肖特基二极管

• 采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！
  

  与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理~ 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器（OBC）等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备

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  11/12 08:57

  ROHM 肖特基二极管
• 英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V
  

  如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10

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  10/23 08:03

  英飞凌 MOSFET
• ​​Nexperia扩展功率器件产品组合，新增标准和车规级理想二极管​
  

  ​​Nexperia宣布为其持续扩展的功率器件产品组合新增两款理想二极管IC。其中，NID5100适用于标准工业和消费应用，而NID5100-Q100已获得认证，可用于汽车应用。这两款理想二极管均以MOSFET为基础，拥有比传统二极管更低的正向压降，非常适合用来替换系统中的标准二极管，进而满足相关的超高能效要求。 ​ ​​NID5100和NID5100-Q100理想二极管采用小型TSSP6/SOT

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  09/04 08:32

  传感器 MOSFET
• 大联大世平集团推出基于onsemi、Vishay和Toshiba产品的30W反激式辅助电源方案
  

  致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP1239BD65R2G PWM控制器的30W反激式辅助电源方案。 图示1-大联大世平基于onsemi、Vishay和Toshiba产品的30W反激式辅助电源方案的展示板图 在信息技术时代，人们对于高效、稳定且具备出色节能特性的辅助电源需求日益增加。特别是在服务器、PC、新能源转换系统以

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  06/11 10:13

  大联大 肖特基二极管
• 意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度
  

  随着低开关损耗的宽禁带半导体等技术的广泛应用，设计人员开始提高功率转换器的工作频率，不断刷新功率密度。不过，当开关频率变得更高时，用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大，严重限制了转换能效的改进。

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  04/02 12:03

  肖特基二极管 整流二极管
• 英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务
  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。英飞凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENC

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  03/04 10:22

  电动汽车 英飞凌
• DZ1026零偏置肖特基二极管探测器HEROTEK
  零偏置肖特基二极管检波器是种为毫米波通信和亚毫米波功率控制的元器件，能够有效对微波射频至太赫兹波范围之内电磁波辐射实时监测和混频。HEROTEK零偏置肖特基二极管检波器不需要偏置电流也能够作业，DZ1026广泛应用于待机或监控情况下无主电源(DC电源)通用型RFID和其它技术应用。

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  2023/10/16

  二极管 肖特基二极管
• DHM265AAP高灵敏度零偏置肖特基二极管探测器HEROTEK
  肖特基二极管是金属半导体器件构造的半导体二极管，具备正向电流低、开关速率快等优点。与同类产品应用中的接触力二极管相对比，HEROTEK DHM265AAP零偏压肖特基二极管探测器具备更宽广的动态范围、更高的耐高温稳定性和更精密的平方律性能。DHM265AAP零偏置肖特基二极管探测器不止可广泛用于高精密检测设备、接收器、开关电源电路、信号检测和导弹制导技术，还能做为微波功率探测器。

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  2023/08/29

  二极管 肖特基二极管
• 通过智能节点的远程运动控制促进实现可靠的自动化
  

  摘要 工业4.0为远距离实现边缘智能带来了曙光，而10BASE-T1L以太网的数据线供电(PoDL)功能、高数据传输速率以及与以太网协议兼容也为未来发展铺平了道路。本文介绍如何在自动化和工业场景中集成新的10BASE-T1L以太网物理层标准，将控制器和用户界面与端点（例如多个传感器和执行器）连接起来，所有器件均使用标准以太网接口进行双向通信。 简介 10BASE-T1L是针对工业连接的物理层标准。

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  2730

  2023/07/06

  MOSFET 工业4.0
• Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
  

  器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低

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  2023/05/23

  二极管 开关电源
• Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管
  基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器，并提高持续运行性能。例如，相比仅使用硅基解决方案的数据中心，配

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  2023/04/20

  半导体 二极管
• 安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效
  领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布将其碳化硅(SiC)系列命名为“EliteSiC”。在本周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，安森美将展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能，并

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  1060

  2023/01/04

  安森美 肖特基二极管
• 罗姆发布肖特基二极管白皮书， 助力汽车、工业和消费电子设备实现小型化和更低损耗！
  近年来，随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及，应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。

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  1073

  2022/11/03

  电动汽车 二极管
• Qorvo®收购领先的碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司
  移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布，已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅（SiC）功率半导体供应商UnitedSiC公司。

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  2021/11/04

  Qorvo SiC
• Vishay 推出采用超小型封装的小信号肖特基和开关二极管
  Vishay推出超小型可润湿侧翼DFN1006-2A塑料封装新型表面贴装小信号二极管—40 V BAS40L肖特基二极管和100 V BAS16L。

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  265

  2021/10/11

  二极管 Vishay
• 英飞凌推出全新650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器件系列，提供优异效率
  近日，英飞凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合，具有650 V阻断电压。

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  2021/08/06

  英飞凌 IGBT
• 扩充了负载开关 IC 产品阵容 配备理想二极管功能 XC8110/XC8111 系列
  特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616，以下简称“特瑞仕”） 开发了具备理想二极管功能的负载开关 IC，XC8110 / XC8111 系列。

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  265

  2021/07/05

  电池 二极管
• 电源效率改善
  今天有个同学留言说要如何提高电源的效率；那我们就来讲一下电源的效率改善方法。

  王伟

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  2020/09/02

  二极管 电源
• 肖特基二极管的反向恢复过程
  今天的内容关于肖特基二极管的反向恢复过程。

  记得诚

  203

  2020/07/13

  二极管 肖特基二极管
• 从ST的SiC功率器件布局，看汽车电子市场竞争的白热化
  “此前，电力设备被认为是智能基础设施和智能家居的推动者，但ST的管理团队已经意识到，电力管理将是宽禁带材料未来的关键驱动力，”近日，在ST一场关于SiC功率器件的发布会上，ST公司首席执行官Jean-Marc Chery向与非网记者表示，“在高压电力设备领域SiC功率器件将成为游戏规则改变者，ST作为这项技术的先驱，希望能快速取得领先地位

  高扬

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  2019/04/02

  SiC 功率器件

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