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GaN功率器件

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  • 泰克先进半导体实验室:量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试
    泰克先进半导体实验室:量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试
    在泰克先进半导体开放实验室,2024年8月份,我们有幸见证了量芯微(GaN Power)新一代1200V氮化镓(GaN)功率器件的动态参数测试。量芯微作为全球首家成功流片并量产1200V氮化镓功率器件的厂商,其最新产品在性能上的显著提升,不仅展现了技术的进步,也为我们的客户带来了新的解决方案。 测试概览 今年8月,我们收到了量芯微提供的新一代高压氮化镓器件,其额定工作条件提升至1200V/20A(
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    09/03 09:00
  • 这家上市公司介入GaN芯片制造
    这家上市公司介入GaN芯片制造
    近日,国内将新增一个GaN功率芯片生产项目——8月8日,圆融光电科技股份有限公司发布公告称,公司董事会已审议通过了关于GaN功率HEMT器件项目建设的议案。据悉,圆融科技与京皖智慧装备研究院(马鞍山)股份有限公司签署了关于GaN功率HEMT器件工艺流片及相关服务的《项目合作协议》,未来将进一步推动落实。
  • CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装
    CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装
    无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装,它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装,坚固可靠。 DHDFN-9-1(双散热器DFN)是一种薄的双面冷却封装,外形尺寸仅为10x10
  • CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统
    Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 与台湾群光电能科技有限公司(TWSE:6412)和英国剑桥大学技术服务部 (CUTS) 签署了三方协议,共同设计和开发使用 GaN 的先进、高效、高功率密度适配器和数据中心电源产品。
  • Cambridge GaN Devices推出独特的二维条形码,提高工艺稳健性和可靠性
    Cambridge GaN Devices推出独特的二维条形码,提高工艺稳健性和可靠性
    Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 再一次通过领先行业的创新举措展示公司的创新决心:在 GaN IC 上融入单独的二维条形码,并可通过标准商用读码器读取。这不仅使 CGD 能够扫描封装器件并识别电路和批次,还能准确了解每个芯片在晶圆上的制造位置。这对于提供有关工艺稳健性和可靠性的重要数据具有重要意义。