Supplyframe Supplyframe XQ Datasheet5 Component Search Engine Findchips bom2buy Siemens Xcelerator
关注我们
扫码关注
获取工程师必备礼包
板卡试用/精品课
设计助手
电子硬件助手 电子硬件助手
元器件查询 元器件查询

加入星计划，您可以享受以下权益：

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入

FinFET

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

FinFET全称Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。其电子显微镜照片如左图所示。FinFET源自于传统标准的晶体管—场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。 这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流（leakage），也可以大幅缩短晶体管的栅长。

FinFET全称Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。其电子显微镜照片如左图所示。FinFET源自于传统标准的晶体管—场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。 这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流（leakage），也可以大幅缩短晶体管的栅长。收起

查看更多
类型
新鲜 热门
不限时间
  • FD-SOI，半导体“特色”工艺之路能否走通？
    FD-SOI，半导体“特色”工艺之路能否走通？
    在进入28纳米节点时，半导体逻辑制造工艺出现了分岔。一条路线走向了三维工艺，即大家所熟知的FinFET，代表厂商有台积电、英特尔和中芯国际等晶圆制造厂商；另一条路线则还在坚持平面工艺，被称为FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗尽硅型绝缘体上硅），代表厂商有意法半导体（STMicroelectronics）。三星电子与格罗方德（GlobalFoundries）则两条腿走路，对FinFET与FD-SOI都有布局，但三星的先进逻辑制造工艺还是以FinFET为主。
    742
    10/31 12:50
    FinFET FD-SOI
  • 什么是FD-SOI，为什么欧洲执着于此？
    FD-SOI（fully depleted silicon-on-insulator）解决了芯片制造商的漏电问题，但该技术落后于更传统的FinFET工艺。
    9.9万
    09/27 12:13
    FinFET FD-SOI
  • 一文读懂 | 集成电路制造技术
    集成电路的历史从1958年TI的第一颗Flip-Flop电路开始，那时候只有两个晶体管组成一个反相器而已。发展至今已有十亿个晶体管的CPU了，而这些都不得不来自于半导体制造业的技术推进得以持续scalable。
    9.3万
    09/27 13:34
    电路 集成电路
  • 什么是FinFET？一文带你全方位认识FinFET
    今天我们一起来学习一下：什么是FinFET？它到底有多牛？它为什么这么牛？
    10.1万
    09/26 11:46
    MOSFET FinFET
  • 降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术
    降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术
    01 介绍 铜的电阻率由其晶体结构、空隙体积、晶界和材料界面失配决定，并随尺寸缩小而显著提升。通常，铜线的制作流程是用沟槽刻蚀工艺在低介电二氧化硅里刻蚀沟槽图形，然后通过大马士革流程用铜填充沟槽。但这种方法会生出带有明显晶界和空隙的多晶结构，从而增加铜线电阻。为防止大马士革退火工艺中的铜扩散，此工艺还使用了高电阻率的氮化钽内衬材料。 我们可以使用物理气相沉积 (PVD) 以10至100电子伏特的高
    1382
    08/15 07:24
    电阻 FinFET
  • 为什么晶圆先进制程需要FinFET？
    FinFET技术在晶圆制造中引入了一种创新的三维晶体管结构，通过增强栅极控制和降低漏电流，实现了更高效的晶体管性能。这对于实现更小、更快、更节能的半导体器件是至关重要的。随着半导体工艺节点的不断缩小，FinFET技术的应用也变得越来越普遍和重要。
    2092
    08/05 11:50
    FinFET 先进制程
  • 3D-IC中三个层次的3D
    3D-IC中三个层次的3D
    自从1958集成电路发明以来，集成电路给人类文明带来难以估量的巨大的进步。“为现代信息技术奠定了基础”是2000年诺贝尔物理学奖给予杰克•基尔比发明集成电路的中肯评价。今天，我们甚至可以说：“集成电路为现代科技奠定了基础”。试想，没有集成电路，人类现在的科技会退回到何种地步？
    4449
    04/01 09:50
    集成电路 晶体管
  • Dolphin Design宣布首款支持12纳米FinFet技术的硅片成功流片
    Dolphin Design宣布首款支持12纳米FinFet技术的硅片成功流片
    这款测试芯片是业界首款采用12纳米FinFet（FF）技术为音频IP提供完整解决方案的产品。该芯片完美结合了高性能、低功耗和优化的占板面积，为电池供电应用提供卓越的音质与功能。这款专用测试芯片通过加快产品上市进程、提供同类最佳性能、及确保稳健的产品设计，坚定客户对Dolphin Design产品的信心，再度证实了Dolphin Design在混合信号IP领域的行业领先地位。 高性能模拟、混合信号、
    2064
    02/22 18:06
    电池 ASIC
  • 再次讲讲线宽的那些事：晶体管是怎么做得越来越小的？
    再次讲讲线宽的那些事：晶体管是怎么做得越来越小的？
