年内生产的上百万辆新能源汽车上，以提供更高效、更稳定的能源转换和控制，从而提升车辆的性能和驾驶体验。 通过与芯联集

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  905

  2024/10/09

  SiC MOSFET

  
• 【技术分享】IGBT的驱动功率计算

  对于IGBT的门极所需的驱动功率的大小计算，我们经常在拿到IGBT规格书的时候会根据其中的Qg或者输入电容Ciss(Ciss=Cge+Cgc)做一个大致的计算,P=Qg*ΔVge*f或者P=Ciss*5*ΔVge²*f，今天我们就来聊聊IGBT驱动器驱动功率的计算。

  Disciple

  4.3万

  2024/09/30

  电容 驱动器
• 功率半导体各品类及下游应用市场空间分析

  在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20 世纪60-70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20 世纪70 年代末，平面型功率 MOSFET 发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率 MOSFET 和 IGBT 逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90 年代，超级结 MOSFET 逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以

  王兵

  7741

  2024/09/26

  MOSFET IGBT

  
• 谈谈SiC MOSFET的短路能力

  在电力电子的很多应用，如电机驱动，有时会出现短路的工况。这就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的时间内承受住短路电流而不损坏。目前市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力，大部分在5~10us之间，例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10us，IGBT7短路时间是8us。而大部分的SiC MOSFET都没有标出短路能力，即使有，也比较短，例如英飞凌的CoolSiCTM MOSFET单管封装器件标称短路时间是3us，EASY封装器件标称短路时间是2us。为什么IGBT和SiC MOSFET短路能力差这么多，这是SiC天生的缺陷吗？今天我们简单分析一下。

  英飞凌

  1.9万

  2024/09/20

  MOSFET IGBT

  
• 总投资12亿元！这一IGBT项目明年投产

  9月6日，据“内江新区”消息，晶益通（四川）半导体科技有限公司旗下IGBT模块材料和封测模组产业园项目已完成建设总进度的40%，预计在明年5月建成。

  行家说功率半导体与新能源

  1727

  2024/09/11

  半导体 IGBT

  
• Wolfspeed 推出 2300 V 碳化硅功率模块，助力清洁能源产业提升

  Wolfspeed 创新性 2300 V 模块采用 200 mm 碳化硅技术，为包括可再生能源、储能、高容量快速充电基础设施在内的众多应用带来能效提升 Wolfspeed 宣布与地面电站逆变器知名制造商 EPC Power 达成合作 全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）于近日宣布推出最新 2300 V 无基板碳化硅模块。这一碳化硅解决方案经过优化设

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  1599

  2024/09/11

  SiC IGBT

  

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