无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装,它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装,坚固可靠。 DHDFN-9-1(双散热器DFN)是一种薄的双面冷却封装,外形尺寸仅为10x10
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 与台湾群光电能科技有限公司(TWSE:6412)和英国剑桥大学技术服务部 (CUTS) 签署了三方协议,共同设计和开发使用 GaN 的先进、高效、高功率密度适配器和数据中心电源产品。
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 再一次通过领先行业的创新举措展示公司的创新决心:在 GaN IC 上融入单独的二维条形码,并可通过标准商用读码器读取。这不仅使 CGD 能够扫描封装器件并识别电路和批次,还能准确了解每个芯片在晶圆上的制造位置。这对于提供有关工艺稳健性和可靠性的重要数据具有重要意义。