HEMT

• 使用集成 GaN 解决方案提高功率密度
  在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能，使用 GaN 进行设计面临与硅不同的一系列挑战。

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  2022/09/14

  GaN 氮化镓
• 贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 赋能4G和5G通信应用
  专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子即日起开始备货Qorvo® QPD0011高电子迁移率晶体管 (HEMT)。

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  146

  2021/08/23

  Qorvo SiC
• 【IEEE里程碑奖】HEMT技术详解
  High Electron Mobility Transistor

  赵元闯

  818

  2021/05/28

  功率放大器 GaN

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