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氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。

氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。收起

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    在当今科技飞速发展的时代,电子器件的性能提升备受关注,而散热问题始终是制约其发展的关键因素之一。 氮化镓(GaN)作为高频、高功率微波功率器件的理想材料,在众多领域有着广泛应用。 然而,随着GaN HEMT(高迁移率晶体管)器件功率密度及频率的不断提高,散热问题日益凸显,已成为性能进一步提升的瓶颈。 在此背景下,金刚石基GaN技术应运而生,其凭借金刚石超高的热导率,有望解决散热难题,为电子器件的发展带来新的曙光。
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    8月23日,据韩媒报道,韩国氮化镓企业Wavice 宣布在22日向韩国金融服务委员会提交了上市申请报告,将在 KOSDAQ 市场(韩国创业板市场)上市,并开始正式公开募股。
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    08/29 08:34
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    自去年以来,氮化镓(GaN)功率半导体市场可谓热闹非凡。英飞凌、瑞萨电子、格芯等头部大厂纷纷开始并购GaN技术公司,强化在GaN领域的技术储备。虽然GaN在快充领域应用已经日渐成熟,但随着新兴产业如电动汽车、人工智能、机器人等逐渐发展,对更高功率更低能耗的要求,将促发氮化镓器件逐渐取代传统硅基器件,氮化镓在这些高价值场景的商业化应用渐次铺开,也因此驱使半导体大厂在氮化镓领域纷纷积极布局。
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  • ​AI服务器、人形机器人等引燃,氮化镓打响“翻身仗”!
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  • 汽车DC/DC正式采用GaN!供应商是谁?
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    8月9日,据英飞凌官网透露,他们的CoolGaN™ 650V 晶体管产品将被纬湃科技采用,以提高汽车DC/DC 转换器的功率密度,并减少系统成本。
  • 又一家氮化镓厂商将上市,产业热度再升温!
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    布局资本市场一直以来都是企业进一步扩大规模和影响力的重要途径之一,从融资到上市,企业可获得的资金支持以及可利用的优势资源逐步提升。以SiC/GaN产业为例,据集邦化合物半导体观察,今年以来超过10家相关企业推进上市进程、更新上市状态或公布上市计划。在GaN领域,继英诺赛科、台亚半导体子公司之后,近日又一家GaN相关厂商启动了IPO计划,进一步反映了GaN功率半导体技术的前景备受看好。
  • 机器人采用GaN!又撬开1个千亿级市场
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    今年氮化镓的“朋友圈”不断扩大,此前,大疆电动车采用GaN(链接),近期国内GaN企业与一家机器人科技公司达成了合作协议,将加速GaN技术在机器人领域的导入应用。
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    自2023年10月,英飞凌成功收购氮化镓系统公司(GaN Systems)之后,进一步增强了英飞凌在功率系统领域的领导地位。
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