HBM3_HBM3资讯 - 与非网

进入8月，有传闻称，韩国存储芯片巨头三星电子（以下简称“三星”）的8层HBM3E内存（高带宽内存新一代产品）已通过英伟达测试。对此，三星回应：与事实相距甚远。其相关人员表示：“我们不能证实与我们客户相关的传闻，但这个报道不是真的。正如我们上个月电话会议上所说的，质量测试还在进行中，在那之后还没有取得更多进展。”这番解释中，依然能看到HBM3E内存产品是三星打入英伟达产品链的“敲门砖”。

中国电子报

857

08/22 10:40

三星电子 HBM3

HBM新战局，半导体存储厂商们准备好了吗？

在半导体存储领域，参与HBM市场竞争的存储厂商主要为SK海力士、三星和美光，三者的竞争已经延续到HBM3e。而近日，行业标准制定组织固态技术协会JEDEC宣布HBM4即将完成的消息引发了业界关注，这似乎也预示着HBM领域新的战场已经开启...

全球半导体观察

918

07/16 12:50

HBM 存储厂商

SK海力士官宣：HBM3E良率已达80%！

SK海力士宣布，其第五代高带宽存储器HBM3E的良率已达到80%。这远远超出了业界预期的60~70%。良品率是正常产品减去不良品的比率，“80%的良品率”意味着生产的100个产品中有80个是正常的。

芯片说 IC TIME

1662

05/23 16:30

SK海力士 HBM3

这一次，三星被台积电卡脖子了

在晶圆代工领域，三星与台积电是纯粹的竞争关系，但在存储芯片市场，作为行业霸主，三星却不得不寻求与台积电深入合作，这都是英伟达惹的祸。

半导体产业纵横

2607

05/21 09:10

台积电三星电子

三星成立HBM3E特别工作组，抢500亿大单

三星电子为了向英伟达提供新一代高带宽存储器（HBM），投入了400多名半导体ACE（最高水平的）员工。“三星电子为打通特定客户公司投入这么多人力，实属史无前例。”有分析认为，只有抓住“英伟达”才能掌握市场主导权，所以三星动员了公司的全部力量。

芯片说 IC TIME

1246

05/13 08:43

HBM HBM3

HBM3E起飞，冲锋战鼓已然擂响

HBM即高带宽内存，是一款新型的CPU/GPU内存芯片。如果说传统的DDR就是采用的"平房设计"方式，那么HBM则是采用"楼房设计"方式。目前，HBM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。

半导体产业纵横

4517

04/01 10:20

HBM HBM3

价格暴涨500%，HBM市场彻底被引爆

内存技术作为计算机系统的核心组成部分，其性能的提升对于整体计算能力的提升至关重要。在这个背景下，高带宽内存（HBM）以其卓越的性能表现，正逐渐在内存技术领域崭露头角，成为推动计算领域进入全新时代的关键力量。

半导体产业纵横

2369

02/23 09:40

内存 HBM

Rambus推9.6 Gbps HBM3内存控制器IP，直击AI训练内存墙痛点

oe Salvador认为：“确实，当前市场上几家主流的内存厂商都宣称有HBM3e内存，但从规格的角度上来讲，目前所说的HBM3e还不是正式的行业标准，它是在HBM3基础上的拓展，比较HBM3E和HBM3，可以发现其实堆栈的厚度没有变化，支持的DRAM容量也没有变化，变化的知识总带宽。”

夏珍

3650

2023/12/18

与非观察 Rambus

各原厂预期2024年第一季于NVIDIA完成HBM3e产品验证；而HBM4预计2026年推出

为了更妥善且健全的供应链管理，NVIDIA也规划加入更多的HBM供应商，其中三星（Samsung）的HBM3（24GB）预期于今年12月在NVIDIA完成验证。而HBM3e进度依据时间轴排列如下表所示，美光（Micron）已于今年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA样品、SK海力士（SK hynix）已于今年8月中提供8hi（24GB）样品、三星则于今年10月初提供8hi（24GB）样品。

与非网编辑

2092

2023/11/27

AI芯片 NVIDIA

英伟达H200带宽狂飙！HBM3e/HBM3时代即将来临

当地时间11月13日，英伟达（NVIDIA）宣布推出NVIDIA HGX™ H200，旨为世界领先的AI计算平台提供强大动力，将于2024年第二季度开始在全球系统制造商和云服务提供商处提供。

全球半导体观察

2435

2023/11/15

存储器 HBM3

受AI加速芯片新品带动，HBM3与HBM3e将成为2024年HBM市场主流

2023年HBM（High Bandwidth Memory）市场主流为HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多数CSPs自研加速芯片皆以此规格设计。同时，为顺应AI加速器芯片需求演进，各原厂计划于2024年推出新产品HBM3e，预期HBM3与HBM3e将成为明年市场主流。

与非网编辑

2762

2023/08/01

NVIDIA HBM

美光推出性能更出色的大容量高带宽内存 (HBM) 助力生成式人工智能创新

业界首款8层堆叠的24GB容量第二代HBM3，带宽超过1.2TB/s，先进的1β制程节点提供卓越能效 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布，公司已开始出样业界首款8层堆叠的24GB容量第二代HBM3内存，其带宽超过1.2TB/s，引脚速率超过9.2Gb/s，比当前市面上现有的HBM3解决方案性能可提升最高50%。美光第二代HBM3产品

与非网编辑

2883

2023/07/27

人工智能台积电

高带宽内存HBM需求猛涨，原因还是……

ChatGPT已经从下游AI应用“火”到了上游芯片领域，在将GPU等AI芯片推向高峰之外，也极大带动了市场对新一代内存芯片HBM（高带宽内存)的需求。据悉，2023年开年以来三星、SK海力士的HBM订单就快速增加，价格也水涨船高。有市场人士透露近期HBM3规格DRAM价格上涨了5倍。这也为寒冬中的存储器市场带来了一抹春色。

中国电子报

1457

2023/02/27

存储芯片 HBM

深度丨巨头领跑，HBM3时代来临

·聚焦:人工智能、芯片等行业