GaN技术_GaN技术资讯

德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产，加上德州仪器现有 GaN 制造产能，德州仪器的 GaN 功率半导体自有制造产能将提升至原来的四倍。德州仪器技术和制造集团高级副总裁 Mohammad Yunus 表示：“基于在 GaN 芯片设计和制造领域数十年的专业知识，我们已成功验证了德州仪器 8 英寸

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10/28 07:29

服务器德州仪器

Qorvo® 率先推出面向 DOCSIS 4.0 的 24V 功率倍增器

全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）宣布，率先推出面向 DOCSIS 4.0 宽带和有线电视（CATV）的 24V 功率倍增放大器——QPA3390。该款全新 1.8GHz 表面贴装模块带来卓越的效率和性能，且尺寸比传统混合解决方案缩小 30-40%，非常适合空间受限的应用场景。得益于先进的 GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 技术，此次发布的 QP

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09/19 08:07

Qorvo 放大器

这家GaN公司正式被收购，买方竟是它！

近年来，GaN（氮化镓）技术得益于高频率、高功率、耐高温、低功耗等特性，迅速渗透消费电子市场，并进一步向更高功率的应用市场探索。然而，在消费电子市场的发展空间不断缩小之际，GaN在高压高功率市场的发展不如预期，在此背景下，多家厂商因经营不佳，相继选择调整业务，或并入实力雄厚的功率半导体大厂，或直接退出市场。

化合物半导体市场

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05/09 08:50

氮化镓 GaN技术

又一款GaN充电桩，供应商是它？

近日，英飞凌联手日本欧姆龙推出了一款集成GaN技术的V2X 充电桩。据“行家说三代半”了解，国内外还有4家企业也将GaN技术应用在新能源汽车充电桩，详细情况请往下看。

行家说三代半

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01/18 09:18

充电桩 GaN技术

6500V+1200V！国内氮化镓技术再破瓶颈

近日，国内2家机构先后在超高压 GaN技术领域上取得重要成果：● 北京大学：新研发4500V GaN，可实现低动态电阻，实现大于6500V 耐压；● 能华半导体：开发超薄缓冲层外延技术，发布1200V增强型GaN单片集成平台；

行家说三代半

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01/09 10:20

GaN 氮化镓

Allegro：集成化趋势下Power-Thru系列隔离栅极驱动器

全球清洁能源市场要求汽车和工业领域的功率系统设计师更高效地生产、储存和使用能源，而宽带隙碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）能够在系统级提供明显的效率优势，但往往伴随着一些巨大的集成挑战。 Allegro MicroSystems（以下简称Allegro）是全球领先的磁传感器和功率IC解决方案厂商，总部位于美国新罕布什尔州的曼彻斯特。Allegro MicroSystems全球