HBM4_HBM4资讯 - 与非网

据透露，SK海力士计划最早在今年6月份向Nvidia出货HBM4（第六代高带宽内存）样品。预计产品供应最早将于第三季度末开始。SK海力士为了抢占下一代HBM市场先机，正加紧准备量产，并将供货计划提前至今年下半年。

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01/16 09:25

SK海力士 HBM4

明年HBM4将成主流，2027年定制HBM将流行

三星电子和 SK 海力士等高带宽存储器 (HBM) 公司预测，“定制 HBM”市场将在 2027 年后开放。据悉，随着人工智能（AI）市场日趋多样化，以及HBM用户的规格要求日趋多样化，两家存储器公司都在开发可为客户提供多种选择的半导体技术。

芯片说 IC TIME

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01/14 09:00

HBM HBM4

三星已试产HBM4逻辑芯片

据确认，三星电子已开始通过4nm代工厂试产作为第6代高带宽存储器（HBM4）大脑的“逻辑芯片”。在完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子计划将由此开发的HBM4交付给客户进行测试。三星电子在 HBM 市场的领导地位被 SK 海力士夺走，今年计划通过在 HBM4 之前引入大量工艺进行反击。

芯片说 IC TIME

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01/06 12:05

逻辑芯片 HBM4

2025年全球半导体产业十大看点

经历了2024年的蓄势与回暖，全球半导体业界对2025年市场表现呈乐观预期。WSTS预测，2024年全球销售额将同比增长19.0%，达到6269亿美元。2025年，全球销售额预计达到6972亿美元，同比增长11.2%。伴随市场动能持续复苏，十大半导体技术趋势蓄势待发。

中国电子报

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01/02 12:40

碳化硅半导体产业

博通与SK海力士、三星合作开发HBM4

据半导体行业12月23日消息，博通正在与SK海力士、三星电子合作开发第6代HBM4。今年上半年，博通开始为包括美光在内的三个HBM制造商测试第五代HBM3E质量，同时也在加快确保下一代HBM供应链的进程。

芯片说 IC TIME

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2024/12/24

三星电子 SK海力士

SK海力士HBM4将导入3nm工艺，又甩三星

SK海力士决定采用3纳米代工工艺生产明年下半年量产的定制化HBM4，全力进军美国市场。这意味着该公司将集中精力开发和量产具有 NVIDIA 和 Google 等美国人工智能 (AI) 加速器公司所寻求的最佳规格的产品。换句话说，这意味着他们将放弃低性能HBM市场。

芯片说 IC TIME

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2024/12/05

SK海力士 HBM4

首款HBM4内存控制器IP满足AI 2.0时代内存需求

在AI训练阶段，需要向AI‘投喂’海量的数据，随后AI对这些数据进行分析，提取其中的规律，最终构建出一个AI模型。例如，通过输入猫、鸟、马等动物图像数据，AI能够培养出识别这些动物形态的能力。

TechSugar

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2024/11/26

AI HBM4

SK海力士HBM4E将导入混合键合技术

SK 海力士从第七代高带宽存储器（HBM4E）开始应用“混合键合”。混合键合是一种直接用铜连接DRAM顶部和底部的技术。由于它不需要HBM目前使用的微凸块（焊球）和键合材料，因此有望给半导体行业带来重大变化。

芯片说 IC TIME

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2024/11/11

SK海力士 HBM4

三星SK海力士明年下半年量产12层HBM4

据相关行业人士11月9日透露，三星电子和SK海力士计划从明年下半年开始量产12层HBM4。半导体公司计划从 HBM4 开始认真应用新工艺“混合键合”。哪家公司首先稳定应用混合键合技术将决定HBM4市场的胜负。

芯片说 IC TIME

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2024/11/11

三星电子 SK海力士

HBM4将导入！三星第六代10nm DRAM首次量产

三星电子最先进的10 纳米级第六代 (1c) DRAM首次实现产量。由于三星正准备将这款DRAM安装在明年发布的第6代HBM（高带宽内存）“HBM4”中，预计在确保第一批良率后，未来良率扩张将加速。

芯片说 IC TIME

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2024/10/08

dram HBM4

HBM4商用提速，存储三巨头各揣杀手锏

又到了半导体企业扎堆公布第二季度财报的日子，其中最开心的，一定少不了触底反弹的几家存储芯片厂商。据了解，三星第二季度业绩显著提升，营业利润高达10.44万亿韩元（约合人民币549亿元），同比骤增1462.29%;净利润为9.8413万亿韩元（约合人民币517.7亿元），同比大增470.97%,实现了近14年来最大幅度的净利润增长，而它的韩国友商SK海力士表现同样强劲，第二季度营收增长125%至16.42万亿韩元（约合人民币867亿元）创下历史新高；经营利润环比增长89%至5.47万亿韩元（约合人民币288.8亿元），创2018年二季度以来的最高水平。而此前发布2024财年第三季度财报的美光总营收为68.1亿美元，较上年同期的37.5亿美元同比增长81.6%，远超市场预期。

中国电子报

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2024/08/06

台积电 SK海力士

HBM4技术竞赛，进入白热化

HBM（HighBandwidthMemory，高带宽内存）是一款新型的CPU/GPU内存芯片，其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。该内存技术突破了内存容量与带宽瓶颈，被视为新一代DRAM解决方案，也契合了半导体技术小型化、集成化的发展趋势。

半导体产业纵横

3810

2024/06/11

HBM 内存芯片

这一次，三星被台积电卡脖子了

在晶圆代工领域，三星与台积电是纯粹的竞争关系，但在存储芯片市场，作为行业霸主，三星却不得不寻求与台积电深入合作，这都是英伟达惹的祸。

半导体产业纵横

2275

2024/05/21

台积电三星电子

SK海力士HBM4曝光：5nm工艺，功耗大降30%

SK海力士计划明年量产的HBM4（第6代高带宽存储器）正在陆续揭晓。SK海力士计划将HBM DRAM新产品的供应周期从2年加快至1年，并与台积电合作，以应对人工智能（AI）行业增长导致的需求激增而对客户定制的HBM需求。

芯片说 IC TIME

2663

2024/05/21

SK海力士 HBM4

谁是存储器市场下一个“宠儿”？

AI浪潮对存储器提出了更高要求，高容量、高性能存储产品重要性正不断凸显，存储产业技术与产能之争也因此愈演愈烈：NAND Flash领域，闪存堆叠层数持续提升；DRAM领域HBM持续扩产，技术不断迭代，同时3D DRAM潜力备受关注；兼具DRAM与NAND Flash优势的新型存储技术再次被原厂提及；PCIe 5.0尚未全面普及，PCIe 7.0已经开始蓄势待发…

全球半导体观察

7196

2024/04/25

存储器 dram