GAA晶体管

• 一文了解新型晶体管(环栅晶体管GAA)制造技术

  本文探讨了CMOS晶体管的发展趋势，特别是针对短沟道效应的解决方案。介绍了新型材料（如GaAs、InGaAs、InAs等）和结构（如FinFET、GAAFET）的应用，以及英特尔和台积电在制程技术上的创新。重点阐述了垂直型环栅晶体管（GAAFET）的优势，包括更优的沟道形貌、不受光刻限制的栅极长度、更高的集成密度和更低的功耗。文中还详细介绍了GAAFET的制造工艺，对比了水平型和垂直型环栅晶体管的特点，并指出现有技术面临的挑战和改进方向。

  半导体全解

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  11/03 10:45

  晶体管 CMOS

  
• 刚刚，三星电子首个3nm量产官宣！

  今天上午，三星电子官宣，已开始量产基于GAA晶体管（Gate-All-Around FET，全环绕栅极）结构的3nm芯片。

  芯东西

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  2022/06/30

  三星电子 3nm芯片
• 科研前线 | 深度学习助力GAA器件设计，中国台湾NYCU新成果发布

  近期落幕的2022 VLSI-TSA上，中国台湾阳明交通大学李义明团队发表了应用于GAA晶体管器件的人工神经网络模型，该模型基于深度学习技术开发的，可针对功函数涨落、随机掺杂波动和界面陷阱波动等影响器件结构的随机参数进行预测。

  芯片揭秘

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  2022/05/31

  深度学习 GAA晶体管
• 科研前线 | 芯片自热新解，韩国团队试水GAA器件全接触结构

  近日，韩国首尔大学团队发表了针对基于三沟道GAAFET器件的Wrap-Around Contact结构改进的研究，其成果表明WAC结构对于降低寄生电阻和自热效应，提升器件性能和可靠性方面确有成效，将助力先进工艺器件结构设计的改进。

  芯片揭秘

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  2022/03/04

  GAA晶体管 GAAFET
• 泛林集团的选择性刻蚀设备组合正在推进芯片行业下一个重要的技术拐点

  在过去的十年里，对于体积更小、密度更高、性能更强大的芯片的需求一直在推动半导体制造商从平面结构向越来越复杂的三维(3D)结构转型。原因很简单，垂直堆叠可以实现更高的密度。

  与非网编辑

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  2022/02/28

  晶体管 半导体制造
• 科研前线 | 华为-imec共同探索GAA晶体管关键工艺环节

  Inner spacer制造是GAA器件中的关键步骤之一，该环节与晶体管沟道应力、电路寄生参数等影响器件性能的重要因素息息相关。

  芯片揭秘

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  2021/12/15

  华为 GAA晶体管
• 科研前线 | 如何抑制GAA寄生沟道？微电子所给出方案

  作为GAA制造流程的一环，子鳍可能引发寄生沟道效应等副作用，导致GAA晶体管的器件性能下降。为此，中科院微电子所先导工艺研发中心团队开发了缩窄子鳍的工艺改进方案，可有效改善寄生沟道带来的电特性衰减。

  芯片揭秘

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  2021/12/13

  GAA晶体管 GAA技术
• 如何抑制GAA寄生沟道？微电子所给出方案

  作为GAA制造流程的一环，子鳍可能引发寄生沟道效应等副作用，导致GAA晶体管的器件性能下降。为此，中科院微电子所先导工艺研发中心团队开发了缩窄子鳍的工艺改进方案。

  芯片揭秘

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  2021/11/30

  GaA GAA晶体管
• 科研前线 | AI与芯片大碰撞，台交大深度学习算法赋能GAA器件模拟

  中国台湾阳明交通大学平行与科学计算实验室首次提出了一种深度学习算法研究不同工艺变化因子对半导体纳米器件性能的影响,基于栅极功函数波动统计分布，并以先进GAA晶体管为研究对象探索了器件模拟仿真的创新新方案。

  芯片揭秘

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  2021/10/18

  深度学习 GaA
• AMAT | 持续创新是实现尖端逻辑半导体微缩化的关键

  半导体行业正迎来业界转折点。随着物联网、大数据、人工智能等推动的市场新一轮增长，对半导体需求从未如此之高。然而，另一方面，遵循摩尔定律的传统二维缩放技术正在达到极限……

  CINNO Research

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  2021/08/02

  半导体 逻辑芯片
• GAA晶体管

  GAA晶体管（Gate-All-Around Transistor）是一种新型的三维MOSFET器件结构，具有更优越的电气特性和性能表现。与传统的平面栅极MOSFET相比，GAA晶体管在电路集成、功耗控制、速度提升和尺寸缩小等方面具有显著优势。本文将探讨GAA晶体管的定义、原理、结构、特性、应用领域。

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  12/09 10:50

  晶体管 GAA晶体管
• GAA器件模型是什么？遇到了哪些挑战

  3纳米工艺节点中的GAA晶体管带来了显著的技术挑战。提取电气特性需要新的方法和工具，以应对其复杂的三维结构和对工艺变异的敏感性。同时，新的物理失效模式也需要在设计和制造过程中加以重视，以确保晶体管的可靠性和性能。3纳米晶圆制造工艺中的“Gate all-around (GAA) transistors”所带来的新提取要求和物理失效模式是一个复杂的问题。

  老虎说芯

  1974

  01/15 16:46

  3nm工艺 GaA

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