GaN

• 超3.3亿！新增4个氮化镓项目
  

  近日，山东、浙江及中国台湾地区共新增了4个GaN相关项目，10月18日，据“投资济南”官微消息，济南市半导体、空天信息产业高价值技术成果本市转化对接会于17日在历城区国家超级计算济南中心举办，会上签约了一个GaN单晶项目。

  行家说三代半

  1098

  10/22 08:44

  GaN 氮化镓
• 英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率
  

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布与总部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作关系，后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者。英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P，帮助该公司开发先进的无线功率解决方案，为各行各业开辟解决功率难题的新途径。 此次合作将英飞凌的先进氮化镓（GaN

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  673

  10/21 09:32

  英飞凌 GaN
• 这家GaN突破3300V！投资15亿建3条芯片线
  

  近日，一家GaN企业宣布了其在高压氮化镓功率器件领域的突破，电压等级达3300V——10月18日，据“泰克科技”官微消息，近日，远山半导体发布了新一代高压氮化镓功率器件，并送往泰克科技进行了测试。

  行家说三代半

  737

  10/21 11:50

  GaN 氮化镓
• GaN主驱电控即将面世？这几家企业联手了
  

  继宣布将出售部分股权后，罗姆还公布了在GaN领域的新合作；此外，“行家说三代半”还汇总了近期GaN行业的多起合作案，详情请看：

  行家说三代半

  542

  10/11 09:00

  GaN 功率半导体
• 总投资超36亿，新增6个GaN项目
  

  氮化镓行业最近很是热闹，英飞凌宣布实现了12吋晶圆突破；近日，国内外多家GaN也传来了项目、研发等新动态：● 冠鼎半导体：投资1.055亿人民币，推进第三代氮化镓功率半导体生产新建项目。● 华通芯电：旗下封装产线正式通线，专注于氮化镓射频功率器件模组的封装与测试。● 新镓能半导体：氮化镓功率芯片项目签约落户无锡惠山。

  行家说三代半

  1719

  09/18 10:48

  GaN 氮化镓
• 英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今天宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于 200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了 2.3

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  673

  09/12 07:13

  英飞凌 GaN
• 12英寸氮化镓，新辅助？
  第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。

  全球半导体观察

  1738

  09/11 15:26

  GaN 氮化镓
• 这家GaN企业将上市，募资近1亿
  

  8月23日，据韩媒报道，韩国氮化镓企业Wavice 宣布在22日向韩国金融服务委员会提交了上市申请报告，将在 KOSDAQ 市场（韩国创业板市场）上市，并开始正式公开募股。

  行家说三代半

  1118

  08/29 08:34

  GaN
• GaN功率半导体市场发展提速，行业首波整合潮出现
  

  自去年以来，氮化镓（GaN）功率半导体市场可谓热闹非凡。英飞凌、瑞萨电子、格芯等头部大厂纷纷开始并购GaN技术公司，强化在GaN领域的技术储备。虽然GaN在快充领域应用已经日渐成熟，但随着新兴产业如电动汽车、人工智能、机器人等逐渐发展，对更高功率更低能耗的要求，将促发氮化镓器件逐渐取代传统硅基器件，氮化镓在这些高价值场景的商业化应用渐次铺开，也因此驱使半导体大厂在氮化镓领域纷纷积极布局。

  芯智讯

  1337

  08/24 08:55

  GaN 功率半导体
• Pulsiv发布了效率超高的65W USB-C设计，可将温度降低30%
  

  位于英国剑桥的电力电子技术创新企业Pulsiv Limited宣布推出效率超高*的65W USB-C GaN优化参考设计，该设计旨在解决电源中的复杂热性能挑战。这一备受期待的突破性开发成果将提供其他设计中所未有的独特功能和优势组合，必将彻底改变USB-C快速充电领域。 PSV-RDAD-65USB参考设计将Pulsiv OSMIUM技术与行业标准的准谐振反激变换器和高度优化、超紧凑的磁性组件相结合

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  1366

  08/23 07:59

  电源 GaN
• 三相集成 GaN 技术如何更大限度地 提高电机驱动器的性能
  

  内容概览 1GaN 如何提高逆变器效率 2使用 GaN 电源开关提高电机性能 3在电机驱动器中使用 GaN 时的设计注意事项 在应对消费类电器、楼宇暖通空调 (HVAC) 系统和工业驱动装置的能耗挑战中，业界积极响应，通过实施诸如季节性能效比 (SEER)、最低能效标准 (MEPS)、Energy Star 和Top Runner 等项目推进建立系统能效评级体系。 变频驱动器 (VFD) 可为加热

