GAAFET

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  • FinFET的进阶与未来,是GAAFET?
    GAAFET(全环绕栅极晶体管)是FinFET的下一代技术,通过将导电通道从垂直鳍片改为纳米片,提升了栅极控制能力和晶体管尺寸微缩能力。三星和台积电正在推进GAAFET的应用,预计未来十年内成为主流半导体架构。然而,GAAFET的制造面临复杂性和成本挑战,主要集中在蚀刻工艺和沉积技术上。
    2037
    08/18 14:58
  • 半导体"权力游戏":GAAFET
    北京大学团队研发出全球首款二维GAAFET晶体管,以铋材料突破接触电阻量子极限,开启后摩尔时代。这项成果在《自然》发表,实测性能超越国际巨头,二维堆叠技术使中国半导体站上1纳米制程竞争最前沿。
    半导体"权力游戏":GAAFET
  • 全球梭哈2nm,让电子“不乱跑”有多难?
    300亿新台币(67亿人民币),放到中国互联网公司历史融资排名中能挤入前十位置。然而这些钱,仅是ASML为中国台湾企业台积电发展2nm工艺制程的第一期投资金额。 据中国台湾媒体报道,半导体设备制造商ASML在中国台湾投入巨资,向中国台湾“经济部”申请A+企业创新研发淬炼计划,研发制造2nm晶圆光量测设备(前道量/检测设备的一种)。经济部表示,将以多个方面进行审查,包括如何协助供应链技术升级以及国产
    全球梭哈2nm,让电子“不乱跑”有多难?
  • 美国封杀“芯片之母”EDA,国产EDA是否会受到影响?
    近日美国总统拜登签署价值2800亿美元的《芯片法案》,欲扶持本土芯片厂商争抢市场。隔日,美国再度重拳出击,加大半导体行业的封锁,打压抑制其他国家的芯片行业发展。
  • 靠不得盗版!国产EDA等待自我救赎
    EDA断供引发了行业对于底层技术的全新思考,对芯片行业的发展主次亦有全新认知。所得的认知其实与我国一直被掣肘的数据库、基础软件等领域迟迟未有突破的根因不谋而合。
  • 科研前线 | 芯片自热新解,韩国团队试水GAA器件全接触结构
    近日,韩国首尔大学团队发表了针对基于三沟道GAAFET器件的Wrap-Around Contact结构改进的研究,其成果表明WAC结构对于降低寄生电阻和自热效应,提升器件性能和可靠性方面确有成效,将助力先进工艺器件结构设计的改进。

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