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X-FAB与莱布尼茨IHP研究所达成许可协议推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台

全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）与莱布尼茨IHP研究所今日共同宣布，将推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台，进一步扩大与莱布尼茨高性能微电子研究所（IHP）的长期合作关系。

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2022/09/13

晶圆代工 X-FAB
BICMOS工艺的工作原理 BICMOS注意事项

BICMOS工艺是一种集成了双极型和MOS型晶体管的混合模拟数字集成电路工艺。它将MOSFET和BJT两种不同类型的晶体管结合起来，融合了MOSFET的高速度、低功耗和可靠性以及BJT的高增益、高带宽和低噪声等特点，成为一种能够同时实现模拟和数字信号处理的先进集成电路工艺。

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2023/06/07

BiCMOS
BICMOS工艺的工作原理 BICMOS的作用

BICMOS工艺是指将Bipolar(双极)器件集成在CMOS(互补金属氧化物半导体)器件内部，以利用它们的优点。Bipolar传输可提供较高的运算速度，而CMOS传输具有较低的功耗和电压噪声。由于两者结合了各自的优点，因此BICMOS被广泛用于集成电路制造中。

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2022/04/26

BiCMOS
bicmos和cmos的区别

这篇科普文章将讨论bicmos和cmos的不同之处。

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2022/01/23

CMOS BiCMOS
BICMOS工艺的工作原理 Bipolar工艺和BiCMOS工艺的区别与关系

BICMOS（Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor）工艺是将双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）结合在一起，形成混合式集成电路制造工艺。BICMOS工艺既有N-MOSFET、P-MOSFET的优点，又能够利用高速度、高电流增益因子以及功放电路中所需要的高电流驱动特性等BJT元件的特点。BICMOS芯片可以实现数字电路、模拟电路和混合信号电路的功能。

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2022/01/23

BiCMOS

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