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  1214

  08/20 10:10

  GaN 逆变器
• ​AI服务器、人形机器人等引燃，氮化镓打响“翻身仗”！
  

  从欢呼声到质疑声，GaN（氮化镓）近几年在功率半导体市场并非一路坦途，中间呈现出些许“雷声大雨点小”的态势，但GaN巨大的应用潜力一直毋庸置疑，用心挖掘其技术潜能并认真耕耘市场的企业深知，GaN只是还没到绽放的时机。

  化合物半导体市场

  2141

  08/20 08:53

  数据中心 GaN
• 英飞凌推出全新CoolGaN™ Drive产品系列，包括带有集成驱动器的集成单开关和半桥
  

  消费电子和工业应用领域正呈现出便携化、电气化、轻量化等多样化的发展趋势。而这些趋势都需要紧凑高效的设计，同时还需采用非常规 PCB设计，此类设计面临严格的空间限制，从而限制了外部元件的使用。为应对这些挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN™ Drive产品系列，进一步丰富了其氮化镓（GaN）产品组合。该产品系列包括CoolGaN™ Driv

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  1191

  08/14 14:12

  英飞凌 GaN
• 汽车DC/DC正式采用GaN！供应商是谁？
  

  8月9日，据英飞凌官网透露，他们的CoolGaN™ 650V 晶体管产品将被纬湃科技采用，以提高汽车DC/DC 转换器的功率密度，并减少系统成本。

  行家说三代半

  2681

  08/13 08:20

  英飞凌 GaN
• 又一家氮化镓厂商将上市，产业热度再升温！
  

  布局资本市场一直以来都是企业进一步扩大规模和影响力的重要途径之一，从融资到上市，企业可获得的资金支持以及可利用的优势资源逐步提升。以SiC/GaN产业为例，据集邦化合物半导体观察，今年以来超过10家相关企业推进上市进程、更新上市状态或公布上市计划。在GaN领域，继英诺赛科、台亚半导体子公司之后，近日又一家GaN相关厂商启动了IPO计划，进一步反映了GaN功率半导体技术的前景备受看好。

  化合物半导体市场

  1520

  08/02 11:12

  GaN 氮化镓
• 机器人采用GaN！又撬开1个千亿级市场
  

  今年氮化镓的“朋友圈”不断扩大，此前，大疆电动车采用GaN（链接），近期国内GaN企业与一家机器人科技公司达成了合作协议，将加速GaN技术在机器人领域的导入应用。

  行家说三代半

  1441

  07/31 08:40

  机器人 GaN
• 英飞凌收购GaN Systems后，带来了哪些惊喜？
  

  自2023年10月，英飞凌成功收购氮化镓系统公司（GaN Systems）之后，进一步增强了英飞凌在功率系统领域的领导地位。

  TechSugar

  1451

  07/26 12:50

  英飞凌 GaN
• 名古屋大学诺奖团队Nature：GaN新型超晶格结构，为增强GaN器件性能提供选择！
  近日，日本名古屋大学（Nagoya University）的一项新研究发现，将氮化镓（GaN）和镁（Mg）简单热反应就会形成独特的超晶格结构。这是研究人员首次发现可以将二维金属层插入块状半导体中，这有望提高GaN半导体器件性能。同时这项新结构的发现，打开了半导体材料新型掺杂机制和薄膜材料新型形变机制的两扇新窗。研究人员将这一发现称为“大自然的馈赠”，它可能会开辟新的途径并激发该领域更多的基础研究。

  DT半导体

  1668

  07/22 12:25

  GaN GaN器件
• 德州仪器，GaN技术爆发在即！
  

  德州仪器成立于 1930 年。1958 年在德州仪器的实验室里，工程师 Jack Kilby 成功把电子器件集成在一块半导体材料硅上，发明出世界上第一颗集成电路。以此为基石，德州仪器始终专注设计、制造、测试和销售模拟和嵌入式处理芯片。德州仪器初心未改，致力于通过半导体技术让电子产品更经济实用，让世界更美好。 2024年上海慕尼黑电子展，德州仪器带来了重点展示了三大板块：汽车电子、机器人、能源基础设

  王兵

  4020

  07/19 08:58

  GaN
• 英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列
  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫，这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能，确保其在G

  与非网编辑

  869

  07/10 09:31

  英飞凌 GaN

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