EUV

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极紫外辐射(EUV)或高能紫外辐射是波长在124nm到10nm之间的电磁辐射,对应光子能量为10eV到124eV。自然界中,日冕会产生EUV。人工EUV可由等离子源和同步辐射源得到。主要用途包括光电子谱,对日EUV成像望远镜,光微影技术。 EUV是最易被空气吸收的谱段,因此其传输环境需高度真空。

极紫外辐射(EUV)或高能紫外辐射是波长在124nm到10nm之间的电磁辐射,对应光子能量为10eV到124eV。自然界中,日冕会产生EUV。人工EUV可由等离子源和同步辐射源得到。主要用途包括光电子谱,对日EUV成像望远镜,光微影技术。 EUV是最易被空气吸收的谱段,因此其传输环境需高度真空。收起

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  • EUV新局,巨头们的攻守之道
    如今,人工智能芯片的需求正以指数级速度疯涨,可高昂的成本和复杂的工艺,让这项技术沦为少数公司的 “专属”。不过,转机或许很快就会出现。为了给五花八门的人工智能应用 “撑腰”,对先进制程芯片的渴求一路狂飙,这给整个行业的供应能力带来了巨大压力。不管是支撑大型语言模型的超大规模数据中心,还是智能手机、物联网设备、自主系统里的边缘人工智能,前沿半导体在各个应用场景下的需求都在快速增长。但芯片制造严重依赖极紫外光刻(EUV)技术,该技术却成为扩大生产规模的关键阻碍。
    EUV新局,巨头们的攻守之道
  • 光刻工艺中g线、i线、DUV、EUV是什么意思?
    不同波长的光源各自对应不同的技术节点和制造需求。从早期的 g线、i线到目前主流的 KrF、ArF 再到最尖端的 EUV,每一次升级都展现了更高分辨率和更先进的工艺水平。随着对器件尺寸不断逼近物理极限,EUV及其后续升级版本将持续发展。
    光刻工艺中g线、i线、DUV、EUV是什么意思?
  • ASML CEO谈半导体产业、EUV、中美技术差距、AI以及分享工作经验
    Christophe Fouquet,ASML现任CEO,一个极其通透的人,一个优秀的技术公司领袖,一个看穿半导体产业规律的行业专家。他说,谦逊是领导力第一要素;他说,当你不再为证明自己而战时,你就获得了工作上的自由;他说,做决策时要冷静,你可以根据自己的呼吸是否还平稳来判定自己的情绪;他说现在的人们太聪明,很多人不知道活在当下,enjoy your moment。
    ASML CEO谈半导体产业、EUV、中美技术差距、AI以及分享工作经验
  • ASML发布2024年全年财报 | 净销售额283亿欧元,净利润76亿欧元
    阿斯麦(ASML)发布2024年第四季度及全年财报。2024年第四季度,ASML实现净销售额93亿欧元,毛利率为51.7%,净利润达27亿欧元。2024年第四季度的新增订单金额为71亿欧元2,其中30亿欧元为EUV光刻机订单。2024年全年净销售额达283亿欧元,毛利率为51.3%,净利润为76亿欧元。ASML预计2025年第一季度净销售额在75亿至80亿欧元之间,毛利率介于52%至53%;202
    ASML发布2024年全年财报 | 净销售额283亿欧元,净利润76亿欧元
  • 2029年,半导体行业“奇点”来临
    当笔者在读到美国发明家雷·库兹韦尔(Ray Kurzweil)的著作《后人类》时,我意识到:“能力呈指数级提高的人工智能(AI)将在2045年惠及全人类。”
    2029年,半导体行业“奇点”来临
  • EUV掩膜版清洗技术挑战及解决方案
    EUV(极紫外光)掩膜版是现代半导体制造工艺中关键的元件之一,在集成电路的光刻过程中扮演着至关重要的角色。由于EUV技术的精密性和高要求,掩膜版的质量直接影响到最终成品的良率。而在这些技术中,清洗掩膜版是一个不可忽视的环节。尽管EUV掩膜版的清洗步骤相较于硅片的清洗流程较少,但其面临的挑战却异常复杂,主要体现在颗粒去除、材料损伤、污染控制等方面。
    EUV掩膜版清洗技术挑战及解决方案
  • ASML在2024 年投资者日会议上就市场机遇提供最新看法有望在2030年内实现营收和盈利的显著增长
    在今日举办的2024 年投资者日会议上,ASML将更新其长期战略以及全球市场和技术趋势分析,确认其到2030年的年收入将达到约440 亿至 600 亿欧元,毛利率约为56%至 60%。 ASML总裁兼首席执行官傅恪礼(Christophe Fouquet)表示:“我们预计,在下一个十年我们有能力将EUV技术推向更高水平,并扩展广泛适用的全景光刻产品组合,使 ASML 能够充分参与和抓住人工智能机遇
  • ASML:EUV技术领域不会面临中国公司的竞争!
