EUV技术_EUV技术资讯

EUV光刻机的发光原理

EUV光刻采用激光等离子体光源（LPP），通过高速喷射液态锡并用高功率激光将其加热至高温等离子体状态，从而发射出具有极高能量的13.5nm极紫外光。由于该波长的光子能量极高，可以电离几乎所有元素的原子外层电子，因此不能用传统透镜或气体激光方式产生。EUV光刻机的核心光源机制称为激光等离子体光源（LPP），其基本过程包括生成锡微滴、高功率激光轰击锡微滴使其成为高温等离子体，并最终发射出特定能量的13.5nm极紫外光。EUV光无法透过任何物质，所以在真空中运行并通过多层反射镜进行收集和成像。

TOM聊芯片智造

1483

2025/11/18

EUV光刻机 EUV光刻

EUV新局，巨头们的攻守之道

如今，人工智能芯片的需求正以指数级速度疯涨，可高昂的成本和复杂的工艺，让这项技术沦为少数公司的 “专属”。不过，转机或许很快就会出现。为了给五花八门的人工智能应用 “撑腰”，对先进制程芯片的渴求一路狂飙，这给整个行业的供应能力带来了巨大压力。不管是支撑大型语言模型的超大规模数据中心，还是智能手机、物联网设备、自主系统里的边缘人工智能，前沿半导体在各个应用场景下的需求都在快速增长。但芯片制造严重依赖极紫外光刻（EUV）技术，该技术却成为扩大生产规模的关键阻碍。

半导体产业纵横

1153

2025/03/24

EUV EUV技术

ASML：EUV技术领域不会面临中国公司的竞争！

6月6日消息，ASML首席财务官Roger Dassen近日在 Jefferies证券主持的投资者电话会议上表示，ASML与台积电的商业谈判即将结束，预计在第二季度或第三季度开始获得“大量” 2nm芯片制造相关设备订单。同时，Jefferies报告称台积电已经订购了High NA EUV光刻机。

芯智讯

945

2024/06/07

ASML EUV

高NA EUV迎来制程的岔路口

半导体行业的领军企业正努力争取进入所谓的“埃时代”（Angstrom era）。在所谓的3nm工艺节点附近的节点上，以“埃”而不是以“纳米”来命名技术节点成为了一种时尚，因此不是1.5nm，而是15埃。正是在这一点上，对晶圆上更精细图案的要求超出了当今EUV光刻系统和程序的能力。

Astroys

1177

2024/04/23

光刻胶 EUV

Q1营收下滑21%！ASML：可继续为在华设备提供售后服务！

2024年4月17日，光刻机大厂ASML发布了2024年第一季度财报。2024年第一季度，ASML实现净销售额52.90亿欧元，同比下降21%，处于预测营收区间的中间值；毛利率为51.0%，高于此前预计的48%至49%；净利润达12.24亿欧元，同比下降38%。新增订单金额为 36 亿欧元，其中6.56 亿欧元订单来自EUV。

芯智讯

970

2024/04/19

光刻机 ASML