GaN

• EPC创始人：GaN临界点已到来

  近日，EPC宜普科技公司CEO及创始人Alex Lidow对外发表了一篇文章，旗帜鲜明地提出——GaN临界点已到来。GaN 功率晶体管正处于一个临界点。在这个临界点上，任何微小的变化或动作都会产生重大且不可逆转的影响，GaN器件的未来已经到了势不可挡的地步。

  行家说三代半

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  14小时前

  GaN EPC

  
• 超25亿！这家GaN企业扩产

  1月14日，据Semiconductor Today报道，MACOM宣布了一项长期资本投资计划，以扩大GaN产能：未来五年内，MACOM计划投资 3.45 亿美元（约合人民币25.2亿）对其位于美国马萨诸塞州洛厄尔和北卡罗来纳州达勒姆的晶圆制造设施进行现代化改造，从而在创造 350 个制造业岗位和近 60 个建筑岗位。

  行家说三代半

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  01/16 08:59

  GaN MACOM

  
• 泰克与远山半导体合作再结硕果，共推1700V GaN器件迈向新高度

  近日，泰克科技与远山半导体的合作迎来又一重要里程碑，双方携手对远山半导体最新推出的1700V GaN器件进行了深入测试与评估，成果斐然，为该器件在高端应用市场的拓展注入强劲动力。 此前，远山半导体凭借其在高压GaN器件领域的持续创新，已成功推出多款产品，并逐步将额定电压提升至1700V，这一电压等级的突破，相较于1200V器件实现了显著性能飞跃。为攻克GaN器件常见的电流崩塌难题，远山半导体采用了

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  01/15 08:17

  GaN 功率器件

  
• Allegro MicroSystems重新定义传感技术，推出全新紧凑型封装电流传感器IC

  全球领先的运动控制、节能系统电源及传感解决方案供应商Allegro MicroSystems, Inc.（纳斯达克股票代码：ALGM；以下简称为“Allegro”）宣布推出两款全新电流传感器IC - ACS37030MY和ACS37220MZ。凭借Allegro的尖端传感技术，这些IC提供低内部导体电阻、高工作带宽和可靠的性能，适用于各种汽车、工业和消费类应用。 “Allegro持续推动传感器IC

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  01/10 07:02

  GaN Allegro

  
• 英诺赛科正式敲钟上市，国内GaN第一股诞生

  12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司正式在香港联合交易所主板挂牌上市，股票简称“英诺赛科”，股票代码02577.HK。当天，众多英诺赛科公司领导及员工共同敲响上市宝钟，一同见证这一里程碑性时刻。在敲钟仪式上，英诺赛科创始人、董事长骆薇薇博士表示：“英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者，也是全球最大的氮化镓晶片制造企业。

  行家说三代半

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  2024/12/31

  GaN 英诺赛科

  
• GaN“上车”进程提速：1200V MOS、800V模块

  氮化镓技术在电动汽车领域的应用潜力在日益显现，研发热度不断上涨。近日，国外多家企业/机构向公众展示了“GaN上车”的最新研究成果：

  行家说三代半

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  2024/12/25

  GaN 氮化镓

  
• Bourns 全新推出符合 AEC-Q200 标准车规级高隔离反激式变压器系列

  美国柏恩 Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商，全新扩展其产品线，推出符合 AEC-Q200 标准车规级 HVMA03F40C-ST10S 反激式变压器。该系列专为在紧凑尺寸中实现高功率密度与更高效率而设计，Bourns 持续推出具备更高能力的高隔离反激式及栅极驱动变压器系列产品，以因应当今汽车、工业以及能源储存设计对于功率密度的不断增长需求。Bourns® HVMA 型号变压器的多项特性

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  2024/12/24

  GaN 柏恩Bourns

  
• 迈向更绿色的未来：GaN技术的变革性影响

  作者：Nihit Bajaj 英飞凌科技 GaN产品高级总监 校对：宋清亮 英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区高级首席工程师 过去几十年间，人口和经济活动的快速增长推动了全球能源消耗的稳步增长，并且预计这一趋势还将持续。这种增长是线下与线上活动共同作用的结果。因此，数据中心的快速扩张显著增加了全球电力需求。据估计，2022年全球数据中心耗电量约为240-340太瓦时（TWh）。近年来，全球数据

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  2024/12/23

  GaN 氮化镓

  
• 无辅助绕组 GaN 反激式转换器如何解决交流/直流适配器设计难题

  人们对更小、更高效电源的需求不断增长，进而推动着基于氮化镓 (GaN) 的功率级快速普及。在交流/直流适配器市场中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式转换器，通过功能越来越强大但尺寸越来越小的适配器，帮助扩大 USB Type-C® 接口的市场规模。 虽然这令人振奋，但与此同时，电源设计人员必须降低系统成本和复杂性。借助反激式转换器设计中的最新创新成果，无需使用辅助绕组即可实现器件偏置（无辅助绕组

