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骁龙810过热问题元凶,都是台积电20nm工艺闹的?
因为骁龙810的过热和节流问题,可能导致HTC One M9和LG G Flex 2的电池使用寿命缩短,性能表现更差。而高通芯片过热的原因在于其采用了台积电20nm制造工艺。而三星Exynos芯片采用的是更低的14nm工艺。
与非网记者
8
2015/04/28
台积电
高通
Nvidia请注意形象!不要把脏水都泼台积电头上
每一个工艺节点,只要碰到点问题,总有专业记者写文章抨击台积电,好像所有的问题都是台积电搞出来的。公平地说这些记者是有困难,他们不像半导体行家一样,熟知IC设计公司的排名,能够接触到半导体公司的资料,所以搞不清楚20nm工艺是什么状况也正常。但是望文生义瞎解释就是媒体的不对了。
与非网记者
1
2015/02/16
台积电
NVIDIA
赛灵思,借20nm UltraScale FPGA产品加速替代ASIC
那边Altera刚刚推出集成了Enpirion优势电源产品的SoC FPGA参考设计,这边赛灵思就宣布兑现承诺,基于20nm工艺的UltraScale架构FPGA产品正式发货。虽然针锋相对的气势明显,但也能看出两大厂商的策略和方向的不同。
高扬
2013/12/11
FPGA
ASIC
赛灵思欲借UltraScale架构打破魔咒,20nm继续领先一代
就在最近,赛灵思公司全球高级副总裁、亚太区执行总裁汤立人表示“赛灵思要打破这一魔咒”,与此同时宣布赛灵思抢先一步发片20nm工艺的FPGA产品,将“继续领先一代”。
高扬
2013/07/10
FPGA
赛灵思
赛灵思的未来:从FPGA到系统厂商
如今随着芯片工艺的演进,一方面我们看到芯片尺寸越来越好,性能越来越提升,另一方面集成度也在不断提高。近年来3D IC封装工艺的出现,更让很多功能芯片可以集成在一起形成越来越强大的SoC产品。这里面,首
高扬
2012/11/14
SoC
赛灵思
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