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1.4nm制程新突破!
日本大日本印刷株式会社(DNP)宣布成功开发出线宽仅为10纳米的纳米压印(NIL)模板,对应逻辑芯片制造的1.4纳米制程级别电路图形化能力,预计在2025年SEMICON Japan上亮相。此技术有望成为半导体制造界的潜在替代方案,降低设备复杂性和能耗,提高图形分辨能力和良率稳定性。尽管面临挑战,纳米压印技术标志着全球半导体产业竞争格局的变化,预示着更低成本、更低能耗的芯片制造路径成为可能。
芯火相承
1107
2025/12/22
芯片制造
逻辑芯片
X射线挑战EUV光刻——Substrate重塑芯片制造格局的豪赌
Substrate公司推出X射线光刻技术,声称可在2nm、1nm甚至更小节点实现单次图案化,成本仅为现有方案的一半。该技术有望打破ASML的垄断地位,重塑全球芯片制造格局。然而,从实验室到大规模生产的转化仍面临诸多挑战。
半导体产业研究
1200
2025/11/18
芯片制造
光刻技术
台积电西游,真经让美国取了?
台积电宣布在美国建厂5年后,成功制造出首片量产型Blackwell晶圆,标志着美国芯片制造取得重大进展。台积电此举不仅满足客户需求,还能降低关税风险,但目前还需将芯片运往台湾封装。面对文化差异和生产挑战,台积电正在努力调整策略,力求在美国建立完整的半导体制造集群。
半导体产业纵横
2097
2025/11/03
台积电
芯片制造
重大突破!我国光刻领域迎来新进展
北京大学彭海琳教授团队利用冷冻电子断层扫描技术首次揭示了光刻胶显影过程中的微观机制,解决了长期以来困扰芯片制造领域的“黑箱”问题。团队发现光刻胶并非简单溶解,而是主要吸附在气液界面上,并形成约30纳米的团聚颗粒,导致线路质量问题。通过提高曝光后烘烤温度和优化显影液流动性,成功降低了光刻胶残留缺陷,实现了从“蒙着眼试”到“看着显微镜修”的转变。这一突破不仅提升了芯片良率,还开启了半导体制造更多“黑箱”的可视化时代,标志着中国科研团队在先进制程领域取得重大进展。
芯火相承
1202
2025/10/30
芯片制造
光刻胶
芯片制造的 “磨皮大师”!CMP核心要素大起底,工艺 + 设备 + 耗材一篇搞懂
化学机械抛光(CMP)技术是半导体制造中重要的全局平坦化手段,通过化学和物理过程协同实现表面平整化。CMP工艺起源于解决大规模集成电路制造中的平坦化需求,并广泛应用在各种制造环节。CMP工艺的关键在于抛光机、抛光垫、抛光液的选择与调整,其中抛光垫材质多样,各有特点;抛光液成分复杂,需满足多项性能要求。尽管CMP技术在全球范围内得到广泛应用,但在研发方向和市场格局上仍存在挑战,尤其是在抛光液配方和国产化进程方面。
芯科技圈
2070
2025/10/28
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