DRAM技术

• AI推理内存革命：突破瓶颈，CPU性能飞跃

  AI推理、高性能计算和实时分析等行业，通常需要运行大量的工作负载，内存带宽如果跟不上处理器的提升速度，往往可能会导致计算瓶颈，影响工作负载执行的效率和效果，这就需要对内存技术进行革新。

  张慧娟

  3331

  2024/12/05

  与非观察 CPU
• 存储市场酝酿新一轮DRAM技术革命

  AI应用浪潮之下，高性能存储器需求持续攀升，以HBM为代表的DRAM风生水起。同时，为进一步满足市场需求，存储厂商也在酝酿新一轮DRAM技术“革命”。

  全球半导体观察

  1133

  2024/07/24

  存储市场 DRAM技术

  
• SK海力士“狂飙”，HBM是“救命良药”

  最近，SK海力士披露了亮眼的第四季度财报，2023年第四季度实现扭亏为盈，当季营业利润3460亿韩元（约合2.6亿美元），而上年同期营业亏损1.91万亿韩元。这意味着，SK海力士成功摆脱了从2022年第四季度以来一直持续的营业亏损情况。

  半导体产业纵横

  2290

  2024/02/08

  HBM DDR5

  
• 新一代DRAM技术DDR5能否带动存储市场进入上升通道？

  当下，存储芯片市场仍处于低迷状态。各大存储芯片企业的最新财报显示，企业利润均在下跌。在产业下行周期，新技术、新产品的诞生往往会成为振奋市场的关键点。DDR5 DRAM作为存储领域的新产品，逐渐成为各大企业竞逐的焦点。例如，近期SK海力士就宣布，公司已经开发出了当前速度最快的移动DRAM “LPDDR5T”。但就目前情况来看，DDR5的市场渗透率还未达到预期，DDR5能否拉动存储行业上扬，仍有待观察。

  中国电子报

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  2023/02/23

  DDR5 存储市场
• 华为中科院共研成果即将亮相？3D DRAM商业化尚需时日

  近期，有外媒报道，华为将于6月12日～17日在集成电路重要会议——VLSI Symposium 2022上发表与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术，并进行各种相关演示。

  全球半导体观察

  326

  2022/06/01

  华为 DRAM技术
• 半导体存储器的发展历程与当前挑战

  世界上最早的全电子化存储器是1947年在曼彻斯特大学诞生的威廉姆斯-基尔伯恩管 (Williams-Kilburn tube)，其原理是用阴极射线管在屏幕表面上留下记录数据的“点”。

  与非网编辑

  588

  2021/10/13

  存储器 dram
• 3D DRAM的结构、制程和优势

  3D DRAM是一种通过堆叠多个存储层和使用垂直互联技术来增加存储密度和性能的先进DRAM技术。3D DRAM能够提供更高的存储密度、更低的功耗和更高的带宽，适用于高性能计算、数据中心和AI等应用场景。

  老虎说芯

  2279

  01/15 17:21

  DRAM技术 3D DRAM

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