GaN

• 恩智浦：关闭射频GaN晶圆厂

  继台积电后，又一家半导体巨头宣布要退出氮化镓市场。

  行家说三代半

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  12/13 09:14

  GaN 射频
• 意法半导体新电机控制GaN芯片平台提升家电能效等级

  服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) （纽约证券交易所代码:STM) 新推出一款智能功率芯片，帮助家电和工业制造设备厂商利用最新的GaN (氮化镓)技术来提高电机驱动器的能效、性能和成本效益。 市面上现有的GaN电源适配器和充电器能够为笔记本电脑提供功率充足的电能，还能解决USB-C快充对功率的需求，而且能效很高，能够满足即将

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  12/09 11:32

  意法半导体 GaN

  
• AMEYA360代理：上海永铭第三代半导体落地关键，如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案

  引言： 氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)技术正推动功率电子革命，但真正的场景落地，离不开与之匹配的被动元件协同进化。 当第三代半导体器件以其高频、高效、耐高温高压的优势，在新能源汽车电驱系统、光伏储能逆变器、工业伺服电源、AI服务器电源及数据中心供电等场景中加速普及时，供电系统中的电容正面临前所未有的挑战：高频开关噪声加剧、高温容值衰减、纹波电流过大、功率密度不足——这些已成为GaN/SiC系统

  AMEYA360

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  12/05 12:38

  SiC 电容
• 安森美与英诺赛科达成战略合作协议，共同加速推进全球氮化镓产业生态建设

  安森美（onsemi）宣布已与英诺赛科（Innoscience）签署谅解备忘录，双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，以扩大 GaN 功率器件的生产规模。该合作将整合安森美在系统集成、驱动器和封装方面的专业能力，以及英诺赛科成熟先进的 GaN 制造能力，旨在加速推出高性价比、节能高效的解决方案，推动 GaN 技术普及进程。 安森美（onsemi）与英诺赛科（Innosci

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  12/04 10:47

  GaN 安森美
• 英飞凌XDP混合反激式控制器与CoolGaN技术赋能安克业界领先的160W Prime 充电器

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）宣布与领先的快充电源设备制造商安克（Anker）扩大合作，共同开发新一代高速充电器，实现高达 160W 功率的输出，同时保持紧凑、便携的口袋级尺寸。这一合作成果正在重新定义高功率密度和高效率的行业标准，尤其体现在安克推出的 160W Prime 充电器上。这款业界领先的设备采用英飞凌最

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  12/03 07:04

  英飞凌 GaN

  
• 突破45亿美元！SiC/GaN正驶向新周期

  行家说三代半年会将于12月3-4日在深圳召开，聚焦SiC与GaN市场发展趋势，涵盖全球市场规模、衬底出货量、GaN市场复盘及车规级市场前景等内容，邀请多家知名企业进行深度分享，助力行业人士把握未来机遇。

  行家说三代半

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  12/01 09:30

  SiC GaN

  
• Teardown of a Tesla-specific Expansion Dock

  NOTE：Click here for the Chinese version. Tesla Model 3/Y originally comes with a limited number of USB-C ports, making it difficult to meet the charging and data transfer needs of multiple devices sim

  曹顺程

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  11/28 15:25

  拆解 MOSFET

  
• 安森美垂直氮化镓（vGaN） 技术10大高频问答

  安森美凭借垂直氮化镓(vGaN)技术引领电力电子领域的变革，提供高能效系统，革新性能与可靠性标准。垂直GaN因其独特的垂直电流路径，实现了更高的电流密度和工作电压，优于横向GaN、硅和碳化硅器件。安森美率先实现规模化量产，拥有众多专利和专业制造设施，确保卓越性能和可靠性。垂直GaN技术对于电动汽车、可再生能源和人工智能数据中心的发展至关重要，有助于提升系统能效、缩小体积和降低成本。

  安森美半导体

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  11/19 10:50

  GaN 氮化镓

  
• 三家企业推进 GaN/SiC 技术新进展

  英飞凌推出首款100V车规级GaN晶体管，GE Aerospace发布第四代碳化硅MOSFET器件，SemiQ推出新型SOT-227封装高性能碳化硅模块，三大企业在氮化镓和碳化硅领域取得新进展，推动功率半导体技术发展。

  化合物半导体市场

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  11/19 10:30

  英飞凌 碳化硅

  
• 新增5起GaN合作，涉及长安汽车/台积电等

  随着车规、消费电子等领域对GaN需求增加，产业链各方积极合作，推动GaN技术在多个领域的应用。平创半导体与长安汽车合作攻克车规级GaN功率芯片技术；红与蓝微电子与联颖光电加强GaN器件技术交流；格罗方德与台积电达成GaN技术授权；罗姆半导体与微星合作推广GaN适配器；英飞凌与海信携手推出GaN电视适配器。这些合作展示了GaN技术在不同应用场景中的潜力。

