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SK海力士HBM4将导入3nm工艺，又甩三星

SK海力士决定采用3纳米代工工艺生产明年下半年量产的定制化HBM4，全力进军美国市场。这意味着该公司将集中精力开发和量产具有 NVIDIA 和 Google 等美国人工智能 (AI) 加速器公司所寻求的最佳规格的产品。换句话说，这意味着他们将放弃低性能HBM市场。

芯片说 IC TIME

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12/05 10:10

SK海力士 HBM4
首款HBM4内存控制器IP满足AI 2.0时代内存需求

在AI训练阶段，需要向AI‘投喂’海量的数据，随后AI对这些数据进行分析，提取其中的规律，最终构建出一个AI模型。例如，通过输入猫、鸟、马等动物图像数据，AI能够培养出识别这些动物形态的能力。

TechSugar

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11/26 13:11

AI HBM4
SK海力士HBM4E将导入混合键合技术

SK 海力士从第七代高带宽存储器（HBM4E）开始应用“混合键合”。混合键合是一种直接用铜连接DRAM顶部和底部的技术。由于它不需要HBM目前使用的微凸块（焊球）和键合材料，因此有望给半导体行业带来重大变化。

芯片说 IC TIME

835

11/11 13:00

SK海力士 HBM4
三星SK海力士明年下半年量产12层HBM4

据相关行业人士11月9日透露，三星电子和SK海力士计划从明年下半年开始量产12层HBM4。半导体公司计划从 HBM4 开始认真应用新工艺“混合键合”。哪家公司首先稳定应用混合键合技术将决定HBM4市场的胜负。

芯片说 IC TIME

764

11/11 09:18

三星电子 SK海力士
HBM4将导入！三星第六代10nm DRAM首次量产

三星电子最先进的10 纳米级第六代 (1c) DRAM首次实现产量。由于三星正准备将这款DRAM安装在明年发布的第6代HBM（高带宽内存）“HBM4”中，预计在确保第一批良率后，未来良率扩张将加速。

芯片说 IC TIME

1160

10/08 10:05

dram HBM4

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