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CMOS

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CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的。

CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的。收起

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    2024年12月11日至12日，上海集成电路2024年度产业发展论坛暨第三十届集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo 2024）在上海世博展览馆举行。全球毫米波雷达芯片领域的重要创新者加特兰应邀出席大会，在闭幕晚宴上，加特兰创始人兼CEO陈嘉澍博士荣获“2024年度IC设计业年度企业家提名”称号，成为当晚仅有的获此殊荣的三位企业家代表之一。 加特兰创新引领CMOS毫米波雷达技术发展 历经多年发
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    1880 年代，乔治·伊士曼（George Eastman）创立了柯达（Kodak），让“普通人”也能进行“摄影”。1970年，CCD图像传感器在Bell实验室发明，依靠其高量子效率、高灵敏度、低暗电流、高一致性、低噪音等性能，成为图像传感器市场的主导。90年代末，步入CMOS时代。 
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    光电探测器一方面往多功能，智能化方向发展，智能化比如事件驱动，感存算架构，多功能比如多光谱，偏振探测。另外一方面向着高性能方面发展，宽光谱，高灵敏度，高速度。可以说对智能化的追求是从目的出发的，整体系统考虑下的性价比最优。智能化的设计可以降低对器件性能方面的要求。而对性能的苛求是研发人员针对材料，器件，电路的技挑战的直面。 以高速探测为例，人们从高性能思路出发，实现了超高速的探测器和相机阵列，代价
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    历经库存去化，近眼显示装置整体出货量将在未来几年逐年增加。预期OLEDoS将主导高阶VR/MR市场，技术占比于2030年提升至23%；而LCD将持续占据主流市场，使用这项技术的近眼显示装置技术占比为63%。 TrendForce集邦咨询定义VR/MR装置为通过单一显示元件实现沉浸式体验的近眼显示设备，强调透明穿透性、虚实应用场景结合的则视为AR装置。 TrendForce集邦咨询指出，VR/MR在
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    59年前，1965年4月19日，英特尔公司联合创始人戈登·摩尔（Gordon Moore）应邀在《电子》杂志上发表了一篇四页短文，提出了我们今天熟知的摩尔定律（Moore’s Law）。 就像你为未来的自己制定了一个远大但切实可行的目标一样，摩尔定律是半导体行业的自我实现。虽然被誉为技术创新的“黄金法则”，但一些事情尚未广为人知……. 1. 戈登·摩尔完善过摩尔定律的定义 在1965年的文章中，戈
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    CCD 和 SCMOS 科学相机
    1.传统相机与数码相机 1.1传统相机成像过程 1．镜头把景物影象聚焦在胶片上； 2. 片上的感光剂随光发生变化； 3. 片上受光后变化了的感光剂经显影液显影和定影； 4. 形成和景物相反或色彩互补的影象； 5. 所形成的像是实像。 1.2数码相机成像过程 1．经过镜头光聚焦在CCD或CMOS上； 2．CCD或CMOS将光转换成电信号； 3．经处理器加工，记录在相机的内存上； 4．通过电脑处理和显
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    器件脉宽失真低至6 ns，供电电流仅为2 mA，工作温度高达+110 °C，适于各种工业应用 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型25 MBd高速光耦---VOIH72A，器件配有CMOS逻辑电路数字输入输出接口，便于数字系统集成。单通道VOIH72A适于各种工业应用，脉宽失真最大值低至6 ns，最大供电电流仅为2 mA
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  • 艾迈斯欧司朗：2030年完成奥地利施泰尔马克州产能及芯片技术升级，响应欧洲芯片法案
    全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（瑞士证券交易所股票代码：AMS）今日宣布，艾迈斯欧司朗正不断加大对Premstätten研发与生产基地的投入力度。艾迈斯欧司朗集团首席执行官兼董事会主席Aldo Kamper与奥地利联邦部长Martin Kocher、施泰尔马克州州长Christopher Drexler共同宣布，至2030年，计划向Premstätten研发与生产基地投资高达5.88亿欧
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  • 宽温晶振是哪种晶振？
    宽温晶振是哪种晶振？
    Q:宽温晶振指的是什么晶振？ A：指工作温度范围在“-40℃~+85℃”及以上的晶振（晶体谐振器及晶体振荡器），如“-40℃~+105℃”、-55℃~+85℃或-40℃~+125℃。 注：因为晶振的频率稳定性受温度影响，因此“工作温度范围”是晶振电气参数的一个重要指标。 AT切与BT切石英晶体频率变化vs温度变化，如下图所示： CMOS波形图  
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  • X-FAB增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案
    X-FAB增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案
    全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高压CMOS半导体制造平台，增加全新40V和60V高压基础器件——这些器件具有可扩展SOA，提高运行稳健性。与上一代平台相比，此次更新的第二代高压基础器件的RDSon阻值降低高达50%，为某些关键应用提供更好的选择——特别适合应用在需要缩小器件尺寸并降低单位成本的系统中
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