  行家说三代半

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  11/13 11:37

  GaN GaN技术

  
• GAN技术在电机控制中的优势

  来源：意法半导体 满足日益增长的高能效和高功率性能的需求，同时不断降低成本和尺寸是当今功率电子行业面临的主要挑战。 较新的宽禁带化合物半导体材料氮化镓 (GaN) 的引入代表功率电子行业在朝着这个方向发展，并且，随着这项技术的商用程度不断提高，其应用市场正在迅猛增长。 高电子迁移率晶体管(HEMT)氮化镓(GaN)的品质因数 (FOM)、导通电阻 RDS(on) 和总栅极电荷(QG)三个参数均优于

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  11/13 07:15

  GaN 电机驱动

  
• 合计近10亿！2家GaN企业推进融资

  纳微半导体计划融资1亿美元，加速进入高功率市场；Vertical Semiconductor获1100万美元融资，推动垂直氮化镓技术研发量产。

  行家说三代半

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  11/12 14:04

  GaN 纳微半导体
• 12英寸！新增3个GaN项目

  imec、格罗方德、爱思强等启动12英寸GaN项目，采用硅衬底及QST衬底；山东汶上县签约GaN半导体智能制造项目；Wayvis融资15.6亿用于投资建设射频GaN新工厂，预计2027年投产。

  行家说三代半

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  11/10 10:07

  GaN

  
• 机器人"关节革命"：GaN芯片成国产替代战场

  近日，中科无线半导体基于氮化镓(GaN)HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动器芯片已正式推出并商用。 这一成果进一步填补了国产机器人GaN驱动芯片的空白，为国产机器人关节模组的自主化提供了技术累计。 机器人保有量突破428万台，GaN成为下一阶段的增长点 近年来，全球机器人产业迎来爆发式增长。 国际机器人联合会(IFR)发布的《2024年全球机器人报告》显示，截至2023年底，全球工厂运行的机器人

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  11/05 13:20

  芯片 GaN
• 英飞凌推出首款100V车规级晶体管，推动汽车领域氮化镓（GaN）技术创新

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布推出其首款符合汽车电子委员会（AEC）汽车应用标准的氮化镓（GaN）晶体管系列，继续朝着成为GaN技术领导企业的目标迈进，并进一步巩固了其全球汽车半导体领导者的地位。 英飞凌CoolGaN™ 100V G1车规级晶体管 英飞凌正式推出CoolGaN™ 100V G1系列车规级晶体管，并开始提供符合AEC-Q101汽车应用标

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  11/05 10:11

  英飞凌 GaN

  
• 安森美发布垂直氮化镓（GaN）半导体：为人工智能（AI）与电气化领域带来突破性技术

  安森美的垂直GaN技术是一项突破性的功率半导体技术，为AI和电气化时代树立了在能效、功率密度和耐用性方面的新标杆。该技术在安森美纽约锡拉丘兹的工厂研发和制造，并已获得涵盖垂直GaN技术的基础工艺、器件设计、制造以及系统创新的130多项全球专利。 “垂直GaN是颠覆行业格局的技术突破，巩固了安森美在能效与创新领域的领先地位。随着电气化和人工智能重塑产业格局，能效已成为衡量进步的新标杆。我们的电源产品

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  10/31 11:10

  数据中心 GaN

  
• 新增3起GaN合作，聚焦数据中心、新能源汽车等领域

  英诺赛科、联合电子与纳芯微签署战略合作协议，共同研发新能源汽车智能GaN产品；瑞萨电子与奥海科技成立联合创新实验室，聚焦高功率服务器电源等；远驱科技、捷捷微电、晶能微电子开展电摩电控氮化镓功率器件及集成封装合作。

  行家说三代半

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  10/24 09:36

  新能源汽车 数据中心

  
• 12英寸GaN！又有2家企业传来新进展

  东微半导体与晶湛半导体达成战略合作，联手研发12英寸硅基氮化镓HEMT晶体管，推动氮化镓功率器件产业化。晶湛半导体拥有成熟12英寸硅基氮化镓技术，东微半导体业绩向好为其提供业务支撑。全球多家企业加速布局12英寸氮化镓，降低成本并提高产量。

  行家说三代半

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  10/23 17:38

  GaN 氮化镓

  
• 毛利转正、模组成最大业务，英诺赛科GaN产业化迎来拐点?

  2025年上半年，英诺赛科实现营收5.53亿元，同比增长43.4%。 这是英诺赛科自上市以来保持的又一次高速增长，背后是GaN应用从消费电子延展到数据中心、汽车和机器人等新场景带来的订单拉动。 更具标志性的是，毛利率在本期转正，达到6.8%，去年同期还是-21.6%。 这意味着规模效应和工艺优化开始释放，生产成本得到摊薄，英诺赛科摆脱了“越卖越亏”的困境。 图/英诺赛科2025年半年度报告 但其整

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  10/23 08:32

  GaN 晶圆
• Allegro MicroSystems 推出业界首款量产级 10 MHz TMR 电流传感器

  新一代 XtremeSense™ TMR 电流传感器，为电动汽车、清洁能源和数据中心等采用 GaN 与 SiC FET 的设计提供高保真电流信号，助力工程师精准掌控功率转换信号链 全球领先的运动控制、节能系统电源及传感解决方案供应商 Allegro MicroSystems, Inc.（以下简称“Allegro”，纳斯达克股票代码：ALGM）推出业界首款量产级10MHz 带宽磁性电流传感器 ACS

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  10/22 07:12

  SiC GaN

  

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