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EUV光刻

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极紫外光刻(Extreme Ultra-violet),常称作EUV光刻,它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。

极紫外光刻(Extreme Ultra-violet),常称作EUV光刻,它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。收起

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  • 日本提出EUV光刻新方案:光源功率可降低10倍,成本将大幅降低!
    日本提出EUV光刻新方案:光源功率可降低10倍,成本将大幅降低!
    8月7日消息,近日日本冲绳科学技术大学(OIST)的Tsumoru Shintake教授带领的研究团队提出了一项全新、大幅简化的面向极紫外(EUV)光刻机的双反射镜系统。相比传统的至少需要六面反射镜的配置,新的光学投影系统仅使用了两面反射镜,在确保系统维持较高的光学性能的同时,能让EUV光线以超过初始值10%的功率到达晶圆,相比传统系统中仅1%的功率来说,提了高到了原来的10倍,可说是一大突破。
  • 从大型EUV光刻厂的热炒聊起
    从大型EUV光刻厂的热炒聊起
    最近清华的SSMB-EUV光源在网上传得沸沸扬扬,大概意思是中国可以通过这个加速器来产生不同频率的EUV光源,同时可以给各种芯片制程来使用,彻底解决光刻机的技术壁垒。公众对这个话题感兴趣,原因还是希望能够早日突破美国技术封锁,对清华的研究充满信心,希望我国的芯片产业能够尽快赶上国际领先水平。至于这个SSMB技术的细节,我相信绝大部分公众并无法判断,即使在专业的半导体群中,大部分人也说不清楚。
  • 提高数值孔径是EUV光刻技术目标之一
    光刻是大规模集成电路芯片制备的核心工艺环节,其中,EUV光刻机是服务于7nm 以下制程芯片的设备。
  • ASML的未来:光明与风险并存
    很少有公司能像ASML那样,从全球经济中不断增加的半导体需求中获益。
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    2021/12/24
  • 半导体|日本厂商在EUV半导体设备中市占逐步提升
    CINNO Research产业资讯,极紫外光刻(EUV)在半导体线路的微缩化进程中极为重要,在“极紫外光刻曝光”相关工序中,日本设备厂家的存在感在逐步提升。荷兰ASML独霸关键曝光设备市场,日本企业则在检测、感光材料涂布、成像等相关设备方面占有较高的市场份额。然而,一台尖端的EUV相关设备价格高昂,对半导体厂家来说是较重的投资负担。长期