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氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。

氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。收起

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    在当今科技飞速发展的时代,电子器件的性能提升备受关注,而散热问题始终是制约其发展的关键因素之一。 氮化镓(GaN)作为高频、高功率微波功率器件的理想材料,在众多领域有着广泛应用。 然而,随着GaN HEMT(高迁移率晶体管)器件功率密度及频率的不断提高,散热问题日益凸显,已成为性能进一步提升的瓶颈。 在此背景下,金刚石基GaN技术应运而生,其凭借金刚石超高的热导率,有望解决散热难题,为电子器件的发展带来新的曙光。
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    11/21 11:20
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    作为当下热门的第三代半导体技术,GaN在数据中心、光伏、储能、电动汽车等市场都有着广阔的应用场景。和传统的Si器件相比,GaN具有更高的开关频率与更小的开关损耗,但对驱动IC与驱动电路设计也提出了更高的要求。按照栅极特性差异,GaN分为常开的耗尽型(D-mode)和常关的增强型(E-mode)两种类型;按照应用场景差异,GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景,纳芯微推出了一系列驱动IC解决方案,助力于充分发挥GaN器件的性能优势。
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    继宣布将出售部分股权后,罗姆还公布了在GaN领域的新合作;此外,“行家说三代半”还汇总了近期GaN行业的多起合作案,详情请看:
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    氮化镓行业最近很是热闹,英飞凌宣布实现了12吋晶圆突破;近日,国内外多家GaN也传来了项目、研发等新动态:● 冠鼎半导体:投资1.055亿人民币,推进第三代氮化镓功率半导体生产新建项目。● 华通芯电:旗下封装产线正式通线,专注于氮化镓射频功率器件模组的封装与测试。● 新镓能半导体:氮化镓功率芯片项目签约落户无锡惠山。
  • 英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术,推动行业变革
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    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)今天宣布,已成功开发出全球首项300 mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于 200 mm晶圆,300 mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进,也因为晶圆直径的扩大,每片晶圆上的芯片数量增加了 2.3
  • 12英寸氮化镓,新辅助?
    第三代半导体材料氮化镓,传来新消息:日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。
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    8月23日,据韩媒报道,韩国氮化镓企业Wavice 宣布在22日向韩国金融服务委员会提交了上市申请报告,将在 KOSDAQ 市场(韩国创业板市场)上市,并开始正式公开募股。
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    08/29 08:34
    GaN
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    GaN功率半导体市场发展提速,行业首波整合潮出现
    自去年以来,氮化镓(GaN)功率半导体市场可谓热闹非凡。英飞凌、瑞萨电子、格芯等头部大厂纷纷开始并购GaN技术公司,强化在GaN领域的技术储备。虽然GaN在快充领域应用已经日渐成熟,但随着新兴产业如电动汽车、人工智能、机器人等逐渐发展,对更高功率更低能耗的要求,将促发氮化镓器件逐渐取代传统硅基器件,氮化镓在这些高价值场景的商业化应用渐次铺开,也因此驱使半导体大厂在氮化镓领域纷纷积极布局。
  • Pulsiv发布了效率超高的65W USB-C设计,可将温度降低30%
    Pulsiv发布了效率超高的65W USB-C设计,可将温度降低30%
    位于英国剑桥的电力电子技术创新企业Pulsiv Limited宣布推出效率超高*的65W USB-C GaN优化参考设计,该设计旨在解决电源中的复杂热性能挑战。这一备受期待的突破性开发成果将提供其他设计中所未有的独特功能和优势组合,必将彻底改变USB-C快速充电领域。 PSV-RDAD-65USB参考设计将Pulsiv OSMIUM技术与行业标准的准谐振反激变换器和高度优化、超紧凑的磁性组件相结合
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    08/23 07:59
  • 三相集成 GaN 技术如何更大限度地 提高电机驱动器的性能
    三相集成 GaN 技术如何更大限度地 提高电机驱动器的性能
    内容概览 1GaN 如何提高逆变器效率 2使用 GaN 电源开关提高电机性能 3在电机驱动器中使用 GaN 时的设计注意事项 在应对消费类电器、楼宇暖通空调 (HVAC) 系统和工业驱动装置的能耗挑战中,业界积极响应,通过实施诸如季节性能效比 (SEER)、最低能效标准 (MEPS)、Energy Star 和Top Runner 等项目推进建立系统能效评级体系。 变频驱动器 (VFD) 可为加热
  • ​AI服务器、人形机器人等引燃,氮化镓打响“翻身仗”!
    ​AI服务器、人形机器人等引燃,氮化镓打响“翻身仗”!
    从欢呼声到质疑声,GaN(氮化镓)近几年在功率半导体市场并非一路坦途,中间呈现出些许“雷声大雨点小”的态势,但GaN巨大的应用潜力一直毋庸置疑,用心挖掘其技术潜能并认真耕耘市场的企业深知,GaN只是还没到绽放的时机。

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