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ALD,ALE与传统技术相比的优势?
学员问:ALD(原子层沉积),ALE(原子层刻蚀)与传统的沉积,刻蚀技术相比,有什么优势?如上图,先说第一行,第一行是传统镀膜与ALD效果的对比,传统薄膜沉积方法如 PECVD 或 PVD等,在高深宽比结构中,由于气体进出受到了物理限制,侧壁和底部区域的沉积速率不同。
TOM聊芯片智造
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12/20 16:07
ALD
ALD技术
先进逻辑和3D存储的希望,PECVD、晶圆键合龙头——拓荆科技
随着集成电路制造不断向更先进工艺发展,单位面积集成的电路规模不断扩大, 芯片内部立体结构日趋复杂,所需要的薄膜层数越来越多,对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在 90nm CMOS 工艺,大约需要 40 道薄膜沉积工序。在 3nmFinFET 工艺产线,需要超过 100 道薄膜沉积工序,涉及的薄膜材料由 6 种增加到近 20 种,对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳
王兵
3704
12/10 09:18
与非研究院
CVD
越制裁,越强大!重要性比肩光刻机的刻蚀设备——北方华创
美日荷相继加大对华半导体设备出口限制,国产替代迫在眉睫。尽管中国是全球最大半导体消费市场,但本土化缺口明显,2023 年芯片自产率仅 20%、半导体设备国产化率为 35%、高端刻蚀机等关键领域国产化率不足 10%。随着国产晶圆厂的逆势扩张、海外制裁趋紧,本土半导体设备厂商有望扩大份额,预计2025年国产化率将达50%。 前面文章我们分析了国产半导体设备龙头之一的中微公司,今天我们继续深入研究半导体
王兵
5207
11/26 12:10
与非研究院
NAND
5nm已量产,3nm还会远吗?重要性比肩光刻机的刻蚀设备——中微公司
晶圆制造设备从类别上讲可以分为刻蚀、光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等十多类,其合计投资总额通常占整个晶圆厂投资总额的 75%左右,其中刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。 根据Gartner统计的数据,2013年至2023年,半导体前道设备中,干法刻蚀设备市场年均增速超过15%,化学薄膜设备市场年均增速超过14%,这两类设备增速远高于其他种类的设备。 图|20
王兵
8880
11/12 10:37
与非研究院
CVD
一项多尺度模拟技术,打通ALD的材料—过程—装备?
今天我们对话的这位专家是来自华东理工大学化工学院的庄黎伟教授,他在原子层沉积工艺中进行了非常多的探索,今天我们就请庄教授和我们一起来聊聊他所从事的事情,请庄教授和大家打个招呼。
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