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研报 | 英伟达尝试调升HBM4规格,预期2026年SK海力士仍是最大供应商
Sept. 18, 2025 产业洞察 根据TrendForce集邦咨询最新调查,因应AMD(超威)将于2026年推出MI450 Helios平台,近期NVIDIA(英伟达)积极要求Vera Rubin server rack的关键零组件供应商提高产品规格,包括HBM4的Speed per Pin须调升至10Gbps。尽管规格能否提升仍有变量,预计SK hynix(SK海力士)在HBM4量产初期
TrendForce集邦咨询
540
09/19 13:00
英伟达
HBM4
紧缺!通用DRAM将涨价!
包括三星电子和SK海力士在内的主要内存公司正致力于下一代HBM(高带宽内存)的商业化。因此,通用DRAM的产能和晶圆投入正在减少,对价格构成上涨压力。 据业内人士9月4日透露,预计今年下半年和明年初,通用DRAM的价格将高于最初的预期。 包括三星电子和SK海力士在内的韩国主要内存公司正致力于准备从今年开始向NVIDIA供应HBM4(第六代HBM)。据报道,由于NVIDIA在今年第三季度要求大量提供
芯片说 IC TIME
1144
09/05 12:15
三星电子
SK海力士
三星HBM4通过英伟达测试,月底预生产
据报道,三星电子上个月交付给人工智能 (AI) 半导体领域无可争议的领导者英伟达 (NVIDIA) 的第六代高带宽存储器 (HBM4) 已通过可靠性测试。如果最终测试进展顺利,HBM4 最早可能于年底开始量产。这要归功于三星电子董事长李在镕的积极宣传,据报道,他最近在一次海外出差期间会见了英伟达首席执行官黄仁勋。 据半导体行业消息人士8月20日透露,三星电子上个月交付给英伟达的 HBM4 样品已通
芯片说 IC TIME
1110
08/21 15:00
三星电子
HBM4
研报 | HBM4新规格拉高制造门槛,预期溢价幅度逾30%
根据TrendForce集邦咨询最新研究,HBM技术发展受AI Server需求带动,三大原厂积极推进HBM4产品进度。由于HBM4的I/O(输入/输出接口)数增加,复杂的芯片设计使得晶圆面积增加,且部分供应商产品改采逻辑芯片架构以提高性能,皆推升了成本。鉴于HBM3e刚推出时的溢价比例约为20%,预计制造难度更高的HBM4溢价幅度将突破30%。
TrendForce集邦咨询
970
05/25 09:55
HBM4
三星1c DRAM大扩产,加速HBM4量产
据悉,三星电子继平泽工厂之后,已制定计划在华城工厂建设1c DRAM(第6代10nm级DRAM)量产线。预计该项投资最早将于今年年底完成,此举被解读为反映了公司内部对提高收益率的信心。
芯片说 IC TIME
1130
05/23 09:05
dram
三星电子
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