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HBM3E时代到来，三星电子依然焦虑

进入8月，有传闻称，韩国存储芯片巨头三星电子（以下简称“三星”）的8层HBM3E内存（高带宽内存新一代产品）已通过英伟达测试。对此，三星回应：与事实相距甚远。其相关人员表示：“我们不能证实与我们客户相关的传闻，但这个报道不是真的。正如我们上个月电话会议上所说的，质量测试还在进行中，在那之后还没有取得更多进展。”这番解释中，依然能看到HBM3E内存产品是三星打入英伟达产品链的“敲门砖”。

中国电子报

919

08/22 10:40

三星电子 HBM3
HBM新战局，半导体存储厂商们准备好了吗？

在半导体存储领域，参与HBM市场竞争的存储厂商主要为SK海力士、三星和美光，三者的竞争已经延续到HBM3e。而近日，行业标准制定组织固态技术协会JEDEC宣布HBM4即将完成的消息引发了业界关注，这似乎也预示着HBM领域新的战场已经开启...

全球半导体观察

1134

07/16 12:50

HBM 存储厂商
SK海力士官宣：HBM3E良率已达80%！

SK海力士宣布，其第五代高带宽存储器HBM3E的良率已达到80%。这远远超出了业界预期的60~70%。良品率是正常产品减去不良品的比率，“80%的良品率”意味着生产的100个产品中有80个是正常的。

芯片说 IC TIME

1779

05/23 16:30

SK海力士 HBM3
这一次，三星被台积电卡脖子了

在晶圆代工领域，三星与台积电是纯粹的竞争关系，但在存储芯片市场，作为行业霸主，三星却不得不寻求与台积电深入合作，这都是英伟达惹的祸。

半导体产业纵横

2399

05/21 09:10

台积电三星电子
三星成立HBM3E特别工作组，抢500亿大单

三星电子为了向英伟达提供新一代高带宽存储器（HBM），投入了400多名半导体ACE（最高水平的）员工。“三星电子为打通特定客户公司投入这么多人力，实属史无前例。”有分析认为，只有抓住“英伟达”才能掌握市场主导权，所以三星动员了公司的全部力量。

芯片说 IC TIME

1153

05/13 08:43

HBM HBM3

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