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意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值
意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片,利用宽禁带半导体技术简化电源设计,实现最新的生态设计目标。 意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能,以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。
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3514
2023/12/15
意法半导体
LLC
CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发并大批量生产了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 将首次参展 PCIM Asia,这是中国享誉行业的专业展会,专注于电力电子技术及其在智能移动、可再生能源和能源管理方面的应用。
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2856
2023/08/04
电力电子
PCIM Asia
替换Si MOSFET这个创新打破了GaN HEMT应用的两个难题
当前,以SiC和GaN为代表的第三代半导体在功率器件中的渗透率正在逐年上升。根据Yole的预测,虽然Si仍是功率半导体材料主流,但今年SiC的渗透率将有望达到3.75%,GaN的渗透率达到1.0%。
响指
1973
2023/07/25
第三代半导体
GaN HEMT
实测案例:1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试
氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表,具有极快的开关速度,能够显著提升功率变换器的性能,受到电源工程师的青睐。同时,极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求,稍有不慎就会得到错误结果。 传统氮化镓器件多用于消费类电子市场,研发高压氮化镓器件将有助于在电力电子、新能源和电动汽车行业开拓新的应用市场。量芯微(GaNPower)是全球第一家推出1200V高压硅基氮化镓功率器件的厂家。这次测试的
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2555
2023/07/18
示波器
功率器件
AMEYA360:ROHM具有业界高性能的650V耐压GaN HEMT
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。
AMEYA360电子元器件供应平台
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2023/05/19
GaN HEMT
ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT!
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。 据悉,电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半,为实现无碳社会,如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键,SiC (
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2023/05/16
ROHM
GaN HEMT
借助高能效GaN转换器,提高充电器和适配器设计的功率密度
如今,充电器和适配器应用最常用的功率转换器拓扑是准谐振(QR)反激式拓扑,因为它结构简单、控制简便、物料(BOM)成本较低,并可通过波谷切换工作实现高能效。
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