HBM4

三星电子最先进的10 纳米级第六代 (1c) DRAM首次实现产量。由于三星正准备将这款DRAM安装在明年发布的第6代HBM（高带宽内存）“HBM4”中，预计在确保第一批良率后，未来良率扩张将加速。

又到了半导体企业扎堆公布第二季度财报的日子，其中最开心的，一定少不了触底反弹的几家存储芯片厂商。据了解，三星第二季度业绩显著提升，营业利润高达10.44万亿韩元（约合人民币549亿元），同比骤增1462.29%;净利润为9.8413万亿韩元（约合人民币517.7亿元），同比大增470.97%,实现了近14年来最大幅度的净利润增长，而它的韩国友商SK海力士表现同样强劲，第二季度营收增长125%至16.42万亿韩元（约合人民币867亿元）创下历史新高；经营利润环比增长89%至5.47万亿韩元（约合人民币288.8亿元），创2018年二季度以来的最高水平。而此前发布2024财年第三季度财报的美光总营收为68.1亿美元，较上年同期的37.5亿美元同比增长81.6%，远超市场预期。

HBM（HighBandwidthMemory，高带宽内存）是一款新型的CPU/GPU内存芯片，其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。该内存技术突破了内存容量与带宽瓶颈，被视为新一代DRAM解决方案，也契合了半导体技术小型化、集成化的发展趋势。

在晶圆代工领域，三星与台积电是纯粹的竞争关系，但在存储芯片市场，作为行业霸主，三星却不得不寻求与台积电深入合作，这都是英伟达惹的祸。

SK海力士计划明年量产的HBM4（第6代高带宽存储器）正在陆续揭晓。SK海力士计划将HBM DRAM新产品的供应周期从2年加快至1年，并与台积电合作，以应对人工智能（AI）行业增长导致的需求激增而对客户定制的HBM需求。