FET

• 如何使用GaNFET设计四开关降压-升压DC-DC转换器？
  

  在不断追求减小电路板尺寸和提高效率的征途中，氮化镓场效应晶体管(GaNFET)功率器件已成为破解目前难题的理想选择。GaN是一项新兴技术，有望进一步提高功率、开关速度以及降低开关损耗。这些优势让功率密度更高的解决方案成为可能。

  亚德诺半导体

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  DC/DC转换器 场效应晶体管
• 安泰ATA-3040C功率放大器是指什么意思
  功率放大器是一种电子设备，用于将输入信号的功率放大到更高的输出功率。它是现代电子设备中非常常见的组件，广泛应用于通信系统、音响设备、无线电设备、雷达系统等领域。 功率放大器的主要作用是将弱信号放大到足够的功率，以便可以有效地传输或驱动其他设备。它通过消耗电源能量来增强信号的强度，提高信号的幅度、电流或电压。 功率放大器通常由一个或多个晶体管或功率管组成，具有高度线性的特性以保证输入信号的准确复制和

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  放大器 功率放大器
• 英飞凌推出业界首款用于电信基础设施的宽输入电压热插拔控制器XDP700-002
  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了业界首款-48 V宽输入电压数字热插拔控制器XDP700-002，扩展了其XDP™数字功率保护控制器系列。这款控制器具有专为电信基础设施设计的可编程安全工作区域（SOA）控制功能，以及不超过±0.7%的超低电流报告误差，能提高系统故障检测和报告的准确性。此外，该产品还采用升压模式控制技术，可在非最佳SOA系统中更安全地开

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  04/10 17:19

  英飞凌 MOSFET
• 深入了解FET输入放大器中的电流噪声
  

  IC设计工程师和电路设计人员都深知电流噪声会随频率增高而变大，但由于关于此领域的资料过少，或者制造商提供的信息不全，许多工程师很难了解其原因。

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  噪声 FET
• 低 IQ 技术可实现更高效的电源管理
  

  随着市场对电池供电型应用的需求继续迅速增长，低 IQ 技术可帮助在不影响系统性能的情况下延长电池寿命。 关键要点 使用先进的功率器件和电池监测器可以显著降低电力消耗。 低 IQ 技术可实现更小的数字电路，同时降低功率损耗。 快速唤醒时间能够显著降低能耗。 随着电子技术和系统的迅猛发展，电池如今可谓是无处不在，为包括个人电子设备和电动汽车 (EV) 在内的各种设备供电。转向电池电源的趋势没有减缓的迹

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  01/18 13:13

  控制器 德州仪器
• Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件
  

  代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN® FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对不适合使用传统底部散热型表贴器件的系统，TOLT封装为客户提供了更为灵活的热管理方案。

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  2023/11/29

  GaN 氮化镓
• 【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究
  

  由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管，它们被广泛用于各种应用：如生物研究，即时诊断，环境应用，以及食品安全。

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  2023/11/17

  FET 生物传感器
• Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件
  

  新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。

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  2023/11/07

  人工智能 Transphorm
• 新品速递 | 希荻微推出应用于服务器等产品的E-Fuses负载开关芯片
  

  日前，中国领先的模拟芯片厂商——希荻微电子集团股份有限公司(以下简称“希荻微”)宣布推出全新 E-Fuse 系列 HL8511/12和HL8521/22 产品，旨在保护输出 (OUT) 上的电路，使其免受电源总线 (IN) 电压瞬变和大浪涌电流的不良影响，即实现保护电源总线免受意外输出短路和意外过载的功能。 一、产品概述 HL8512/22通过控制外置NMOS，实现反向电流阻断 (HL8511/2

