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AI推理内存革命:突破瓶颈,CPU性能飞跃
AI推理、高性能计算和实时分析等行业,通常需要运行大量的工作负载,内存带宽如果跟不上处理器的提升速度,往往可能会导致计算瓶颈,影响工作负载执行的效率和效果,这就需要对内存技术进行革新。
张慧娟
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2024/12/05
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CPU
存储市场酝酿新一轮DRAM技术革命
AI应用浪潮之下,高性能存储器需求持续攀升,以HBM为代表的DRAM风生水起。同时,为进一步满足市场需求,存储厂商也在酝酿新一轮DRAM技术“革命”。
全球半导体观察
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2024/07/24
存储市场
DRAM技术
SK海力士“狂飙”,HBM是“救命良药”
最近,SK海力士披露了亮眼的第四季度财报,2023年第四季度实现扭亏为盈,当季营业利润3460亿韩元(约合2.6亿美元),而上年同期营业亏损1.91万亿韩元。这意味着,SK海力士成功摆脱了从2022年第四季度以来一直持续的营业亏损情况。
半导体产业纵横
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2024/02/08
HBM
DDR5
新一代DRAM技术DDR5能否带动存储市场进入上升通道?
当下,存储芯片市场仍处于低迷状态。各大存储芯片企业的最新财报显示,企业利润均在下跌。在产业下行周期,新技术、新产品的诞生往往会成为振奋市场的关键点。DDR5 DRAM作为存储领域的新产品,逐渐成为各大企业竞逐的焦点。例如,近期SK海力士就宣布,公司已经开发出了当前速度最快的移动DRAM “LPDDR5T”。但就目前情况来看,DDR5的市场渗透率还未达到预期,DDR5能否拉动存储行业上扬,仍有待观察。
中国电子报
1273
2023/02/23
DDR5
存储市场
华为中科院共研成果即将亮相?3D DRAM商业化尚需时日
近期,有外媒报道,华为将于6月12日~17日在集成电路重要会议——VLSI Symposium 2022上发表与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术,并进行各种相关演示。
全球半导体观察
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2022/06/01
华为
DRAM技术
半导体存储器的发展历程与当前挑战
世界上最早的全电子化存储器是1947年在曼彻斯特大学诞生的威廉姆斯-基尔伯恩管 (Williams-Kilburn tube),其原理是用阴极射线管在屏幕表面上留下记录数据的“点”。
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