Supplyframe
Supplyframe XQ
Datasheet5
Component Search Engine
Findchips
bom2buy
Siemens Xcelerator
关注我们
扫码关注
获取工程师必备礼包
板卡试用/精品课
设计助手
电子硬件助手
元器件查询
首页
电路设计
企业专区
应用/图谱
与非原创
资讯
视频
活动
搜索
热搜
搜索历史
清空
创作者中心
加入星计划,您可以享受以下权益:
创作内容快速变现
行业影响力扩散
作品版权保护
300W+ 专业用户
1.5W+ 优质创作者
5000+ 长期合作伙伴
立即加入
电路方案
技术资料
数据手册
论坛
电路分析
拆解
评测
方案
1
基于51单片机智能鱼缸仿真LCD1602显示( proteus仿真+程序+设计报告+讲解视频)
2
SL3041 DC100V降压IC 兼容替代LM5117 储能电源降压芯片
3
CX8831C:外围精简,18W单口小体积车载快充充电器芯片
资料
1
高达264 kB的SRAM;以太网; 两个HS USB; 高级可配置外设
2
高速USB设备/主机+ PHY; 全速USB设备/主机; 以太网AVB;LCD;EMC;SPIFI
3
以太网,两个高速USB,LCD,EMC,AES引擎
企业中心
企业入驻
官方资料
新品发布NPI
官方参考设计
厂商社区
恩智浦技术社区
RF技术社区
ROHM技术社区
ST中文论坛
新热企业
树莓派
DFROBOT
瑞萨电子
ADI
MPS
芯科科技
汽车电子
工业电子
人工智能
通讯/网络
新热图谱
查看更多
手机
汽车
工业机器人
XR
新闻/观察
科普/拆解
产业/互动
专题策划
最新原创
查看更多
与非观察
与非研究院
供需商情
评测拆解
可编程逻辑
MEMS/传感技术
嵌入式系统
模拟/电源
射频/微波
测试测量
控制器/处理器
EDA/PCB
基础器件
汽车电子
人工智能
工业电子
通信/网络
消费电子
医疗电子
物联网
能源与电力
热点资讯
1
中国本土6家存储芯片企业对比分析
2
微灵医疗李骁健:自研芯片让脑机接口系统更具自主性
3
国产开源硬件:谁能挑战树莓派、Arduino?
4
MCU大厂ST,该醒醒了
5
半导体设备,要变天了
6
4nm!BYD 9000 芯片!
视讯
课程
直播
最新
1
永磁同步电机的滑模观测和I/F切换
2
电磁兼容【高频接地】与【电路工作接地】、【安规接地】的区别和注意事项
3
爆款拆评:大疆无人机深度拆解,追寻飞行影像的科技奇迹
原创
1
百度AI智能屏首拆:缺少先进制程支撑的国产芯照样起飞
2
《创客邦Ⅳ》No.1:再起航,且看智能穿戴如何改变生活
3
高层对话-2024,专访至纯科技|至纯助力半导体产业高质量发展
行业活动
论坛活动
板卡申请
新热活动
查看更多
1
基于Xilinx MPSoC系列 FPGA视频教程
2
FPGA至简设计原理与应用
最新直播
首页
标签
GaN HEMT
GaN HEMT
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论
类型
全部
方案
资料
资讯
视讯
课程
直播
新鲜
热门
不限时间
不限时间
一天内
一周内
一月内
一年内
意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值
意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片,利用宽禁带半导体技术简化电源设计,实现最新的生态设计目标。 意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能,以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。
与非网编辑
3391
2023/12/15
意法半导体
LLC
CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发并大批量生产了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 将首次参展 PCIM Asia,这是中国享誉行业的专业展会,专注于电力电子技术及其在智能移动、可再生能源和能源管理方面的应用。
与非网编辑
2740
2023/08/04
电力电子
PCIM Asia
替换Si MOSFET这个创新打破了GaN HEMT应用的两个难题
当前,以SiC和GaN为代表的第三代半导体在功率器件中的渗透率正在逐年上升。根据Yole的预测,虽然Si仍是功率半导体材料主流,但今年SiC的渗透率将有望达到3.75%,GaN的渗透率达到1.0%。
响指
1920
2023/07/25
第三代半导体
GaN HEMT
实测案例:1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试
氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表,具有极快的开关速度,能够显著提升功率变换器的性能,受到电源工程师的青睐。同时,极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求,稍有不慎就会得到错误结果。 传统氮化镓器件多用于消费类电子市场,研发高压氮化镓器件将有助于在电力电子、新能源和电动汽车行业开拓新的应用市场。量芯微(GaNPower)是全球第一家推出1200V高压硅基氮化镓功率器件的厂家。这次测试的
与非网编辑
2458
2023/07/18
示波器
功率器件
AMEYA360:ROHM具有业界高性能的650V耐压GaN HEMT
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。
AMEYA360电子元器件供应平台
1685
2023/05/19
GaN HEMT
ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT!
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。 据悉,电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半,为实现无碳社会,如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键,SiC (
与非网编辑
1197
2023/05/16
ROHM
GaN HEMT
借助高能效GaN转换器,提高充电器和适配器设计的功率密度
如今,充电器和适配器应用最常用的功率转换器拓扑是准谐振(QR)反激式拓扑,因为它结构简单、控制简便、物料(BOM)成本较低,并可通过波谷切换工作实现高能效。
与非网编辑
367
2022/03/29
英飞凌
转换器
正在努力加载...
与非星榜
芯广场
半导体需求回暖了,唯独华强北冷清?
贸泽电子
贸泽科普实验室 | 1.8V 3.3V 5V怎么转?经典电平转换电路总结
ZLG致远电子公众号
【产品应用】EM储能网关&ZWS智慧储能云应用(5) — 削峰填谷策略接入介绍(二)
晶发电子
晶体振荡器在温度波动下的稳定性问题及解决方案
CW32生态社区
关于CW32L010电动工具控制板中SWD下载口占用时的下载解决方法
相关标签
GaN
GaN FET
GaN Systems
GaN器件
GaN技术
eGaN
GaN功率器件
PowiGaN
GaN充电器
HEMT