    上次我的文章解释了所谓的7nm不是真的7nm，是在实际线宽无法大幅缩小的前提下，通过改变晶体管结构的方式缩小晶体管实际尺寸来达到等效线宽的效果。那么新的问题来了：从平面晶体管结构(Planar)到立体的FinFET结构，我们比较容易理解晶体管尺寸缩小的原理。如下图所示：
    7068
    2023/11/18
    晶体管 FinFET
  • 是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程
    是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程
    综合流程可提高设计效率，实现更准确的仿真，从而更快将产品推向市场 是德科技（NYSE: KEYS ）、新思科技公司（Nasdaq：SNPS）和 Ansys 公司（Nasdaq：ANSS）宣布携手推出面向台积电 N4PRF 制程的新参考流程。N4PRF 制程是半导体代工企业台积电所拥有的先进 4 纳米（nm）射频（RF）FinFET 制程技术。这个参考流程是以新思科技的定制设计产品系列为基础而构建，提供了完整的射频设计解决方案，以满足客户对开放式射频设计环境以及更高预测准确度和设计效率的需求。
    3004
    2023/10/12
    FinFET
  • 【了不起的芯片】硅片上打造“鲨鱼鳍”，芯片的世界已经变成这样了吗？
    【了不起的芯片】硅片上打造“鲨鱼鳍”，芯片的世界已经变成这样了吗？
    新思科技一直致力于打造“人人都能懂”的行业科普视频，传播更多芯片相关小知识，解答各类科技小问题。每周3分钟，多一些“芯”知识。这一期，我们聊一聊集成电路上晶体管结构的那些事儿。在解释集成电路上晶体管的工作原理之前，我们得先来聊聊最常用的硅（和它元素家族）的特点。
    3289
    2023/09/29
    集成电路 晶体管
  • 全球梭哈2nm，让电子“不乱跑”有多难？
    全球梭哈2nm，让电子“不乱跑”有多难？
    300亿新台币（67亿人民币），放到中国互联网公司历史融资排名中能挤入前十位置。然而这些钱，仅是ASML为中国台湾企业台积电发展2nm工艺制程的第一期投资金额。 据中国台湾媒体报道，半导体设备制造商ASML在中国台湾投入巨资，向中国台湾“经济部”申请A+企业创新研发淬炼计划，研发制造2nm晶圆光量测设备（前道量/检测设备的一种）。经济部表示，将以多个方面进行审查，包括如何协助供应链技术升级以及国产
    4229
    2023/04/17
    与非观察 FinFET
  • 英飞凌主导并协调大型研究项目，为高度自动化联网汽车开发超级计算机
    英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）表示，内置在汽车中的高性能计算机，能够尽可能快速、可靠地处理所有可用的数据和信息，以便车辆能够安全地行驶，这是自动化联网汽车的关键所在。曼海姆-CeCaS研究项目的宗旨就是要开发相应的车用超级计算平台。该项目由来自业内和高校的 30 家研究合作伙伴共同参与，并且已被德国联邦政府纳入旨在推动汽车与移动出行行业实现数字化转型的
    1456
    2023/04/11
    英飞凌 汽车电子
  • 台积电官宣向学界开放业界最成功的 16nm FinFET 技术使用
    近日，台积电官网宣布推出大学 FinFET 专案，目的在于培育未来半导体芯片设计人才并推动全球学术创新。此专案开放大学院校师生与学术研究人员使用业界最成功的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术之制程设计套件 (PDK)，将其芯片设计学习经验提升至先进的 16nm FinFET 技术。 据了解，此专案也提供大学院校领先的芯片研究人员使用 16nm (N16) 及 7nm (N7) 制程之多专案晶圆（
    607
    2023/02/06
    台积电 FinFET
  • Arasan与Testmetrix携手合作
    领先的半导体IP核提供商Arasan Chip Systems今天宣布，其MIPI DSI-2、CSI-2和C-PHY/D-PHY Combo IP已在Testmetrix C/D-PHY HDK和符合性测试平台上成功实施。
    1011
    2022/10/20
    美通社 FinFET
  • Finwave期待以首个FinFET-on-GaN颠覆RF市场
    虽然运营商试图推出5G承诺的超高速毫米波，但他们一直受到手机发热和耗电的上行技术的阻碍。
    1701
    2022/09/18
    GaN 氮化镓
  • 别了FinFET
    当晶圆代工还在推进3nm时，2nm已经横空出世。一个曾经遥远的目标，随着摩尔定律的发展正在被台积电、英特尔、三星等巨头竞相追逐。
    666
    2022/07/01
    FinFET 2nm工艺
  • FinFET即将谢幕？
    自2012年出现以来，FinFET接近超期服役。在继续追求摩尔定律的道路上，FinFET渐渐显示出疲态。
    689
    2022/02/15
    晶体管 FinFET
  • SRII重磅推出两款ALD新品，满足泛半导体应用多功能性和灵活性的需求
    过去20年，ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造，不断推动诸如动态随机存取存储器（DRAM）、先进的鳍式场效应晶体管（FinFET）以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新。
    232
    2022/01/26
    半导体制造 FinFET
  • Arasan推出超低功耗D-PHY IP
    面向当今片上系统（SoC）市场的领先Total IP™解决方案提供商Arasan Chip Systems宣布，其重新设计的第二代MIPI D-PHYSM IP核立即可用于格罗方德（GlobalFoundries）12nm FinFET工艺节点。
    210
    2021/12/13
    SoC 美通社

正在努力加载...

与非星榜
相关标签