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  2023/07/25

  服务器 MOSFET
• Allegro MicroSystems推出新型隔离栅极驱动器IC，可实现领先的功率转换密度
  AHV85110为Power-Thru产品系列中的首次发布，能够提供2倍功率密度，以及更简单、更高效的系统设计 运动控制和节能系统传感和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems（纳斯达克股票代码：ALGM）（以下简称Allegro）宣布推出新型power-Thru隔离栅极驱动器AHV85110，这款隔离栅极驱动器提供了一种能够驱动GaN FET的单封装解决方案，是P

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  2023/07/12

  功率半导体 栅极驱动器
• 选择合适的集成度来满足电机设计要求
  

  如果您正在设计电机驱动应用，以往您可能会使用如双极结型晶体管 (BJT) 等多个分立式元件来实现电机控制。尽管这种方法通常成本更低，但使用的元件总数更多，占用的布板空间更大，花费的设计时间更长，复杂度也更高。使用多个元件还可能会影响系统可靠性。 随着应用的复杂度增加、功率提高、占用空间减小，集成变得至关重要。集成解决方案可以缩短设计时间、简化采购流程以及节省成本，同时还可以确保电机系统更加可靠和高

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  2023/06/14

  电机控制 FET
• Littelfuse扩展ITV9550电池保护器系列以包含60 A额定电流
  Littelfuse公司 (NASDAQ: LFUS)是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力，宣布对其ITV9550表面安装锂电池保护器系列进行扩展。 这些保险丝可保护电池组免受过电流和过充（过电压）情况的影响。 [caption id="attachment_1397594" align="aligncenter" width="1280"] Littelfu

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  2023/01/12

  Littelfuse 保险丝
• Transphorm的表面贴装封装产品系列增加行业标准TO-263 (D2PAK)封装产品
  新型50mOhm SuperGaN场效应晶体管简化并加快基于氮化镓的高功率系统的开发，适用于数据中心和广泛工业应用。

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  2022/07/19

  GaN 氮化镓
• GaN是否具有可靠性？或者说我们能否如此提问？
  鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世，电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。

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  2022/07/15

  GaN 氮化镓
• 瑞萨电子率先推出面向下一代服务器、存储和 通信系统应用的I3C智能开关产品家族
  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，率先推出面向下一代服务器主板和其它基础设施设备的I3C智能开关器件RG3MxxB12系列——全新芯片极大提升了可扩展性和可靠性，同时降低高性能系统设计的复杂性。

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  2022/05/31

  英特尔 服务器
• 为偏置电流提供直流回路：正确示范 VS 错误示范
  您有过这样的经历吗？设计电路时由于匆忙行事，而忽视了一些基本问题，结果使电路功能与预期不符。。。在交流耦合运算放大器或仪表放大器电路应用中，最常见的问题之一就是——没有为偏置电流提供直流回路。今天小编就为大家论述下这个问题，并且提出一种超级实用的解决方案。拿走吧~

  亚德诺半导体

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  2021/09/30

  变压器 电阻
• 2纳米芯片问世！芯片性能要起飞？！
  近日，IBM宣布了一条可以轰炸整个科技圈的消息，成功研发出了全球首款2nm EUV工艺的半导体芯片。

  雷科技

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  2021/05/10

  台积电 三星
• 体效应管
  体效应管（Field-Effect Transistor，缩写为FET）是一种主要用于放大和调节电流的电子器件。它基于半导体材料中电场控制载流子浓度的原理而工作。体效应管在现代电子技术中得到广泛应用，包括模拟电路、数字电路以及通信系统等领域。本文将介绍体效应管的简介、工作原理以及阴极结构。

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  2023/06/30

  FET
• 场效应管怎么区分N管和p管 场效应管p沟道和n沟道的区别
  场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，用于电子设备中的放大、开关和调制等功能。根据其导电类型的不同，场效应管可以分为两种基本类型：N型场效应管（N-channel FET）和P型场效应管（P-channel FET）。在了解这两种场效应管之前，我们先来了解一下什么是沟道（Channel）。

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  1万

  2023/10/16

  场效应管 FET

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