GAA晶体管

• 刚刚，三星电子首个3nm量产官宣！
  今天上午，三星电子官宣，已开始量产基于GAA晶体管（Gate-All-Around FET，全环绕栅极）结构的3nm芯片。

  芯东西

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  2022/06/30

  三星电子 3nm芯片
• 科研前线 | 深度学习助力GAA器件设计，中国台湾NYCU新成果发布
  近期落幕的2022 VLSI-TSA上，中国台湾阳明交通大学李义明团队发表了应用于GAA晶体管器件的人工神经网络模型，该模型基于深度学习技术开发的，可针对功函数涨落、随机掺杂波动和界面陷阱波动等影响器件结构的随机参数进行预测。

  芯片揭秘

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  2022/05/31

  深度学习 GAA晶体管
• 科研前线 | 芯片自热新解，韩国团队试水GAA器件全接触结构
  近日，韩国首尔大学团队发表了针对基于三沟道GAAFET器件的Wrap-Around Contact结构改进的研究，其成果表明WAC结构对于降低寄生电阻和自热效应，提升器件性能和可靠性方面确有成效，将助力先进工艺器件结构设计的改进。

  芯片揭秘

  607

  2022/03/04

  GAA晶体管 GAAFET
• 泛林集团的选择性刻蚀设备组合正在推进芯片行业下一个重要的技术拐点
  在过去的十年里，对于体积更小、密度更高、性能更强大的芯片的需求一直在推动半导体制造商从平面结构向越来越复杂的三维(3D)结构转型。原因很简单，垂直堆叠可以实现更高的密度。

  与非网编辑

  426

  2022/02/28

  晶体管 半导体制造
• 科研前线 | 华为-imec共同探索GAA晶体管关键工艺环节
  Inner spacer制造是GAA器件中的关键步骤之一，该环节与晶体管沟道应力、电路寄生参数等影响器件性能的重要因素息息相关。

  芯片揭秘

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  2021/12/15

  华为 GAA晶体管
• 科研前线 | 如何抑制GAA寄生沟道？微电子所给出方案
  作为GAA制造流程的一环，子鳍可能引发寄生沟道效应等副作用，导致GAA晶体管的器件性能下降。为此，中科院微电子所先导工艺研发中心团队开发了缩窄子鳍的工艺改进方案，可有效改善寄生沟道带来的电特性衰减。

  芯片揭秘

  993

  2021/12/13

  GAA晶体管 GAA技术
• 如何抑制GAA寄生沟道？微电子所给出方案
  作为GAA制造流程的一环，子鳍可能引发寄生沟道效应等副作用，导致GAA晶体管的器件性能下降。为此，中科院微电子所先导工艺研发中心团队开发了缩窄子鳍的工艺改进方案。

  芯片揭秘

  828

  2021/11/30

  GaA GAA晶体管
• 科研前线 | AI与芯片大碰撞，台交大深度学习算法赋能GAA器件模拟
  中国台湾阳明交通大学平行与科学计算实验室首次提出了一种深度学习算法研究不同工艺变化因子对半导体纳米器件性能的影响,基于栅极功函数波动统计分布，并以先进GAA晶体管为研究对象探索了器件模拟仿真的创新新方案。

  芯片揭秘

  460

  2021/10/18

  深度学习 GaA
• AMAT | 持续创新是实现尖端逻辑半导体微缩化的关键
  半导体行业正迎来业界转折点。随着物联网、大数据、人工智能等推动的市场新一轮增长，对半导体需求从未如此之高。然而，另一方面，遵循摩尔定律的传统二维缩放技术正在达到极限……

  CINNO Research

  293

  2021/08/02

  半导体 逻辑芯片

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