    6月6日消息,ASML首席财务官Roger Dassen近日在 Jefferies证券主持的投资者电话会议上表示,ASML与台积电的商业谈判即将结束,预计在第二季度或第三季度开始获得“大量” 2nm芯片制造相关设备订单。同时,Jefferies报告称台积电已经订购了High NA EUV光刻机。
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    2024/06/07
    ASML:EUV技术领域不会面临中国公司的竞争!
  • EUV光刻机“忙疯了”
    据市场消息,目前,ASML High NA EUV光刻机仅有两台,如此限量版的EUV关键设备必然无法满足市场对先进制程芯片的需求,为此ASML布局步伐又迈一步。
    EUV光刻机“忙疯了”
  • EUV光刻机变数陡增
    最近,关于EUV光刻机,又有劲爆消息传出。据外媒报道,有消息人士透露,由于美国施压,ASML向荷兰政府官员保证,在特殊情况下,该公司有能力远程瘫痪(remotely disable)台积电使用的EUV光刻机。知情人士称,ASML拥有“锁死开关”(kill switch),可以远端强制关闭EUV。
    EUV光刻机变数陡增
  • 英特尔在可扩展硅基量子处理器领域取得突破,向量子实用性更进一步
    英特尔在《自然》杂志发表题为《检测300毫米自旋量子比特晶圆上的单电子器件》的研究论文,展示了领先的自旋量子比特均匀性、保真度和测量数据。这项研究为硅基量子处理器的量产和持续扩展(构建容错量子计算机的必要条件)奠定了基础。 英特尔打造的300毫米自旋量子比特晶圆 英特尔的量子硬件研究人员开发了一种300毫米低温检测工艺,使用互补金属氧化物半导体(CMOS)制造技术,在整个晶圆上收集有关自旋量子比特
    英特尔在可扩展硅基量子处理器领域取得突破,向量子实用性更进一步
  • 高NA EUV迎来制程的岔路口
    半导体行业的领军企业正努力争取进入所谓的“埃时代”(Angstrom era)。在所谓的3nm工艺节点附近的节点上,以“埃”而不是以“纳米”来命名技术节点成为了一种时尚,因此不是1.5nm,而是15埃。正是在这一点上,对晶圆上更精细图案的要求超出了当今EUV光刻系统和程序的能力。
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    2024/04/23
    高NA EUV迎来制程的岔路口
  • 美国,为什么爱盯着荷兰的光刻机?
    全球光刻机巨头ASML(阿斯麦)的新年开篇颇有些闹心。新年首日,ASML发布公告称,荷兰政府最近吊销部分了2023年发货的NXT:2050i和NXT:2100i光刻系统的许可证,影响了少数中国客户。吊销举措比荷兰出口管制新规原定生效的日期提前了数星期。当然,这背后少不了美国政府的施压。“在美国拜登政府的要求下”,彭博社如此形容道。
    美国,为什么爱盯着荷兰的光刻机?
