无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装,它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装,坚固可靠。 DHDFN-9-1(双散热器DFN)是一种薄的双面冷却封装,外形尺寸仅为10x10
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 与台湾群光电能科技有限公司(TWSE:6412)和英国剑桥大学技术服务部 (CUTS) 签署了三方协议,共同设计和开发使用 GaN 的先进、高效、高功率密度适配器和数据中心电源产品。