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  2024/12/11

  GaN EMI

  
• 英飞凌推出新型EiceDRIVER™ Power全桥变压器驱动器系列

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出适用于IGBT、SiC和GaN栅极驱动器电源的EiceDRIVER™ Power 2EP1xxR全桥变压器驱动器系列。2EP1xxR系列扩大了英飞凌功率器件产品阵容，为设计人员提供了隔离式栅极驱动器电源解决方案。该系列半导体器件可以帮助实现非对称输出电压，以经济高效、节省空间的方式为隔离式栅极驱动器供电。因此，2EP1xx

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  2024/12/06

  英飞凌 GaN

  
• 贸泽电子与Analog Devices和Bourns联手发布全新电子书

  专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 代理商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新电子书，探讨氮化镓 (GaN) 在效率、性能和可持续性方面的优势，以及发挥这些优势所面临的挑战。 《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位专家畅谈

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  2024/12/03

  贸泽电子 GaN

  
• 国产OBC采用GaN！可节省1500元

  11月25日，汇川联合动力在官微宣布，他们正式推出了新一代6.6 kW GaN车载二合一电源产品，该产品将车载充电器与车载直流变换器集成，采用GaN功率器件，达到了业内领先的96%充电效率和4.8 kW/L整机功率密度。

  行家说三代半

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  2024/11/26

  GaN GaN功率器件

  
• 他们都在“抢”金刚石热管理！

  在当今科技飞速发展的时代，电子器件的性能提升备受关注，而散热问题始终是制约其发展的关键因素之一。 氮化镓（GaN）作为高频、高功率微波功率器件的理想材料，在众多领域有着广泛应用。 然而，随着GaN HEMT（高迁移率晶体管）器件功率密度及频率的不断提高，散热问题日益凸显，已成为性能进一步提升的瓶颈。 在此背景下，金刚石基GaN技术应运而生，其凭借金刚石超高的热导率，有望解决散热难题，为电子器件的发展带来新的曙光。

  DT半导体

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  2024/11/21

  GaN 金刚石

  
• CGD和Qorvo將共同革新電機控制解決方案

  雙方合作將Qorvo的高性能BLDC/PMSM電機控制器/驅動器與CGD易於使用的ICeGaN IC結合於新的評估套件（EVK）中。 英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices，簡稱 CGD）是一家專注於研發高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日，該公司與全球領先的連接和電源解決方案提供商 Qorvo®（Nasdaq: QRVO）合

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  2024/11/15

  Qorvo GaN

  
• 纳芯微提供全场景GaN驱动IC解决方案

  作为当下热门的第三代半导体技术，GaN在数据中心、光伏、储能、电动汽车等市场都有着广阔的应用场景。和传统的Si器件相比，GaN具有更高的开关频率与更小的开关损耗，但对驱动IC与驱动电路设计也提出了更高的要求。按照栅极特性差异，GaN分为常开的耗尽型（D-mode）和常关的增强型（E-mode）两种类型；按照应用场景差异，GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景，纳芯微推出了一系列驱动IC解决方案，助力于充分发挥GaN器件的性能优势。

  纳芯微电子

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  2024/11/14

  GaN 纳芯微
• 超3.3亿！新增4个氮化镓项目

  近日，山东、浙江及中国台湾地区共新增了4个GaN相关项目，10月18日，据“投资济南”官微消息，济南市半导体、空天信息产业高价值技术成果本市转化对接会于17日在历城区国家超级计算济南中心举办，会上签约了一个GaN单晶项目。

  行家说三代半

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  2024/10/22

  GaN 氮化镓

  
• 英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布与总部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作关系，后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者。英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P，帮助该公司开发先进的无线功率解决方案，为各行各业开辟解决功率难题的新途径。 此次合作将英飞凌的先进氮化镓（GaN

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  2024/10/21

  英飞凌 GaN

  
• 这家GaN突破3300V！投资15亿建3条芯片线

  近日，一家GaN企业宣布了其在高压氮化镓功率器件领域的突破，电压等级达3300V——10月18日，据“泰克科技”官微消息，近日，远山半导体发布了新一代高压氮化镓功率器件，并送往泰克科技进行了测试。

  行家说三代半

  1405

  2024/10/21

  GaN 氮化镓

  
• GaN主驱电控即将面世？这几家企业联手了

  继宣布将出售部分股权后，罗姆还公布了在GaN领域的新合作；此外，“行家说三代半”还汇总了近期GaN行业的多起合作案，详情请看：

  行家说三代半

  926

  2024/10/11

  GaN 功率半导体

  
• 总投资超36亿，新增6个GaN项目

  氮化镓行业最近很是热闹，英飞凌宣布实现了12吋晶圆突破；近日，国内外多家GaN也传来了项目、研发等新动态：● 冠鼎半导体：投资1.055亿人民币，推进第三代氮化镓功率半导体生产新建项目。● 华通芯电：旗下封装产线正式通线，专注于氮化镓射频功率器件模组的封装与测试。● 新镓能半导体：氮化镓功率芯片项目签约落户无锡惠山。

  行家说三代半

  2616

  2024/09/18

  GaN 氮化镓

  

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