  • 为了阻击台积电和日本半导体,韩国也是拼了
    12月中旬,韩国总统尹锡悦与荷兰首相马克·吕特发表联合声明,双方构建“半导体同盟”。双方一致认为,两国在全球半导体供应链中有着特殊的互补关系,并重申构建覆盖政府、企业、高校的半导体同盟的决心。为此,双方商定新设经贸部门之间的半导体对话协商机制,同时推进半导体专业人才培养项目。
    为了阻击台积电和日本半导体,韩国也是拼了
  • 英特尔宣布Intel 4已大规模量产,“四年五个制程节点”计划又进一步
    近日,英特尔宣布已开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产(HVM)Intel 4制程节点。Intel 4大规模量产的如期实现,再次证明了英特尔正以强大的执行力推进“四年五个制程节点”计划,并将其应用于新一代的领先产品,满足AI推动下“芯经济”指数级增长的算力需求。
    英特尔宣布Intel 4已大规模量产,“四年五个制程节点”计划又进一步
  • 美国官方报告:深度解析EUV光刻的现状、需求和发展
    2022年,半导体市场规模约为0.6万亿美元,商业分析师预计到2030年将翻一番1.0万亿美元至1.3万亿美元。半导体制造业的大幅增长可以在光刻工艺中体现出。光刻是一种图案化过程,将平面设计转移到晶圆基板的表面,创造复杂的结构,如晶体管和线互连。这是通过通过复杂的多步过程选择性地将光敏聚合物或光刻胶暴露于特定波长的光下来完成的。最近,光刻技术的进步在生产最先进的半导体方面创造了竞争优势,使人工智能(AI)、5G电信和超级计算等最先进的技术成为可能。因此,先进的半导体技术会影响国家安全和经济繁荣。
    美国官方报告:深度解析EUV光刻的现状、需求和发展
  • 深度丨当EUV薄膜成为“高精尖”芯片良率的关键
    近20年来,EUV光源、EUV掩模和EUV光刻胶一直是EUV光刻的三大技术挑战。近几年来,随着EUV光源的不断进展,EUV掩模开始位居三大技术挑战之首,而EUV掩模最困难的环节之一就是EUV薄膜。
    深度丨当EUV薄膜成为“高精尖”芯片良率的关键
  • 线边缘粗糙度(LER)如何影响先进节点上半导体的性能
    介绍 由后段制程(BEOL)金属线寄生电阻电容(RC)造成的延迟已成为限制先进节点芯片性能的主要因素[1]。减小金属线间距需要更窄的线关键尺寸(CD)和线间隔,这会导致更高的金属线电阻和线间电容。图1对此进行了示意,模拟了不同后段制程金属的线电阻和线关键尺寸之间的关系。即使没有线边缘粗糙度(LER),该图也显示电阻会随着线宽缩小呈指数级增长[2]。为缓解此问题,需要在更小的节点上对金属线关键尺寸进
    线边缘粗糙度(LER)如何影响先进节点上半导体的性能
  • 王炸,英特尔PowerVia芯片背面供电即将量产,遥遥领先三星和台积电
    在下周的VLSI会议上,英特尔将发布两篇论文,介绍即将推出的PowerVia芯片制造技术的进展。而在第三篇论文中,英特尔技术专家Mauro Kobrinsky还将阐述英特尔对PowerVia更先进部署方法的研究成果,如同时在晶圆正面和背面实现信号传输和供电。 PowerVia将于2024年上半年在Intel 20A制程节点上推出。 作为延续摩尔定律的关键技术,英特尔将PowerVia技术和Ribb
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    2023/06/08
    EUV
    王炸,英特尔PowerVia芯片背面供电即将量产,遥遥领先三星和台积电
  • 英特尔PowerVia技术率先实现芯片背面供电,突破互连瓶颈
    英特尔率先在产品级芯片上实现背面供电技术,使单元利用率超过90%,同时也在其它维度展现了业界领先的性能。 英特尔宣布在业内率先在产品级测试芯片上实现背面供电(backside power delivery)技术,满足迈向下一个计算时代的性能需求。作为英特尔业界领先的背面供电解决方案,PowerVia将于2024年上半年在Intel 20A制程节点上推出。通过将电源线移至晶圆背面,PowerVia解
    英特尔PowerVia技术率先实现芯片背面供电,突破互连瓶颈

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