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HBM4

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  • SK海力士HBM4将导入3nm工艺，又甩三星
    SK海力士HBM4将导入3nm工艺，又甩三星
    SK海力士决定采用3纳米代工工艺生产明年下半年量产的定制化HBM4，全力进军美国市场。这意味着该公司将集中精力开发和量产具有 NVIDIA 和 Google 等美国人工智能 (AI) 加速器公司所寻求的最佳规格的产品。换句话说，这意味着他们将放弃低性能HBM市场。
    590
    12/05 10:10
    SK海力士 HBM4
  • 首款HBM4内存控制器IP满足AI 2.0时代内存需求
    首款HBM4内存控制器IP满足AI 2.0时代内存需求
    在AI训练阶段，需要向AI‘投喂’海量的数据，随后AI对这些数据进行分析，提取其中的规律，最终构建出一个AI模型。例如，通过输入猫、鸟、马等动物图像数据，AI能够培养出识别这些动物形态的能力。
    1157
    11/26 13:11
    AI HBM4
  • SK海力士HBM4E将导入混合键合技术
    SK海力士HBM4E将导入混合键合技术
    SK 海力士从第七代高带宽存储器（HBM4E）开始应用“混合键合”。混合键合是一种直接用铜连接DRAM顶部和底部的技术。由于它不需要HBM目前使用的微凸块（焊球）和键合材料，因此有望给半导体行业带来重大变化。
    835
    11/11 13:00
    SK海力士 HBM4
  • 三星SK海力士明年下半年量产12层HBM4
    三星SK海力士明年下半年量产12层HBM4
    据相关行业人士11月9日透露，三星电子和SK海力士计划从明年下半年开始量产12层HBM4。半导体公司计划从 HBM4 开始认真应用新工艺“混合键合”。哪家公司首先稳定应用混合键合技术将决定HBM4市场的胜负。
    763
    11/11 09:18
    三星电子 SK海力士
  • HBM4将导入！三星第六代10nm DRAM首次量产
    三星电子最先进的10 纳米级第六代 (1c) DRAM首次实现产量。由于三星正准备将这款DRAM安装在明年发布的第6代HBM（高带宽内存）“HBM4”中，预计在确保第一批良率后，未来良率扩张将加速。
    1160
    10/08 10:05
    dram HBM4
  • HBM4商用提速，存储三巨头各揣杀手锏
    HBM4商用提速，存储三巨头各揣杀手锏
    又到了半导体企业扎堆公布第二季度财报的日子，其中最开心的，一定少不了触底反弹的几家存储芯片厂商。据了解，三星第二季度业绩显著提升，营业利润高达10.44万亿韩元（约合人民币549亿元），同比骤增1462.29%;净利润为9.8413万亿韩元（约合人民币517.7亿元），同比大增470.97%,实现了近14年来最大幅度的净利润增长，而它的韩国友商SK海力士表现同样强劲，第二季度营收增长125%至16.42万亿韩元（约合人民币867亿元）创下历史新高；经营利润环比增长89%至5.47万亿韩元（约合人民币288.8亿元），创2018年二季度以来的最高水平。而此前发布2024财年第三季度财报的美光总营收为68.1亿美元，较上年同期的37.5亿美元同比增长81.6%，远超市场预期。
    1860
    08/06 10:50
    台积电 SK海力士
  • HBM4技术竞赛，进入白热化
    HBM4技术竞赛，进入白热化
    HBM（HighBandwidthMemory，高带宽内存）是一款新型的CPU/GPU内存芯片，其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。该内存技术突破了内存容量与带宽瓶颈，被视为新一代DRAM解决方案，也契合了半导体技术小型化、集成化的发展趋势。
    3631
    06/11 08:58
    HBM 内存芯片
  • 这一次，三星被台积电卡脖子了
    这一次，三星被台积电卡脖子了
    在晶圆代工领域，三星与台积电是纯粹的竞争关系，但在存储芯片市场，作为行业霸主，三星却不得不寻求与台积电深入合作，这都是英伟达惹的祸。
    2400
    05/21 09:10
    台积电 三星电子
  • SK海力士HBM4曝光：5nm工艺，功耗大降30%
    SK海力士HBM4曝光：5nm工艺，功耗大降30%
    SK海力士计划明年量产的HBM4（第6代高带宽存储器）正在陆续揭晓。SK海力士计划将HBM DRAM新产品的供应周期从2年加快至1年，并与台积电合作，以应对人工智能（AI）行业增长导致的需求激增而对客户定制的HBM需求。
    2390
    05/21 08:53
    SK海力士 HBM4
  • 谁是存储器市场下一个“宠儿”？
    谁是存储器市场下一个“宠儿”？
    AI浪潮对存储器提出了更高要求，高容量、高性能存储产品重要性正不断凸显，存储产业技术与产能之争也因此愈演愈烈：NAND Flash领域，闪存堆叠层数持续提升；DRAM领域HBM持续扩产，技术不断迭代，同时3D DRAM潜力备受关注；兼具DRAM与NAND Flash优势的新型存储技术再次被原厂提及；PCIe 5.0尚未全面普及，PCIe 7.0已经开始蓄势待发…
    7661
    04/25 17:25
    存储器 dram
  • SK海力士与台积电开发HBM4，三星慌了
    SK海力士与台积电开发HBM4，三星慌了
    SK海力士正与台积电合作，生产下一代高带宽存储器（HBM）并推进尖端封装技术。SK海力士近日在台北与台积电签署技术合作谅解备忘录（MOU），并于4月19日宣布计划与台积电合作开发HBM4（第六代HBM），计划于2026年量产。
    2125
    04/20 09:25
    台积电 SK海力士

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