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HBM4

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  • SK海力士HBM4E将导入混合键合技术
    SK海力士HBM4E将导入混合键合技术
    SK 海力士从第七代高带宽存储器(HBM4E)开始应用“混合键合”。混合键合是一种直接用铜连接DRAM顶部和底部的技术。由于它不需要HBM目前使用的微凸块(焊球)和键合材料,因此有望给半导体行业带来重大变化。
  • 三星SK海力士明年下半年量产12层HBM4
    三星SK海力士明年下半年量产12层HBM4
    据相关行业人士11月9日透露,三星电子和SK海力士计划从明年下半年开始量产12层HBM4。半导体公司计划从 HBM4 开始认真应用新工艺“混合键合”。哪家公司首先稳定应用混合键合技术将决定HBM4市场的胜负。
  • HBM4将导入!三星第六代10nm DRAM首次量产
    三星电子最先进的10 纳米级第六代 (1c) DRAM首次实现产量。由于三星正准备将这款DRAM安装在明年发布的第6代HBM(高带宽内存)“HBM4”中,预计在确保第一批良率后,未来良率扩张将加速。
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    10/08 10:05
  • HBM4商用提速,存储三巨头各揣杀手锏
    HBM4商用提速,存储三巨头各揣杀手锏
    又到了半导体企业扎堆公布第二季度财报的日子,其中最开心的,一定少不了触底反弹的几家存储芯片厂商。据了解,三星第二季度业绩显著提升,营业利润高达10.44万亿韩元(约合人民币549亿元),同比骤增1462.29%;净利润为9.8413万亿韩元(约合人民币517.7亿元),同比大增470.97%,实现了近14年来最大幅度的净利润增长,而它的韩国友商SK海力士表现同样强劲,第二季度营收增长125%至16.42万亿韩元(约合人民币867亿元)创下历史新高;经营利润环比增长89%至5.47万亿韩元(约合人民币288.8亿元),创2018年二季度以来的最高水平。而此前发布2024财年第三季度财报的美光总营收为68.1亿美元,较上年同期的37.5亿美元同比增长81.6%,远超市场预期。
  • HBM4技术竞赛,进入白热化
    HBM4技术竞赛,进入白热化
    HBM(HighBandwidthMemory,高带宽内存)是一款新型的CPU/GPU内存芯片,其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起,实现大容量,高位宽的DDR组合阵列。该内存技术突破了内存容量与带宽瓶颈,被视为新一代DRAM解决方案,也契合了半导体技术小型化、集成化的发展趋势。