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GaN FET

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  • Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET
    基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。
    2353
    2023/12/11
    Nexperia GaN FET
    Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET
  • Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驱动器解决方案
    Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99% 的效率，验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案 新世代电力系统的未来, 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用，适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑，
    1717
    2023/06/16
    PFC Transphorm
  • EPC新推基于GaN FET的150 ARMS电机驱动器参考设计
    基于氮化镓器件的EPC9186逆变器参考设计增强了高功率应用的电机系统性能、精度、扭矩和可实现更长的续航里程。 宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14 V~ 80 V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。 EPC9186在每个开关
    1229
    2023/05/11
    GaN 氮化镓
  • EPC GaN FET配以ADI控制器 可实现具有最高功率密度的稳压DC/DC转换器
    宜普电源转换公司(EPC)和Analog Devices(ADI)公司携手新推的参考设计采用经过全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC的氮化镓场效应晶体管，可实现超过96.5%的效率。 宜普电源转换公司(EPC)宣布新推EPC9158，这是一款工作在500 kHz开关频率的双输出同步降压转换器参考设计，可将48 V~54 V的输入电压转换为12 V稳压输出，可提供高达每相25 A电流或50 A总连续
    1034
    2023/05/11
    转换器 ADI
  • Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET
    基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。 Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mo
    1329
    2023/05/10
    GaN 氮化镓
    Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET
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