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SK海力士HBM4E将导入混合键合技术

SK 海力士从第七代高带宽存储器（HBM4E）开始应用“混合键合”。混合键合是一种直接用铜连接DRAM顶部和底部的技术。由于它不需要HBM目前使用的微凸块（焊球）和键合材料，因此有望给半导体行业带来重大变化。

芯片说 IC TIME

438

11/11 13:00

SK海力士 HBM4

三星SK海力士明年下半年量产12层HBM4

据相关行业人士11月9日透露，三星电子和SK海力士计划从明年下半年开始量产12层HBM4。半导体公司计划从 HBM4 开始认真应用新工艺“混合键合”。哪家公司首先稳定应用混合键合技术将决定HBM4市场的胜负。

芯片说 IC TIME

401

11/11 09:18

三星电子 SK海力士

HBM4将导入！三星第六代10nm DRAM首次量产

三星电子最先进的10 纳米级第六代 (1c) DRAM首次实现产量。由于三星正准备将这款DRAM安装在明年发布的第6代HBM（高带宽内存）“HBM4”中，预计在确保第一批良率后，未来良率扩张将加速。

芯片说 IC TIME

945

10/08 10:05

dram HBM4

HBM4商用提速，存储三巨头各揣杀手锏

又到了半导体企业扎堆公布第二季度财报的日子，其中最开心的，一定少不了触底反弹的几家存储芯片厂商。据了解，三星第二季度业绩显著提升，营业利润高达10.44万亿韩元（约合人民币549亿元），同比骤增1462.29%;净利润为9.8413万亿韩元（约合人民币517.7亿元），同比大增470.97%,实现了近14年来最大幅度的净利润增长，而它的韩国友商SK海力士表现同样强劲，第二季度营收增长125%至16.42万亿韩元（约合人民币867亿元）创下历史新高；经营利润环比增长89%至5.47万亿韩元（约合人民币288.8亿元），创2018年二季度以来的最高水平。而此前发布2024财年第三季度财报的美光总营收为68.1亿美元，较上年同期的37.5亿美元同比增长81.6%，远超市场预期。

中国电子报

1850

08/06 10:50

台积电 SK海力士

HBM4技术竞赛，进入白热化

HBM（HighBandwidthMemory，高带宽内存）是一款新型的CPU/GPU内存芯片，其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。该内存技术突破了内存容量与带宽瓶颈，被视为新一代DRAM解决方案，也契合了半导体技术小型化、集成化的发展趋势。

半导体产业纵横

3585

06/11 08:58

HBM 内存芯片

这一次，三星被台积电卡脖子了

在晶圆代工领域，三星与台积电是纯粹的竞争关系，但在存储芯片市场，作为行业霸主，三星却不得不寻求与台积电深入合作，这都是英伟达惹的祸。

半导体产业纵横

2534

05/21 09:10

台积电三星电子

SK海力士HBM4曝光：5nm工艺，功耗大降30%

SK海力士计划明年量产的HBM4（第6代高带宽存储器）正在陆续揭晓。SK海力士计划将HBM DRAM新产品的供应周期从2年加快至1年，并与台积电合作，以应对人工智能（AI）行业增长导致的需求激增而对客户定制的HBM需求。

芯片说 IC TIME

1990

05/21 08:53

SK海力士 HBM4

谁是存储器市场下一个“宠儿”？

AI浪潮对存储器提出了更高要求，高容量、高性能存储产品重要性正不断凸显，存储产业技术与产能之争也因此愈演愈烈：NAND Flash领域，闪存堆叠层数持续提升；DRAM领域HBM持续扩产，技术不断迭代，同时3D DRAM潜力备受关注；兼具DRAM与NAND Flash优势的新型存储技术再次被原厂提及；PCIe 5.0尚未全面普及，PCIe 7.0已经开始蓄势待发…