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  • 浙江大学:虚拟制造+FabGPT助力DTCO
    2025年3月21日,在黄如院士和孙凝晖院士共同推动下,由北京大学微纳电子器件与集成技术全国重点实验室和中国科学院计算技术研究所处理器芯片全国重点实验室两大首批标杆实验室联合主办的“后摩尔时代微纳电子与处理器芯片前沿技术创新论坛”在北京举行。邀请了16位学者从后摩尔时代微纳电子与处理器芯片的新器件、新架构、新材料、新原理等四个方向探讨前沿技术问题。
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    03/24 13:19
    浙江大学:虚拟制造+FabGPT助力DTCO
  • 线边缘粗糙度(LER)如何影响先进节点上半导体的性能
    介绍 由后段制程(BEOL)金属线寄生电阻电容(RC)造成的延迟已成为限制先进节点芯片性能的主要因素[1]。减小金属线间距需要更窄的线关键尺寸(CD)和线间隔,这会导致更高的金属线电阻和线间电容。图1对此进行了示意,模拟了不同后段制程金属的线电阻和线关键尺寸之间的关系。即使没有线边缘粗糙度(LER),该图也显示电阻会随着线宽缩小呈指数级增长[2]。为缓解此问题,需要在更小的节点上对金属线关键尺寸进
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  • 温故2016︱工业4.0六大技术关键词,智慧工厂离我们有多远?
    被称为第四次工业革命的工业4.0战略于2011年诞生于德国,是德国联邦教研部与联邦经济技术部在2013年汉诺威工业博览会上提出的概念,于2013被德国政府纳入国家战略。可以说工业4.0是对传统制造的一种挑战,从而达到智能制造。