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HBM3E时代到来,三星电子依然焦虑
进入8月,有传闻称,韩国存储芯片巨头三星电子(以下简称“三星”)的8层HBM3E内存(高带宽内存新一代产品)已通过英伟达测试。对此,三星回应:与事实相距甚远。其相关人员表示:“我们不能证实与我们客户相关的传闻,但这个报道不是真的。正如我们上个月电话会议上所说的,质量测试还在进行中,在那之后还没有取得更多进展。”这番解释中,依然能看到HBM3E内存产品是三星打入英伟达产品链的“敲门砖”。
中国电子报
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08/22 10:40
三星电子
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HBM新战局,半导体存储厂商们准备好了吗?
在半导体存储领域,参与HBM市场竞争的存储厂商主要为SK海力士、三星和美光,三者的竞争已经延续到HBM3e。而近日,行业标准制定组织固态技术协会JEDEC宣布HBM4即将完成的消息引发了业界关注,这似乎也预示着HBM领域新的战场已经开启...
全球半导体观察
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07/16 12:50
HBM
存储厂商
SK海力士官宣:HBM3E良率已达80%!
SK海力士宣布,其第五代高带宽存储器HBM3E的良率已达到80%。这远远超出了业界预期的60~70%。良品率是正常产品减去不良品的比率,“80%的良品率”意味着生产的100个产品中有80个是正常的。
芯片说 IC TIME
1663
05/23 16:30
SK海力士
HBM3
这一次,三星被台积电卡脖子了
在晶圆代工领域,三星与台积电是纯粹的竞争关系,但在存储芯片市场,作为行业霸主,三星却不得不寻求与台积电深入合作,这都是英伟达惹的祸。
半导体产业纵横
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05/21 09:10
台积电
三星电子
三星成立HBM3E特别工作组,抢500亿大单
三星电子为了向英伟达提供新一代高带宽存储器(HBM),投入了400多名半导体ACE(最高水平的)员工。“三星电子为打通特定客户公司投入这么多人力,实属史无前例。”有分析认为,只有抓住“英伟达”才能掌握市场主导权,所以三星动员了公司的全部力量。
芯片说 IC TIME
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05/13 08:43
HBM
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