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高性能碳化硅隔离栅极驱动器如何选型,一文告诉您
电隔离式 (GI) 栅极驱动器在优化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色,特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在工业、交通和消费产品中依赖性的加深,SiC技术凭借其提升效率和缩小系统体积的能力脱颖而出。本文为第二篇,将分享电隔离栅极驱动器的隔离能力评估 ,并介绍其典型的应用市场与安森美(onsemi)可提供的高新能产品选型。
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2024/10/25
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产品特性(替代LMG1210) ➢ 工作频率高达 10MHz ➢ 20ns 典型传播延迟 ➢ 5ns 高侧/低侧匹配 ➢ 两种输入控制模式 ➢ 具有可调死区时间的单个 PWM 输入、 独立输入模式 ➢ 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流 ➢ 内置 5V LDO ➢ 欠压保护 ➢ 过热保护 ➢ 总剂量(TID)耐受: ≥100k rad(si) ➢ 单粒子锁定及烧毁对线性能量传输(LET)的抗
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产品特性(替代LT3741) ➢ CTRL 引脚对输出电流提供精确控制 ➢ ±2%的电压调节精度 ➢ ±6%的电流调节精度 ➢ 输入电压范围(外接达林顿 NPN 管): 6V~40V ➢ 输入电压范围(外接单颗 NPN 管): 5.25V~40V ➢ 输入电压范围(无外部 NPN 管, VIN 与 VS 相连): 4.5V~16V ➢ 输出电压范围: 1.2V~13.5V ➢ 平均电流模式控制 ➢
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