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EUV光刻

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极紫外光刻（Extreme Ultra-violet），常称作EUV光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。

极紫外光刻（Extreme Ultra-violet），常称作EUV光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。收起

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  • EUV光刻，卡在了光刻胶上
    EUV光刻胶的大批量生产尚未完成，现有光刻胶薄膜难以满足尖端半导体制造商的标准。三井化学研发的碳纳米管薄膜虽有潜力，但在耐用性和透光率之间存在权衡。尽管多家公司在竞争下一代光刻胶，但具体谁能成功仍有不确定性。随着EUV光刻需求的增长，谁能在这一领域取得突破将影响深远。
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  • 千亿光刻赛道，张江跑出“唯一独苗”！
    朗道科技，一支清华校友团队，历经艰辛，从家庭实验室起步，成功研制出低功率EUV光源系统，打破国外垄断，成为中国EUV光源赛道中的独苗选手。他们通过自主开发仿真软件和硬件产品，形成了完整的研发闭环，获得了数千万元融资，立志建立中国的EUV生态系统，推动国产半导体技术进步。
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  • EUV光刻机的发光原理
    EUV光刻采用激光等离子体光源（LPP），通过高速喷射液态锡并用高功率激光将其加热至高温等离子体状态，从而发射出具有极高能量的13.5nm极紫外光。由于该波长的光子能量极高，可以电离几乎所有元素的原子外层电子，因此不能用传统透镜或气体激光方式产生。EUV光刻机的核心光源机制称为激光等离子体光源（LPP），其基本过程包括生成锡微滴、高功率激光轰击锡微滴使其成为高温等离子体，并最终发射出特定能量的13.5nm极紫外光。EUV光无法透过任何物质，所以在真空中运行并通过多层反射镜进行收集和成像。
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  • EUV光刻的三大难题
    EUV光刻面临三大挑战：高灵敏度、高分辨率和低LER。灵敏度指最小曝光能量，影响产能；分辨率决定最小特征尺寸，追求极致；LER衡量图形边缘平整度，直接关联良率。三者相互制约，需在吸光率、电子扩散和膜层均匀性间找到平衡。
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    2025/11/17
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  • EUV光刻，新的对手
    最近，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，这种激光器比现在行业内的标准CO2激光器将EUV光源提高约10倍。
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    2025/01/15
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