纳芯微提供全场景GaN驱动IC解决方案
作为当下热门的第三代半导体技术,GaN在数据中心、光伏、储能、电动汽车等市场都有着广阔的应用场景。和传统的Si器件相比,GaN具有更高的开关频率与更小的开关损耗,但对驱动IC与驱动电路设计也提出了更高的要求。按照栅极特性差异,GaN分为常开的耗尽型(D-mode)和常关的增强型(E-mode)两种类型;按照应用场景差异,GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景,纳芯微推出了一系列驱动IC解决方案,助力于充分发挥GaN器件的性能优势。