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高性能碳化硅隔离栅极驱动器如何选型,一文告诉您
电隔离式 (GI) 栅极驱动器在优化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色,特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在工业、交通和消费产品中依赖性的加深,SiC技术凭借其提升效率和缩小系统体积的能力脱颖而出。本文为第二篇,将分享电隔离栅极驱动器的隔离能力评估 ,并介绍其典型的应用市场与安森美(onsemi)可提供的高新能产品选型。
安森美半导体
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碳化硅
栅极驱动器
使用隔离式栅极驱动器的设计指南
旨在讲解如何为电力电子应用中的功率开关器件选用合适的隔离栅极驱动器,并分享实战经验。本文主要包括隔离式栅极驱动器的介绍和选型指南。
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替代 LMG1210 60V半桥MOSFET和GaN FET驱动器
产品特性(替代LMG1210) ➢ 工作频率高达 10MHz ➢ 20ns 典型传播延迟 ➢ 5ns 高侧/低侧匹配 ➢ 两种输入控制模式 ➢ 具有可调死区时间的单个 PWM 输入、 独立输入模式 ➢ 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流 ➢ 内置 5V LDO ➢ 欠压保护 ➢ 过热保护 ➢ 总剂量(TID)耐受: ≥100k rad(si) ➢ 单粒子锁定及烧毁对线性能量传输(LET)的抗
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产品特性(替代LT3741) ➢ CTRL 引脚对输出电流提供精确控制 ➢ ±2%的电压调节精度 ➢ ±6%的电流调节精度 ➢ 输入电压范围(外接达林顿 NPN 管): 6V~40V ➢ 输入电压范围(外接单颗 NPN 管): 5.25V~40V ➢ 输入电压范围(无外部 NPN 管, VIN 与 VS 相连): 4.5V~16V ➢ 输出电压范围: 1.2V~13.5V ➢ 平均电流模式控制 ➢
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