加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入

CVD

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

化学气相沉积是一种化工技术,该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物,而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。

化学气相沉积是一种化工技术,该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物,而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。收起

查看更多
  • 5nm已量产,3nm还会远吗?重要性比肩光刻机的刻蚀设备——中微公司
    5nm已量产,3nm还会远吗?重要性比肩光刻机的刻蚀设备——中微公司
    晶圆制造设备从类别上讲可以分为刻蚀、光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等十多类,其合计投资总额通常占整个晶圆厂投资总额的 75%左右,其中刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。 根据Gartner统计的数据,2013年至2023年,半导体前道设备中,干法刻蚀设备市场年均增速超过15%,化学薄膜设备市场年均增速超过14%,这两类设备增速远高于其他种类的设备。 图|20
    8284
    11/12 10:37
  • 走过路过不要错过,进来看看全球半导体CVD/ALD设备商统计数据吧
    走过路过不要错过,进来看看全球半导体CVD/ALD设备商统计数据吧
    昨天发布了设备电源、离子源的供应商数据,我正考虑接下来发布什么数据时,就有我知识星球的会员私信向我要CVD设备的供应商数据。好吧,那我就整理发布一下吧,顺便把ALD的也一并发布了
  • 晶圆制造之化学气相沉积CVD工艺
    晶圆制造之化学气相沉积CVD工艺
    在制造集成电路时,有时候我们需要在硅片(也就是晶圆)表面上沉积一些特定的材料层,比如氮化硅(Si₃N₄)或氮氧化硅(SiON)。这些材料层不能直接从基板上生成,所以我们采用化学气相沉积(CVD)这种方法。
  • HDPCVD的原理
    HDPCVD的原理
    知识星球里的学员问:麻烦介绍下HDPCVD的具体用途,原理。 什么是HDPCVD? HDPCVD,全名High Density Plasma Chemical Vapor Deposition,即高密度等离子体化学气相沉积。它产生的等离子体密度非常高,通常在10¹¹至10¹² ions/cm³的量级。相比之下,PECVD的等离子体密度就很低了,在间隔宽度小于0.5μm的情况下,用PECVD填充高的
  • 什么是FCVD?
    学员问:昨天在直播的时候有你说FCVD,我之前是没有听过这类的CVD,可以详细介绍一下吗?FCVD,全称是Flowable Chemical Vapor Deposition,即流动化学气相沉积。结合了旋涂电介质 (SOD) 优异的间隙填充性能和 CVD 的工艺稳定性,用来制造线宽在20 纳米以下的ILD(层间介电质)。
    9941
    08/15 08:37
    CVD