GaN晶体管

• GaN 晶体管可在反应堆中存活五年！核电或将为AI 未来提供动力！

  2024年6月25日，美国能源部核能办公室网站报道， 橡树岭国家实验室（ORNL）研究发现，氮化镓（GaN）半导体能够承受核反应堆堆芯附近的高温高辐射。这一发现可能促成在核反应堆中使用无线传感器，包括目前正在开发的先进小型模块化和微反应堆设计。   

  DT半导体

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  2024/07/04

  AI GaN

  
• 【技术大咖测试笔记系列】之八：低功率范围内的MOSFET表征

  半导体行业一直在寻找新型特殊材料、介电解决方案和新型器件形状，以进一步、再进一步缩小器件尺寸。例如，2D材料的横向和纵向异质结构导致了新的颠覆性小型低功率电子器件的产生。

  与非网编辑

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  2021/10/20

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